Eu2+掺杂浓度对BAM光谱特性的影响

采用燃烧法在低温成功合成了纳米Ba1-xMgAl10O17:xEu2 (0.05≤x≤0.4)蓝色荧光粉,着重研究了Eu2 掺人量对荧光粉光谱特性的影响.利用XRD和SEM对材料的物相和形貌进行了分析,采用荧光光谱仪测定了样品的发光特性.结果表明,合成的产物为纯相,且颗粒细小、分布均匀,平均粒径约30 nm.Eu2 的掺杂浓度对样品的发光性能有显著的影响,随Eu2 浓度增大,发光中心增多,Eu2 离子间相互作用增强,能量传递加快,发光强度逐渐增大.当Eu2 浓度为x=0.2时,能量传递速率与发射速率相等,Euz 的发光达到最大值;此后,随Eu2 的浓度进一步增加,Eu2 之间的能量传递速率将超过发射速率,Eu2 还未将光发射出去就发生能量的传递,使激发能通过晶格的迁移而消耗,呈现浓度猝灭特性.     

Zn^2＋对DNA稳定性影响的喇曼光谱研究

利用喇曼光谱技术研究了不同摩尔浓度的Zn2+对DNA结构稳定性的影响.结果表明,当Zn2+/PO2- ≤2.0时,Zn2+与DNA磷酸基团上的氧原子结合,形成-PO2-…Zn2+…N7(G)螯合物,这种螯合作用增强了GC 碱基对之间的氢键能量,使得GC碱基对更加稳定;此外,在低浓度情况下,Zn2+还会与腺嘌呤A上的N3结合, 而与A上N3的结合只对AT碱基对有轻微的扰动.当Zn2+/PO2->2.0时,大量的Zn2+开始与胞嘧啶C上的 N3-O2螯合以及与DNA中A上的N1结合,Zn2+与C上的N3-O2的螯合,打断了GC碱基对之间的氢键;与A 上的N1结合时,AT碱基对之间的氢键也被打断.因此,低浓度的Zn2+对DNA的构像起着稳定性作用,但是高浓 度的Zn2+则破坏了DNA构象的稳定性.在高浓度的Zn2+ DNA溶液中,GC受损比AT更为严重,部分C甚至经 过脱氨基现象转化成了T,碱基配对被解开,DNA结构变得不稳定,其主链的几何形状和次级结构发生变化,不 再是一个典型的B型DNA,而是一个修饰过的B′型DNA.     

DNA温度效应的Raman光谱研究

测定了不同温度下DNA纤维和溶液的拉曼光谱。结果表明: 当温度变化时, 碱基、磷酸根等特征振动都不同程度的受到影响, 谱线强度、频率随温度呈非线性变化。在所有的振动模式中, 腺嘌呤A的特征振动受到温度的影响最大。除了磷酸根的谱线1 101 cm-1以外, 其余谱线的波数变化均随温度的升高向低波数移动, 而且波数的移动主要集中在变性峰的起始点70 ℃左右。另外还讨论了拉曼谱线强度随温度的变化关系, 得到了38,82 ℃(纤维为85 ℃)2个峰, 其中38 ℃与DNA的功能活跃区有关, 82 ℃(和85 ℃)为DNA的变性点, 与DSC(差示扫描量热法)的测量结果一致。     

Pb2+对α-淀粉酶活性的影响及其光谱学研究

在α 淀粉酶介质中加入Pb2 ,通过光谱学手段研究Pb2 对α 淀粉酶活性影响的作用机理。结果表明低浓度的Pb2 对酶有激活作用 ,高浓度则严重抑制酶活性。在高浓度下 ,Pb2 能完全竞争出α 淀粉酶中的Ca2 而结合到了α 淀粉酶上 ,其EXAFS的测试表明Pb2 与氨基酸残基上的羧基氧发生了配位 ,配位数为 2 ,Pb—O键长为 0 2 34nm。圆二色 (CD)谱测试表明 ,高浓度的Pb2 结合使α 淀粉酶的二级结构被破坏 ,α 螺旋含量、β 转角及无规则卷曲大量下降 ,β 折叠、二硫键含量大量增多 ,Pb2 的这种完全结合致使酶的构象改变 ,形成无效的酶 Pb2 底物复合物 ,因而使酶失去活性。     

DNA酶裂解-纳米金共振瑞利散射光谱法测定痕量Cu2+

在pH 7.0HEPES(4-羟乙基哌嗪乙磺酸)缓冲溶液中和0.19mol.L-1 NaCl存在下,单链底物DNA(SS)和酶链DNA(ES)在80℃杂交形成双链DNA(dsDNA)。Cu2+可切割dsDNA中的底物链释放出单链DNA(ssDNA),此ssDNA与金纳米粒子(NG)作用形成NGssDNA结合物不被NaCl聚集,而未保护的NG聚集形成较大粒径的聚集体(NGA),在627nm处有一个较强的共振瑞利散射峰。随着Cu2+浓度的增大,该共振瑞利散射峰降低,其降低值ΔI与Cu2+浓度在15～1 250nmol.L-1范围呈线性关系,其回归方程为ΔI=0.17c-2.3,线性相关系数为0.989 5,检出限为8nmol.L-1。据此建立了一个高灵敏、高选择性、简便测定Cu2+的共振瑞利散射光谱分析法。该法用于水样中Cu2+的检测,结果满意。     

