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使用纳米SiO2粉体为原料,在2.0~4.2 GPa、150~1200 ℃范围内进行了一系列的高压高温实验研究,得到了该压力温度范围内晶化产物α-石英与柯石英的p-T相图,而且该相图中的相边界在650 ℃以下斜率为负,在650 ℃以上基本水平。通过X射线衍射仪(XRD)、Raman光谱仪(Raman)、傅立叶红外光谱仪(FT-IR)、DSC-TGA差热分析仪(TG-DTA)-等表征手段,发现纳米SiO2原粉中水分(包含Si-OH和吸附水)的存在能显著降低合成柯石英的温度和时间,在4.2 GPa压力下得到了目前合成柯石英的最低温度190 ℃。常压下,合成的柯石英在800 ℃以下能够稳定存在,在1 000 ℃以上转化为α-方石英。 相似文献
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在1.0~5.0 GPa、700~1 750 ℃条件范围内,对固溶体0.6NaAlSi2O6-0.4CaMgSi2O6进行了研究,探讨了该固溶体在高温高压下的存在行为,研究了由非晶态玻璃向翡翠转化过程中p-T作用的相图,得到的透辉石翡翠的晶胞参数为a=0.943 9 nm,b=0.857 3 nm,c=0.523 3 nm,β=107.28°和V=0.417 02 nm3。本实验中合成的宝石级翡翠为色泽温润,具有玻璃光泽,半透明的极富观赏性的透辉石翡翠。 相似文献
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正交试验法优化金刚石复合片合成工艺 总被引:1,自引:0,他引:1
通过正交试验法,以磨耗比、电阻、完整性、硬度为指标,设计了金刚石复合片的合成工艺。正交试验可以减少合成工艺试验次数,优化合成工艺。试验结果表明,较合理的烧结工艺为:合成压力5.5 GPa,升温速度为200 ℃/min,保温时间16 min,冷却时间14 min,烧结温度1 350 ℃。从压力、温度和时间等因素的影响方面讨论了金刚石复合片的性能。认为:适当地提高温度有利于提高磨耗比及硬度;延长加热时间有利于性能均匀性的提高;延长冷却时间可减少残余热应力。 相似文献
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以化学水解法合成的β-FeOOH纳米微粉(平均粒径在12 nm左右)为原料,分别在0.0~4.5 GPa和200~350 ℃的压力和温度范围进行冷压和热压处理。实验结果表明,冷压对β-FeOOH纳米固体的结构没有明显影响,但却使它的热致相变(从β-FeOOH相到α-Fe2O3相)温度从常压下的203.8 ℃提高到4.5 GPa压力下的274 ℃,接近常规体相材料的相变温度。而在一定的热压条件处理下,首次发现了从β-FeOOH相到α-FeOOH相的结构转变,并在4.5 GPa、200 ℃的热压条件下得到了转变过程中的一个新的亚稳相。从压力和温度对纳米微粒的作用角度,对上述实验结果进行了讨论。 相似文献
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为了探索功能金刚石聚晶的高压合成,使其具有优异的透红外和散热性能,我们采取了提高合成压力、温度和尽量减少结合剂的办法进行试验。首先探索如何使合成的金刚石聚晶具有D-D型结合,然后尽量减少结合剂,以合成出高密度的D-D型金刚石聚晶。为了尽量减少结合剂含量,不用粉末混合法,而是分别采用7~14 μm和63~80 μm粒度的金刚石为原料,与纯Ni或Ni70Mn25Co5合金为基底积层组装,通过高温高压下触媒金属向金刚石晶粒间渗透进行烧结生长。在6.3 GPa的压力和1 440~1 650 ℃的不同温度下分别保持3~40 min。所得到的金刚石聚晶在触媒金属渗透得充分的区域形成了D-D结合型结构,而没有发现碳化物生成及金刚石表面石墨化等现象。 相似文献
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高温高压下CeTbO3合成过程中电阻的动态测试研究 总被引:1,自引:1,他引:0
在0.5 GPa、4.0 GPa的压力下,从室温到800 ℃的温度范围内测量了氧化物CeTbO3、单稀土氧化物Tb4O7、CeO2和摩尔比维4∶1配比的混合物CeO2+Tb4O7等的电阻随温度变化关系。对这四种物质均反映出电阻随温度增加而减小的半导体特征。在压力维0.5 GPa,温度高于600 ℃时发现了混合物CeO2+Tb4O7、氧化物Tb4O7中电阻变化的起伏。X射线衍射谱表明,对应这一电阻变化,在结构上出现了变化。结果分析表明,这一变化与Tb4+→Tb3+的价态变化密切相联。 相似文献
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用阻抗匹配法和PZT压电探针技术,在100 GPa的冲击压力范围内测量了初始密度分别为1.375 g/cm3和2.001 g/cm3两种孔隙度叙永石样品的Hugoniot状态方程。根据其pH-ρH线所给出的高温高压相变点,用Grüneisen状态方程计算其相变点压力所对应的温度,并结合常压下受热相变的温度值,建立了“高岭石/Al2O3+SiO2+H2O”的温度-压力相平衡图。通过该相图与线性地热线的交点推断:高岭石至少可在上地幔50 km深处作为一种含水(OH-)矿物而稳定存在;或在俯冲板块中至少于133 km深处作为一种含水(OH-)泥质沉积物的过渡相而存在。 相似文献
