拉伸状态NbSe3在纵向磁场下的负磁阻效应

本文研究了准一维电荷密度波材料ＮｂＳｅ３晶须自然状态（ε＝０）和受到拉伸的状态（ε＞０）下在纵向磁场中的磁阻效应．温度Ｔ≤５０Ｋ时，无论自然状态还是拉伸状态（ε＝１．５％）都没有观察到负磁阻．但是，当温度升高到Ｔ＝７０Ｋ，我们观察到ＮｂＳｅ３晶须受到拉伸至ε＝１．５％时有负磁阻效应；进一步增大ε至１．８％，负磁阻效应更明显；不拉伸（ε＝０）则没有磁阻．文中就这个现象进行了讨论．     

粲夸克偶素P波态χ_（c0）宽度测量

利用北京谱仪在北京正负电子对撞机上采集的３５０万（２Ｓ）事例，通过（２Ｓ）→γπ－和γＫ＋Ｋ－反应道测量了Ｘｃ０的总宽度．由ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模拟给出的质量分辨函数，利用拟合Ｘｃ２谱形得到的质量分辨作标定后，用于Ｘｃ０宽度的拟合，得到Ｘｃ０的宽度为（１５．０）ＭｅＶ．同时定出了ＸｃＪ（Ｊ＝０，２）到π＋π＝和Ｋ＋Ｋ－的衰变分支比．结果为Ｂ（Ｘｃ０→π＋π－）＝（４．２７±０．２３±Ｏ．６０）×１０－３；Ｂ（Ｘｃ０→Ｋ＋Ｋ－）＝（３．４４±０．２１±０．４７×１０－３；Ｂ（Ｘｃ２→π＋π－）＝（１．５２±０．１７±０．２９）×１０－３和Ｂ（Ｘｃ２→Ｋ＋Ｋ－）＝（５．２±１．１±１．８）×１０－４，其中第一项误差为统计误差，第二项为系统误差。     

乙烯基吡咯烷酮—醛酸乙烯酯共聚物对1—苯胺基萘—8—磺酸盐水溶液的荧光...

将荧光探针１－苯胺基萘－８－磺酸盐（ＡＮＳ）加入到乙烯基吡咯烷酮（ＶＰ）－醋酸乙烯酯（ＶＡＣ）共聚物溶液中，共聚物组成分别为ＦＶＰ＝０．８４；０．７４；０．７０；０．５５（以乙烯基吡咯烷酮结构单元的分子数表示）。实验结果表明：ＶＰ－ＶＡＣ共聚物对ＡＮＳ水溶液的荧光强度增强效应与共聚物中乙烯基吡咯烷酮在逻节中的比例有关，其组成为ＦＶＰ＝０．５５的共聚物对ＡＮＳ水溶液有显著的荧光增强效应，相对荧光强度     

稀磁半导体Cd_（1－x）Fe_xTe的磁光光谱

在７０－３００Ｋ温度范围内测量了组分ｘ为０．０１和０．０４的Ｃｄ１－ｘＦｅｘＴｅ及ＣｄＴｅ的法拉第效应随入射光子能量的变化，首次获得了Ｃｄ１－ｘＦｅｘＴｅ在布里渊区Γ点和Ｌ点的有效ｇ因子及其与温度的关系。给出了Ｆｅ２＋离子与载流子间的ｓｐ－ｄ交换作用常数Ｎ０（β－α）＝（－１．５７±０．０３）ｅＶ。     

q—玻色湮没有符高次幂的本征态及其性质

研究了ｑ－玻色湮没算符高次幂α＾ｋｑ（ｋ≥３）的正交归一本征态的数学结构，在此基础上讨论了它们的数学性质及其ｑ－压缩和振幅Ｎ次方压缩特性，发现它们能组成一个完备的希尔伯特（Ｈｉｌｂｅｒｔ）空间；且当ｋ为偶数时，这些本征态均可存在振幅Ｎ次方［Ｎ＝（ｍ＋１／２）ｋ，ｍ＝０，１，２，…］压缩。     

