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AD584是美国AD公司推出的一种引脚可编程精密电压基准源,该器件可编程输出4个不同的基准电压(10.000V,7.500V,5.000V,2.500V),并可用作负电压基准源,而且其精度高、温漂低,可广泛应用在高分辨率的模数和数模转换器中。 相似文献
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系统地总结了当前流行的三种集成精密基准电压源:隐埋齐纳二极管,带隙的XFET基准电压泊的设计思路和应用过程中应该注意及考虑的问题。 相似文献
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本文介绍了一种高精度、低功耗的基准电压X60008A-50的功能特点和使用说明,给出+5V,双向±5V,-5V高精度精密电压标准源的电路接线图以及与芯片X9119构成的5V满刻度低漂移的10位可调基准电压的硬件接口方法。 相似文献
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一种CMOS低电压精准带隙参考源 总被引:1,自引:0,他引:1
基于CMOS电流模式,设计一个可以工作在1V电源电压的低电压带隙参考源。采用0.18μmCMOS工艺模型的仿真结果表明,温度在-20℃~80℃范围内,其温度系数小于10ppm/℃,电源抑制比大于-64dB。芯片面积为53μm×44μm。 相似文献
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一种高精度的CMOS带隙电压基准 总被引:2,自引:2,他引:0
介绍一种采用二阶补偿技术的带隙电压基准电路。基于一阶曲率补偿的带隙电压基准,利用晶体管基极-发射极电压Vbe与温度T的非线性关系,通过PTAT^2电路补偿Vn的二阶项,从而改善了基准电压的温度特性。Cadence软件仿真结果表明,工作电压为5V,在-35~+110℃的温度范围内,其温度系数可达2.89ppm/℃。 相似文献
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基于TSMC 0.18 μm BCD工艺,设计了一种无电阻高精度基准电压源。利用具有高阶温度系数的电流消除VBE温度系数中的非线性项,对输出基准电压实现高阶补偿。与传统无电阻基准电压源中MOS管工作于亚阈值区不同,电路中的MOS管均工作于强反型区,具有更高的仿真模型精度。仿真结果表明,当温度在-55 ℃~125 ℃范围变化时,该基准电压源的温度系数为8.5×10-7/℃。在无滤波电容的情况下,电源抑制比可达-80 dB。当电源电压在2.5~5 V范围变化时,线性调整率小于0.3 mV/V。 相似文献
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一种高精度能隙基准电压电路 总被引:2,自引:0,他引:2
在分析了几种基准电压源的基础上 ,设计并实现了一种高精度用于高速串行通信接口的 CMOS能隙基准电压电路。电路采用了两级高增益运放的优化结构 ,基于 TSMC公司的 CMOS 0 .2 5μm混合信号模型的仿真结果表明电路输出电压在 -5 0~ 70°C的温度内波动范围为 0 .0 5 7%。芯片流片测试结果发现基准电压电路在输入电压为 2 .5 V的条件下 ,工作在 -5 0~ 70°C的温度范围内 ,输出电压变化范围为 1 .2 3 3 7~ 1 .2 3 5 6V,输出电压变化率为 0 .1 5 4% ,与仿真结果之间的平均偏差为 0 .0 1 6%。能隙基准电压电路的版图面积为 1 5 8μm× 1 64μm。 相似文献