CuO/Al2O3、CuO/CeO2-Al2O3和CuO/La2O3-Al2O3催化剂中CuO物种被CO氧化的比较

用浸渍法制备了CuO/Al2O3 (Cu/Al)、CuO/CeO2- Al2O3 (Cu/CeAl)和CuO/La2O3-Al2O3(Cu/LaAl)催化剂. 通过原位XRD、Raman和H2-TPR方法， 对催化剂中的CuO物种以及CuO-Al2O3的固-固相反应进行了表征. 结果表明，对于Cu/Al催化剂，CuAl2O4存在于CuO与Al2O3层之间，CuO以高分散和晶相两种相态存在于催化剂的表层；对于Cu/CeAl催化剂，除了少量高分散和晶相的CuO存在于表层外，大部分CuO迁移到了CeO2的内层，     

Pt/CeO2-ZrO2/Al2O3催化剂的光谱表征

利用拉曼光谱表征了不同方法添加ＣｅＯ２－ＺｒＯ２混合氧化物对Ｐｔ／Ａｌ２Ｏ３催化剂的影响,并采用了ＸＲＤ,Ｈ２化学吸附,ＢＥＴ表征了相应的分散度影响。结果表明：Ｃｅ、Ｚｒ、与金属Ｐｔ存在着强的相互作用,而ＣｅＯ２－ＺｒＯ２以盐的形式加入时,高度分散在Ａｌ２Ｏ３载体上,提高贵金属Ｐｔ的分散度,进而提高了反应的活性。     

Nonstoichiometric interfaces and Al2O3 adhesion with Al and Ag

We have determined the relative stability of stoichiometric, oxygen-rich, and aluminum-rich Al/Al 2O (3) and Ag/Al 2O (3) interfaces from first principles. Stable structures vary significantly with oxygen chemical potentials. Computed works of adhesion agree reasonably well with sessile drop experimental values, including correlation with measured oxygen chemisorption effects on Ag. The ordering of predicted bond energies of the interfaces, ceramics, and metals seems consistent with monotonic and fatigue fracture experiments.     

Interfacial characteristics of Al/Al2O3/ZnO/n-GaAs MOS capacitor

The interfacial characteristics of Al/Al2O3/ZnO/n-GaAs metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitor are investigated. The results measured by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) show that the presence of ZnO can effectively suppress the formations of oxides at the interface between the GaAs and gate dielectric and gain smooth interface. The ZnO-passivated GaAs MOS capacitor exhibits a very small hysteresis and frequency dispersion. Using the Terman method, the interface trap density is extracted from C-V curves. It is found that the ZnO layer can effectively improve the interface quality.     

Si掺杂Al_2O_3电子结构的第一性原理计算

本文采用第一性原理对纯Al2O3和Si掺杂的Si0.167Al0.833O1.5,Si0.25Al0.75O1.5晶体体系的能带结构、态密度进行了计算分析.结果发现:随着Si在Al2O3晶体中所占比例的增加,体系能隙变小,在Si0.25Al0.75O1.5晶体体系中能隙已降到2.5 e V,表明该体系为半导体材料;而在掺杂的体系中有数条分散的能带穿过了费米能级,即可以预测该掺杂体系有特别的光电性质;同时对比纯Al2O3和Si掺杂的Si0.167Al0.833O1.5,Si0.25Al0.75O1.5晶体体系的总态密度,发现掺杂体系的价带和导带向低能区域移动.     

Si掺杂Al2O3电子结构的第一性原理计算

本文采用第一性原理对纯Al2O3和Si掺杂的Si 0.167Al0.833O1.5, Si 0.25Al0.75O1.5晶体体系的能带结构、态密度进行了计算分析. 结果发现：随着Si在Al2O3晶体中所占比例的增加,体系能隙变小,在Si 0.25Al0.75O1.5晶体体系中能隙已降到2.5eV,表明该体系为半导体材料;而在掺杂的体系中有数条分散的能带穿过了费米能级,即可以预测该掺杂体系有特别的光电性质;同时对比纯Al2O3和Si掺杂的Si 0.167Al0.833O1.5, Si 0.25Al0.75O1.5晶体体系的总态密度,发现掺杂体系的价带和导带向低能区域移动.     

CH4、CO2、O2制合成气用Ni-Ce/Al2O3催化剂的XPS研究

用XPS表征浸渍法制备的Ni-Ce／Al2O3催化剂,并与活性评价结果相关联,研究了添加Ce对催化剂性能的影响,探讨了催化剂失活的原因。结果表明,稀土Ce在反应过程中存在着部分还原变价过程(Ce^4 e→Ce^2 ),Ce^3 能够迁移至A12O3晶格,增强载体Al2O3的抗烧结能力,提高催化剂的稳定性;Ni-Ce/Al2O3催化剂表面的Ni和Ce在反应过程中向体相迁移,以及Ni晶粒的烧结是造成催化剂活性逐步下降的主要原因。     

Apparent spin polarization decay in Cu-dusted Co/Al2O3/Co tunnel junctions

Co/Al2O3/Co magnetic tunnel junctions with an interfacial Cu layer have been investigated with in situ growth characterization and ex situ magnetotransport measurements. Cu interlayers grown on Co give an approximately exponential decay of the tunneling magnetoresistance with xi approximately 0.26 nm while those grown on Al2O3 have a decay length of 0.70 nm. The difference in decay lengths can be explained by different growth morphologies, and in this way clarifies a present disagreement in the literature. For monolayer coverage of Cu, we show that the tunneling spin polarization is suppressed by at least a factor of 2 compared to Co and beyond approximately 5 ML it becomes vanishingly small.     