X射线衍射研究Bi_2Sr_（2－y）M_yCuO_（6＋δ）（M＝La，Pr）

作者报道了用Ｘ射线衍射法对Ｂｉ２Ｓｒ２－ｙＭｙＣｕＯ６＋δ（Ｍ＝Ｌａ，Ｐｒ，０．０≤ｙ≤１．０）系列单晶样品进行结构研究的结果．根据晶体结构的不同性质，我们将掺杂区分为三个区域．第一个区域的掺闭量在０．０≤ｙ≤０．１０之间，在此区域中晶体的平均结构为单斜结构，其调制波矢具有两个非公度分量ｑ１＝β１ｂ＋γ１ｃ．第二个掺杂区的掺镧量在０．１０＜ｙ≤０．６０之间，晶体的平均结构由单斜转变为正交结构，调制波矢具有单个非公度分量ｑ１＝β１ｂ＋ｃ．第三掺杂区的掺镧量在０．６０＜ｙ≤１．０之间，晶体的平均结构转变为另一单斜结构，在这一区域有两类调制结构共存．第一类调制结构与第一、第二掺杂区的调制结构类似；第二类调制结构的调制调幅沿α轴方向极化，调制波矢β分量约为第一类调制结构的二分之一．对于Ｂｉ２（Ｓｒ１．２Ｌａ０．８）ＣｕＯ６＋δ单晶，其第二类调制波矢为ｑ２＝０．１２２ｂ＋０．４３ｃ．     

分离等效法求阻抗匹配

负载获得最大功率,实质是阻抗匹配．在最简单电路（图１）中,Ｒ上获得的功率为Ｐ＝Ｉ２Ｒ＝Ｅ２Ｒ／（Ｒｐ＋Ｒ）２．若电源内阻Ｒｐ可变,负载电阻Ｒ不变,当Ｒ０→０时,负载上获得的功率趋向最大值：Ｐｍ＝Ｅ２／Ｒ．若Ｒ０不变,Ｒ可变,Ｒ＝Ｒ０时,负载上获得的功...     

依赖于时间的Jaynes—Cummings模型中的反聚束效应

本文利用友格－库塔法对多个方程组连续进行积分，提出了一种处理依赖于时间的Ｊａｎｅｓ－Ｃｕｍｍｉｎｇｓ模型，描述二能级原子与腔场相互作用的耦合系数依赖于时间的ＪＣＭ的哈密顿量为Ｈ＝１／２ω０σ３＋ω＾＋ａ＾＋ａ＾＋ｇ（ｔ）（σ＋ａ＋σ－ａ）ｈ＝１（１）这里，ｇ（ｔ）选择为时间上的一个脉冲ｇ（ｔ）＝ｇ０ｅｘｐ（－（ｔ－ｔ０）＾２／２ａ＾２），其中ｔ０和ａ分别为脉冲中心和脉冲宽度，ｇ０是一有量纲常数，     

热核表面能的Thomas－Fermi统计模型理论

用Ｓｅｙｌｅｒ－Ｂｌａｎｃｈａｒｄ动量相关非定域相互作用的含温Ｔｈｏｍａｓ－Ｆｅｒｍｉ统计理论，对半无穷大核物质模型计算了核物质表面能系数σ（Ｔ，δ）随温度Ｔ和不对称度δ的变化，发现在低温Ｔ≤５ＭｅＶ和不对称度δ≤０．２时，可以近似写成σ（Ｔ，δ）＝σ０（Ｔ）［１＋Ｋ（Ｔ）δ２］，其中σ０（Ｔ）和Ｋ（Ｔ）可以拟合成温度Ｔ的二次函数．     

CO—N2O反应的相应及其动力学特征的蒙特卡罗模拟研究

用蒙特卡罗方法模拟研究了单晶表面上ＣＯ－Ｎ２Ｏ的催化反应，模拟结果表明：（１）在没有速控步骤和不考虑表面物种的脱附和扩散的条件下，仅当Ｘ∞＝ＸＮＯ时，反应才能连续稳定进行；引入ＣＯ的脱附后，反应的稳态窗口变为ＸＮＯ〈ＸＣＯ〈１．０，当同时引入ＣＯ和Ｎ２Ｏ的脱附时，反应的稳态窗口进一步增大为０〈Ｘ∞〈１．０，（２）假定反应的速控步骤为Ｎ２Ｏ的解离时，模拟得到Ｎ２Ｏ和ＣＯ的反应级数分别为＋１．１２和－     

用能带理论计算清洁Ag（111）,Ag（110）和Ag（001）表面的弛豫

用一维能带理论计算了清洁Ａｇ（１１１），Ａｇ（１１０）和Ａｇ（００１）表面的弛豫。计算结果显示出，当ｄ１＝２．６４０（膨胀４．２％）和ｄ２＝２．９２０（膨胀２３．８％）〔对ｎｇ（１１１）〕；ｄ１＝１．３７５±０．００８（收缩４．８％±０．００８）［对Ａｇ（１１０）」；ｄ１＝２．０４８±０．００５（膨胀０．２４％±０．００５）［对Ａｇ（００１）〕时，理论计算的ＬＥＥＤ谱与实验非常一致。     

