共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
本文考虑到a-LiIO_3电导的强烈各向异性,利用一维Debye-Huckel方程和泊松方程,导出了表观直流电导率,解释了文献[1]中有关α-LiIO_3的各种静态电导特性。推导中假设晶体界面处的电流由速率过程决定,并考虑了晶体两端的不对称性(电极性)。并援引文献[2]中有关动态介电常数的结果,部分解释了文献[1]中有关α-LiIO_3在加直流偏压场和不加偏压场的介电行为。文中指出,文献[3]中提到的联结α-LiIO_3晶体两极性面观察到持续不变的微弱电流,以及我们实验室观察到成极的铁电晶体铌酸锶钡也有同样现象,均来源于晶体极性电动势。这一电动势与晶体的自发极化P_s同时存在。 相似文献
2.
3.
4.
用透射电子显微镜观察了电子辐照对α-LiIO3晶体结构的影响。α-LiIO3经100keV能量中等强度的电子束辐照后,最初转变为γ-LiIO3继而转变为Li2O和另一种新的、可能是非化学比的Li—O化合物,称之新产物X。若用强电子束进行辐照,则α-LiIO3迅速熔化。此时减弱电子束或停止辐照,均能使熔融物质凝固成上述新产物X,新产物X在电子束辐照下逐渐转变为Li2O和金属锂。从新产物X转变为Li2O的相变有一定程度的可逆性。此外发现,在电子束辐照下,α-LiIO3单晶的结构变化有明显的各向异性。
关键词: 相似文献
5.
6.
7.
8.
9.
采用固相烧结法合成了单相巨介电常数氧化物CaCu3Ti4O12(CCTO).用阻抗分析仪分析了10—420 K温度范围内的介电频谱和阻抗谱特性,并结合ZVIEW软件进行了模拟.结果表明:温度高于室温时,频谱出现两个明显的弛豫台阶,低频弛豫介电常数随温度升高而显著增大,表现出热离子极化特点;温度低于室温时,频谱表现出类德拜弛豫,且高、低平台介电常数值基本不随温度变化,表现出界面极化特点和较好的温度稳定性.频谱中依次出现的介电弛豫对应于阻抗谱中
关键词:
3Ti4O12')" href="#">CaCu3Ti4O12
介电频谱
阻抗谱
Cole-Cole半圆弧 相似文献
10.
本文用X射线双晶衍射平行排列(n,-n)的方法,观察了α-LiIO3单晶体生长过程点阵常数a与c不规则的不均匀性以及在静电场作用下c的起伏现象。观测出在静电场作用下a与c的变化和沿电场方向晶体表面层存在点阵常数的梯度。从而,证明了l≠0的晶面在静电场作用下,中子衍射的增强是由于在z轴向点阵常数c存在梯度的观点。同时,(010)晶面中子衍射强度在同样静电场作用下不增强的实验事实,从本实验结果,可以认为是点阵常数a原有的不均匀性较大,掩盖了a的梯度所致。
关键词: 相似文献
11.
本文采用Novocontrol宽频介电谱仪在-100 ℃–100 ℃温 度范围内、0.1 Hz–10 MHz频率范围内测量了表面层打磨前 后CaCu3Ti4O12陶瓷的介电特性, 分析了CaCu3Ti4O12陶瓷的介电弛豫机理. 首先, 基于对宏观“壳-心”结构的定量分析, 排除了巨介电常数起源于表面层效应的可能性; 其次, 基于经典Maxwell-Wagner夹层极化及其活化能物理本质的分析, 排除了巨介电常数起源于经典Maxwell-Wagner极化的可能性; 最后, 依据晶界Schottky势垒与本征点缺陷的本质联系, 提出了巨介电常数起源于Schottky势垒边界陷阱电子弛豫的新机理. 陷阱电子弛豫机理反映了CaCu3Ti4O12陶瓷本征点缺陷、 电导、介电常数之间的本质关系.