磁性隧道结Ni80Fe20/Al2O3/Co的制备和物性

用等离子体氧化形成绝缘层的方法,重复性地制备出了Ｎｉ８０Ｆｅ２０／Ａｌ２Ｏ３／Ｃｏ磁性隧道结。样品的隧道磁电阻（ＴＭＲ）比值在室温下最高可达６．０％,翻转场（ｓｗｉｔｃｈ ｆｉｅｌｄ）可低于８００Ａ／ｍ,平台宽度约２４００Ａ／ｍ。结电阻的变化范围从几百欧姆到几百千欧。     

Co-Mo/Al2O3加氢脱硫催化剂的CO吸附原位红外光谱表征及应用研究

燃油的无硫化成为车用燃料发展的必然趋势.为开发高性能的柴油超深度加氢脱硫催化剂,文章采用CO吸附原位红外光谱法对系列还原态Co-Mo/Al2O3催化剂和高活性工业剂进行了表征,并将表征结果与微反加氢脱硫活性评价结果进行了关联分析.结果表明:随金属负载量的变化CO吸附的光谱特征发生变化,当MoO3负载量达20%、助剂CoO量为4.16%时,在2 179 cm-1出现一个新的CO特征吸收峰,该活性中心的出现明显有利于加氢脱硫(HYD)的反应.在相同金属负载量的情况下,与采用化学处理法制备的催化剂相比较,后者对应的2179 cm-1的特征吸收明显增强,微反评价显示该催化剂的催化活性特别是HYD反应活性明显提高.     

27Al satellite transition spectroscopy (SATRAS) of polycrystalline aluminum borate 9Al2O3.2B2O3.

27Al NMR spectra of polycrystalline aluminum borate 9Al2O3.2B2O3 have been measured at 104, 130 and 156 MHz. The parameters of the quadrupole interaction and the isotropic chemical shifts have been obtained by fitting the CT/MAS pattern and consideration of the inner satellite transitions m = 3/2<-->1/2 and m = - 1/2<-->- 3/2. The gain in spectral resolution concerned with the observation of the MAS lines of the inner satellites leads to complete separation of the signals of AlO6, AlO5 and AlO4 polyhedra. Also signals of structural groups of one and the same coordination number can be distinguished. Experimental and theoretical lineshape calculations are compared.     

甲烷部分氧化制合成气Pt/Al_2O_3催化剂的表征及其反应性能评价

采用浸渍法制备了3种不同负载量的Pt/Al2O3催化剂,考察了催化剂的甲烷选择氧化性能,并用程序升温还原技术,程序升温脱附技术以及微型脉冲催化色谱技术对催化剂进行表征。结果表明,随着Pt的负载量升高,甲烷催化氧化的性能也越好,对CO与H2的选择性也越高。其中,在750℃原料气组成CH4/O2为2∶1,4%Pt负载量的催化剂,甲烷转化率达到98%以上。     

冲击压缩下蓝宝石光学性质的晶向效应

本文基于第一性原理计算方法,研究了a向、c向和r向蓝宝石理想晶体和含氧离子空位点缺陷晶体在0-180 GPa冲击压力范围内的光学性质.波长在1550 nm处理想晶体的折射率数据表明,在蓝宝石Corundum、Rh2O3以及CalrO_3相区,其折射率分别表现出强、弱以及强的晶向效应.波长在0-250 nm范围内理想晶体的能量损失谱结果指明,在Corundum和Rh_2O_3结构相区,其晶向效应不明显;在CalrO_3结构相,主峰附近的波段范围内,蓝宝石的能量损失谱有一定的晶向效应:c和r向的主峰强度基本相同,但a向主峰强度明显高于c和r向主峰强度.缺陷晶体数据表明:氧离子空位点缺陷对蓝宝石折射率和能量损失谱晶向效应的影响较微弱.     