分子转动惯量与正烷烃熔沸点的预测

在分子转动模型基础上,以半经验分子轨道（ＡＭ１）方法计算分子的转动惯量及其它结构参数,获得１５个正烷烃的沸点和熔点的多元线性回归方程。其中正烷烃的沸点与短轴转动惯量（ｃ）和碳原子数（ｎ）相关（ｂｐ＝－１４７．－０．０１１８９ｃ＋３６．１７ｎ,Ｒ＝０．９９８５,ＳＤ＝６．９７）,而熔点与分子的长轴转动惯量（ａ）、短轴转动惯量（ｂ,ｃ）及重定向能（Ｅ）相关（ｍｐ＝－２６０．３＋１５．７０ａ＋１９．７４     

46．7MeV／u~（12）C轰击~（197）Au、~（115）In、~（58）

用气体电离室－半导体位置灵敏探测器望远镜测量了４６．７ＭｅＶ／ｕ（１２）Ｃ离子轰击（１９７）Ａｕ，（１１５）Ｉｎ，（５８）Ｎｉ靶时，在大角区发射的从Ｌｉ到Ｍｇ的复杂碎片能谱；由各碎片的能谱提取了蒸发源的温度和碎片发射的最可几动能Ｅｐ，并与＝Ｖｃｏｕｌ＋２Ｔ计算的平均动能进行了比较，发现实验上提取的最可几动能Ｅｐ总是低于计算的．用Ａ．Ｆｒｉｅｄｍａｎ简单的统计公式对复杂碎片的产额进行粗糙拟合，拟合结果令人满意．     

半磁半导体Zn_（1－x）Mn_xS中的能量传递

本文测量了Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳ在不同Ｍｎ浓度（０．００１＜ｘ＜０．５）下的发射谱和衰减曲线，并且用Ｙｏｋｏｔａ和Ｔａｎｉｍｏｔｏ模型进行了分析在对４Ｔ１衰减曲线进行拟合时发现衰减曲线是两种不同弛豫过程之和：（１）孤立的Ｍｎ２－离子的４Ｔ１衰减，它确定衰减曲线的尾部，有较长的衰减寿命；（２）Ｍｎ２－离子聚集体（例如Ｍｎ２－离子对）的４Ｔ１衰减，这种衰减比单个Ｍｎ２－离子的衰减更快．我们深入分析了在ｘ＝０．０６２，Ｔ＝８０Ｋ时的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳ的发射谱及其衰减曲线，得到两个衰减寿命：τ１＝７０μｓ，τ２＞１０００μｓ，这表明在高Ｍｎ浓度时存在着两个弛豫过程：一个是较快的，另一个则是较慢的，根据Ｇｏｅｄｅ等人的实验结果可以断定较慢的过程来自孤立的Ｍｎ２－离子，那么便可以判知较快的过程是来源于Ｍｎ２－离子对．正是高Ｍｎ浓度下的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳ中存在着Ｍｎ２＋－Ｍｎ２＋离子对，在其间有能量迁移以及它和能量受主之间的能量传递造成了该体系中的ＩＲ发射．     

＝4．03GeV下τ~±→π~＋π~－π~±υ_τ衰变的测量

利用北京谱仪（ＢＥＳ）在４．０３ＧｅＶ正负电子对撞能量下获取的数据，［研究了，τ＋τ－产生过程．借助双标记方法分析了τ±→π＋π－π±υτ衰变事例．测定分支比Ｂｒ（τ±→ａ１±υτ→ρ０π±υτ，ρ０→π＋π－＝（７．３±０．５）％，Ｂｒ（τ±→Ｋ＊±υτ→Ｋｓ０π±υτ，Ｋｓ０→π＋π－）＝（０．６±１．５）×１０－３．并由Ｄａｌｉｚ投影分布的分析，确认ａ１的主要衰变方式ρπ．同时，也观察到ａ１衰变中以Ｓ波贡献为主的现象．采用Ｋｕｈｎ模型拟合实验数据，得到：ｍａ１＝１．２４±０．０２ＧｅＶ，Γａ１Ｔ＝０．５７±０．０７ＧｅＶ．     