关键词:
3Ti4O12')" href="#">CaCu3Ti4O12
介电弛豫
Schottky势垒
点缺陷 相似文献
12.
由于CaCu3Ti4O12巨介电常数陶瓷的低频区直流电导较大, 本文采用模量 M"-f频谱表征与分析了低频和高频的两个松弛极化过程. 研究认为, 这两个特征峰属于晶界区Schottky 势垒耗尽层边缘深陷阱的电子松弛过程, 其中高频松弛峰起源于晶粒本征缺陷的电子松弛过程, 而低频松弛峰则为与氧空位有关的松弛极化过程. 对于CaCu3Ti4O12这类低频下具有高直流电导的陶瓷材料, 采用模量频谱能更有效地分析研究其损耗极化机理.
关键词:
3Ti4O12陶瓷')" href="#">CaCu3Ti4O12陶瓷
模量
松弛过程
电导 相似文献
13.
激光束通过加c向直流电压的α-LiIO3单晶时,发生三种准弹性散射:散射光电位移矢量有特定取向且与入射光电位移矢量方向不一致者,散射光电位移矢量与入射光电位移矢量方向相同而散射带垂直c轴者以及散射光电位移矢量与入射光电位移矢量方向相同而散射带对c轴倾斜者,本文详细研究了这三种散射的空间频谱、精细结构、结构敏感性、弛豫规律以及光散射和晶体内电流密度与局部电场的关系,发现光散射发生于晶体内电流密度较大的区域,本文对三种散射的起因给予了说明:离子导体在直流电压作用下空间电荷的分布和运动引起
关键词: 相似文献
14.
15.
16.
17.
18.
用固相反应法制备了Na0.25K0.25Bi0.5TiO3 (NKBT50)陶瓷,研究了该陶瓷在室温至400℃温度范围内的介电性能.发现该陶瓷的介电温谱与烧结气氛、极化状态有关.在空气中烧结的未极化样品在70℃附近存在介电和损耗峰,而极化后及在氧气氛中烧结的样品并不存在该介电、损耗峰.分析认为70℃的介电和损耗峰与氧空位形成的缺陷偶极子的极化弛豫有关.热激电流显示,陶瓷的去极化温度为225℃,与此相对应的介电、损耗峰也
关键词:
介电性能
氧空位
极化弛豫
钛酸铋钠钾 相似文献
19.
采用固相反应法制备了Tb0.8Eu0.2MnO3多晶材料.对样品的X射线衍射(XRD)分析表明Eu3+固溶于TbMnO3中.测量了样品在低温(100 K ≤T≤ 300 K)和低频下(200 Hz≤f≤100 kHz)的复介电性质.在此温度区间内发现了两个介电弛豫峰.经分析认为低温峰(T≈170 K)起源于局域载流子漂移引起的偶极子极化效应,而高温峰(T≈290 K)则是由离子电导产生的边界和界面层的电容效应引起的.电阻率的测量显示在低温下(T≈230 K)存在明显的导电机制转变.
关键词:
多铁性材料
掺杂
介电性质 相似文献
20.
利用金属铁、镍(Fe与Ni保持mol比为22∶78不变)与钛酸钡复合,在保护气氛下成功烧结制备了高介电常数Fe-Ni-BaTiO3复合陶瓷材料,并研究了该复合材料的电导和介电性能及其物理机理.分析结果表明,由于渗流效应,随着陶瓷中金属含量的增加,材料经历了绝缘体—导体突变.同时,在渗流阈值附近,材料的介电常数有了极大的提高.当金属体积含量为0.23时,即在绝缘体向导体转变的渗流阈值附近,复合材料的介电常数达到了22000,为同条件下制备的纯钛酸钡陶瓷体介电常数的12倍,同时材料的介电
关键词:
3')" href="#">Fe-Ni-BaTiO3
渗流理论
介电性能
Maxwell-Wagner效应 相似文献