添加金属对MoO3/Al2O3 碳化过程的影响

通过对镍、铜和钾改性的MoO3/Al2 O3样品进行与甲烷的程序升温表面反应 (CH4 TPSR)研究以及其碳化样品的BET测定 ,发现镍的添加对于甲烷还原以及碳化氧化钼具有促进作用 ,并对甲烷在碳氧化物或碳化物表面上的活化也具有促进作用 ,镍改性的碳化物样品具有较大的比表面和对甲烷比较高的本征活性 ;铜的添加对于甲烷还原以及碳化氧化钼稍有促进作用 ,对于甲烷在碳氧化物或碳化物表面上的活化稍有促进作用 ,但铜的引入也会加快催化剂的烧结 ;钾的添加对氧化钼被甲烷的还原以及碳化都不利 ,对于甲烷的活化也不利 ,钾的加入还会促使催化剂烧结 .因此 ,钾的添加对于甲烷在碳氧化物或碳化物上的转化是不利的     

利用电子束蒸发制备铝隧道结工艺研究

采用电子束蒸发的方法在Si片上制备超导铝(Al)薄膜。利用X射线衍射和直流四电极电阻法分别测试了厚度从100埃到5000埃的Al薄膜物向组成,超导转变温度(Tc)和临界电流密度(Jc)。当Al薄膜厚度大于500埃时,超导转变温度Tc=1.2K。电子束蒸发制备的Al薄膜性能良好,具有较高的结晶质量,为制备Al超导隧道结奠定了良好基础。对小面积的Al超导隧道结工艺进行了研究,该超导隧道结两层的超导体材料为Al薄膜,中间势垒层材料为Al2O3。其中Al薄膜利用电子束蒸发制备,势垒层通过直接氧化Al薄膜表面实现,该工艺和采用直接蒸发氧化物薄膜工艺相比不仅简单而且能有效防止势垒层不连续造成的弱连接。     

掺钛宝石的光谱研究

用IFUS(Induction Field Up-shift Method)方法生长了浓度高,光学质量好的Ti:Al2O3单晶,通过测量Ti3+离子的吸收,激发,荧光光谱以及荧光寿命,分析研究了Ti:Al2O3单晶的发光特性和发光谱随温度的变化,(τFluo=3.1μs,300K;β=[Ti3+]/[Ti]=0.999,αm/αr=380,α488nm=9.5cm-1。     

NSR催化剂12CaO-7Al2O3/10%K中水对NO还原性能的影响

主要讨论在不同反应温度和不同水蒸汽浓度下,新型的NOx储存-还原催化剂12CaO·7Al2O3／10％K(简称C12A7／K)中水的存在对NO还原性能的影响．研究结果表明,当存在1．2％水蒸汽,并低于500℃时,NO转化率和N2的选择性均降低,水蒸汽的存在对催化剂低温区的活性起到较明显的抑制作用;而温度高于500℃时,此抑制作用则基本消失,说明此时C12A7／K催化剂的水热稳定性较好．FT-IR结果证明储存NOx后的C12A7／K样品小形成了NO3／NO2的反应中间物种,用H2还原则可消除中间物种,以N2等形式放出。     

TiO2/Al2O3薄膜的原子层沉积和光学性能分析

采用原子层沉积技术在熔石英和BK7玻璃基片上镀制了TiO2/Al2O3薄膜,沉积温度分别为110℃和280℃。利用X射线粉末衍射仪对膜层微观结构进行了分析研究,并在激光损伤平台上进行了抗激光损伤阈值测量。采用Nomarski微分干涉差显微镜和原子力显微镜对激光损伤后的形貌进行了观察分析。结果表明,采用原子层沉积技术镀制的TiO2/Al2O3增透膜的厚度均匀性较好,Φ50 mm样品的膜层厚度均匀性优于99%;光谱增透效果显著,在1 064 nm处的透过率〉99.8%;在熔石英和BK7基片上,TiO2/Al2O3薄膜在110℃时的激光损伤阈值分别为（6.73±0.47）J/cm2和（6.5±0.46）J/cm2,明显高于在280℃时的损伤阈值。     

在Al2O3衬底上GaN的APMOCVD生长

含氮Ⅱ一Ⅴ族化合物(包括GaN、AIN、InN和GaAIN)是直接带隙半导体材料,它们的禁带宽度可以从1.9eV到6.2eV,是目前最重要的蓝光半导体材料,不仅适合制作从可见光到紫外波段的光电器件,例如蓝光发光二极管、激光器和光电探侧器,而且可用于制作耐高温、大功率的电子器件.特别是利用APMOCVD技术在蓝宝石衬底上制备GaIV单晶膜取得突破性进展,并且制作了高亮度发光二极管后[1],Ⅱ-Ⅴ族含氮化合物半导体材料受到广泛重视.     

Interfaces between Al2O3 and beta-Ni(1-x)Al(x) alloys: complex structures and Ab initio thermodynamics

A methodology to study the structural stability of binary alloy/Al2O3 interfaces is developed by expanding the conventional ab initio thermodynamics to include the dependence on alloy composition. Results on beta-Ni(1-x)Al(x)/Al2O3 interfaces predict the existence of two types of stable interfaces. The stable interface at equilibrium with Al-rich or strictly 1:1 alloy contains an Al2-terminated Al2O3 surface and continues with NiAl layers, and the interface at equilibrium with Ni-rich alloy has Al accumulation but continues with a Ni-rich and then NiAl layers. Works of separation for the two interfaces are close to each other.