乙烯基吡咯烷酮－醋酸乙烯酯共聚物对1－苯胺基萘－8－磺酸盐水溶液的荧光特性的影响

将荧光探针１－苯胺基萘－８－磺酸盐（ＡＮＳ）加入到乙烯基吡咯烷酮（ＶＰ）－醋酸乙烯酯（ＶＡＣ）共聚物溶液中，共聚物组成分别为ＦＶＰ＝０．８４；０．７４；０．７０；０．５５（以乙烯基吡咯烷酮结构单元的分子数表示）。实验结果表明：ＶＰ－ＶＡＣ共聚物对ＡＮＳ水溶液的荧光强度增强效应与共聚物中乙烯基毗咯烷酮在链节中的比例有关，其组成为ＦＶＰ＝０．５５的共聚物对ＡＮＳ水溶液有显著的荧光增强效应，相对荧光强度比ＰＶＰ均聚物大一倍，而其他组成的共聚物／ＡＮＳ溶液的相对荧光强度只与溶液中ＶＰ结构单元的含量有关。这种现象说明接近等分子比的乙烯基吡咯烷酮－醋酸乙烯酯共聚物与ＡＮＳ分子间形成的过渡态结构有利于能量转移，能产生较高的量子收率，可作为电子转移反应能量转移介质。在生化反应中，可模拟酶反应机理，因而有一定的理论意义和实际意义。     

斜率与截距比的标准差估计的三种方法

斜率与截距比的标准差估计的三种方法朱鹤年（清华大学北京１０００８４）物理实验中运用直线拟合方法时被测量往往是斜率与截距之比，如电阻温度系数ａ’是直线方程Ｒ＝Ｒ０（１＋αＲｔ）中的斜率截距比，空气相对压力系数αｐ是方程ｐ＝ｐ０（１＋αｐｔ）的斜率截距比...     

用低能电子衍射研究ⅢA—VA化合物{110}表面吸附Sb和Bi的表…

用低能电子衍射研究了Ｓｂ和Ｂｉ吸附在ＩｎＰ｛１１０｝和ＧａＡｓ｛１１０｝表面上表面结构。结果显示出：对Ｓｂ／ＩｎＰ｛１１０｝，表面原子层间距：ｄ１＝０．２７±０．２３Ａ（膨胀９．４％±０．０２Ａ）；旋转角ω１为－１０．７７°±２．２９°和ω２为１５．２６°±０．８２°；吸附键长ｌｃ１－Ａ＝２．８４±０．０５Ａ，ｌｃ２－Ｂ＝２．７５±０．０２Ａ，其键角α＝１０１．２１°±２．１°，β＝１０７．８６°     

低压－金属有机物汽相外延生长的Ga＿（1－x）In＿xAs／InP激光器中深能级的研究

应用深能级瞬态谱（ＤＬＴｓ）技术详细研究低压－金属有机物汽相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）生长的Ｇａ＿（０．４７）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｓ／Ｉｎｐ量子阱、宽接触和质子轰击条形异质结激光器中的深能级。样品的ＤＬＴＳ表明，在宽接触激光器的ｉ－Ｇａ＿（０．４７）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｓ有源层里观察到Ｈ１（Ｅ＿ｖ＋０．０９ｅＶ）和Ｅ１（Ｅ＿ｃ－０．３５ｅＶ）陷阱，它们可能分别与样品生长过程中扩散到ｉ－Ｇａ＿（０．４７）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｓ有源层的Ｚｎ和材料本身的原生缺陷有关。而条形激光器的ｉ－Ｇａ＿（０．４７）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｓ有源层的Ｈ２（Ｅ＿ｖ＋０．１１ｅＶ）和Ｅ２（Ｅ＿ｖ－０．４２ｅＶ）陷阱则可能是Ｈ１和Ｅ１与质子轰击引起的损伤相互作用的产物。     

406.7—415.4nm和632.8nm辐射在人肺组织中的穿透深度

在对作者原有工作改进的基础上，应用自行研制的“光纤探针深度计”首闪精确了Ｋｒ＾＋紫激光４０６．７－４１５．４ｎｍ和Ｈｅ－Ｎｅ激光６３２．８ｎｍ，波长年新鲜离体人肺组织中光能流率分布，获得这一定两种重要波长处人肺正常组织和人肺腺鳞癌组织中光能流率的分布规律及光穿深度的数值：（１）δｎｏｅｒｍａｌ＝０．０８ｍｍ，δｔｕｍｏｕｒ＝０．３２ｍｍ；（２）δｎｏｒｍａｌ＝１．１９ｍｍ，δｔｕｒｍｏｕｒ＝１．７