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在21 500~11 500 cm-1光谱区间内测量了Gd2O2S:Eu的荧光光谱,测量是在室温和液氮条件下进行的,对122条低温谱线和96条常温谱线进行了指认。识别了Eu3+离子5D0~2及7F0~6的39个斯塔克能级中的35个能级。在0~15 GPa压力范围内,研究了Gd2O2S:Eu高压下的发射光谱。在压力作用下,发现所有观测到的谱线都红移,强度降低。6个5D0~2能级下降速度大于7FJ,5D2、7F2~5多重态的斯塔克劈裂变大,而5D1和7F1的劈裂变小。 相似文献
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本文在成功地用超高氧压(~6.5 GPa)及高温(~980 ℃)合成和结构测定的基础上,首次对金属性化合物中LaCuO3中的Cu3+离子给予标定,并研究了它与绝缘体中Cu3+的区别。本论文中合成的LaCuO3为金属性化合物,电导率测量表明在大于13 K无超导电性迹象。XPS测量给出了LaCuO3中Cu2p3/2内层电子结合能相对于La2CuO4或CuO中的Cu2+向高结合能方向移动了约2.6 eV,这一量值远大于NaCuO2(绝缘体)中的Cu2p3/2相对于CuO中的Cu2+移动的值,约为1.3 eV。Auger谱测量表明,LaCuO3的修正了的Auger参数与CuO的基本相同,但L3VV的Auger电子动能相对CuO移动了2.8 eV。这些位移说明在金属性化合物LaCuO3中,Cu3+处在八面体位置上,它与近邻的Cu3+连成单个Cu—O—Cu桥,因此可作为对比p型高Tc含铜氧化物的XPS谱的标准。 相似文献
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在室温下测量了GdoBr:Eu的常压和高压荧光谱,光谱范围在13 000~21 500 cm-1之间,压力至12 GPa。由光谱数据得到了Eu3+晶场能级随压力的变化曲线。7F0~5能级随压力的变化规律比较复杂,而5D0~2各能均随压力的升高几乎线性地降低。在基态谱项7F的49个状态上进行了晶场拟合计算,所得常压下的5个非零晶场参数分别为:B02=-1 124.0 cm-1,B04=-969.6 cm-1,B44=827.9 cm-1,B06=889.6 cm-1,B46=377.0 cm-1。高压下的计算结果表明,B04、B06这两个晶场参数随压力的增加而增大,B46随压力的增加而减小,而B02、B44随压力的变化有些起伏。晶场强度在8 GPa以下随压力增加而减小,其后开始变强。 相似文献
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利用Raman散射光谱在碳硅石压腔下研究了常温下的正戊烷从0.07~4.77 GPa的稳定性。结果表明:正戊烷的 CH3、CH2对称和反对称伸缩振动2 877 cm-1、2 964 cm-1和2 856 cm-1、2 935 cm-1以及-(CH2)n -同步扭曲振动1 303 cm-1均随压力增大而基本呈线性向高频方向移动,并在2.47 GPa附近发生过压凝固,这是一种平衡稳定态之外的亚稳态现象。另外推测正戊烷在高压下可能发生固-固相变,最后通过平衡的固液共存相确定了正戊烷的平衡凝固压力为(1.90±0.05) GPa。 相似文献
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经过高温高压合成的CeTbO3+δ进行了XPS研究,发现在1.0 GPa下,Tb4+在~600 ℃开始转变成Tb3+,而Ce4+在~800 ℃开始向Ce3+转变。在1 000~1 200 ℃形成单相萤石结构化合物CeTbO3+δ的Ce是以Ce3+、Ce4+混合价形式存在,Tb全部变成Tb3+。实验表明,用Ce3d谱上~888 eV峰的峰位及其与882 eV峰的相对强度变化可以定性判断化合物中是否含有Ce3+。研究了高温高压合成的CeTbO3+δ的稳定性随时间的变化问题。 相似文献
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用光分析技术,测量了在一维应变冲击条件下,无氧铜的高压下声速,压力范围为125~170 GPa。将上述结果与Broberg、Morris等和Aльгшуер等过去发表的数据结合在一起,对0~170 GPa整个压力区间的声速数据做了综合分析,给出了声速随压力的变化规律。实验结果发现,无氧铜在156~159 GPa之间开始发生冲击熔化,到170 GPa左右,完全进入液相区;对于处于0~156 GPa固体无氧铜的弹性声速cl可用ln cl=1.565 888-2.645 488×10-2ln p+2.710 681×10-2ln2p拟合公式描述(p的单位为GPa,cl的单位为km/s),拟合值与实验值的相对误差小于1.3%。 相似文献