电荷补偿对Sr2SiO4∶Eu3+材料光谱特性的影响

采用溶胶-凝胶法制备了Sr2SiO4∶Eu3+发光材料.测量了Sr2SiO4∶Eu3+材料的激发与发射光谱,发射光谱主峰位于618 nm处;监测618 nm发射峰时,所得材料的激发光谱主峰分别为320 nm、397 nm、464 nm和518 nm.研究了Sr2SiO4∶Eu3+材料发射峰强度随电荷补偿剂Li+、Na+和K+掺杂浓度的变化情况.结果显示,随电荷补偿剂浓度的增大,材料发射峰强度均表现出先增大后减小的趋势,但不同电荷补偿剂下,材料发射峰强度最大处对应的补偿剂浓度不同,补偿剂Li+、Na+和K+的浓度分别为8 mol%、7.5 mol%和7 mol%.     

荧光法研究Pb2+与牛血清白蛋白的相互作用

在模拟生理条件下, 用荧光光谱法研究了Pb2+与牛血清白蛋白(BSA)的相互作用. 结果表明 BSA分子中色氨酸和酪氨酸残基具有荧光发射性质, 以283 nm激发BSA, 在341 nm处有很强的荧光发射. 在加入Pb2+ 后, 发现Pb2+-BSA强荧光峰的位置不变, 但荧光强度随着Pb2+浓度的增大而明显减弱, 说明Pb2+对BSA有荧光猝灭现象, 猝灭以静态猝灭为主, 由Stern-Volmer方程求得Pb2+表观猝灭常数Kq=9.5×1012 L·mol-1·s-1. Pb2+主要与BSA中的N配位形成21配合物, 表观络合常数lgK=11.61.     

THz辐射在DNA光谱研究中的应用

太赫兹(THz)辐射是一种新型的远红外相干辐射源,近年来在不同的研究领域中得到了广泛的应用,许多研究表明THz脉冲光谱学在生物和医学方面具有潜在的应用前景。文章简要介绍了THz辐射产生和探测的基本原理和方法;阐述了THz辐射在生物学和DNA分子光谱学研究的物理基础;讨论应用THz辐射研究DNA取得的成果及最新进展,展望应用THz辐射研究DNA分子的前景。     

Tb3+荧光离子探针检测三链DNA的形成

Tb^3 本身具有荧光,Tb^3 和DNA结合后仍具有荧光,荧光强度不仅与DNA中碱基的种类有关,而且还与DNA是单链、双链还是三链有关。文章用Tb^3 离子作为荧光探针,检测了三链DNA的形成。实验结果表明：polydA和Tb^3 结合后的荧光强度大于polyd T和Tb^3 结合后的荧光强度。说明荧光强度和碱基的种类有关。实验结果还显示Tb^3 在与三链DNA作用后的荧光光谱的谱峰位置与单链及双链DNA的荧光光谱的谱峰位置基本相同,但是其强度差异明显。Tb^3 与单链DNA作用后的荧光强度最大,三链次之,Tb^3 与双链DNA作用后的荧光强度最弱。通过测定荧光强度的变化研究了三链DNA的形成和pH、金属离子对形成三链DNA的影响。pH中性和高价阳离子的存在有利于三链DNA的形成。     

黄土区金盏菊幼苗根部细胞壁对Pb/Cd复合胁迫响应的FTIR和Raman光谱

植物修复法是新兴的重金属污染土壤修复手段,也是未来极富应用潜力的主流技术之一。植物根部细胞壁作为重金属/土壤/植物相的交界面,天然地成为修复效能调控过程的关键部位和信号通道。植物细胞壁与重金属离子的作用行为具有物理化学和生理生化的双重属性,但以光谱技术为切入点,原位解析植物根部细胞壁对土壤重金属离子的响应关系还不多见。以黄土区修复植物金盏菊幼苗为研究对象,分析Pb/Cd复合胁迫对其根部细胞壁形貌的影响,借助X射线荧光光谱(XRF)、X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)和拉曼光谱(Raman)揭示细胞壁对Pb/Cd胁迫的响应信号。结果发现:Pb/Cd胁迫导致金盏菊根部细胞壁弯曲萎缩,表面分布若干点状深色沉积物颗粒;XRF证实细胞壁Pb/Xd含量增加,但XRD图谱没有发现典型Pb/Xd结晶峰。FTIP图谱中—OH振动峰定位于3 416 cm~(-1)处,表明Pb/Cd离子与—OH间可能存在配位键合;1 701和1 593 cm~(-1)处的特征峰分别移动到1 736和1 618 cm~(-1),说明Pb/Cd胁迫改变了金盏菊根部细胞壁蛋白质结构属性。Raman光谱中2 960 cm~(-1)附近峰强增加,暗示Pb/Cd胁迫影响了细胞壁纤维素分子排列方向。可以认为,细胞壁组分(果胶、蛋白质、纤维素等)和典型官能团(—OH,N—H,C=O等)对于减缓Pb/Cd胁迫引起的金盏菊根部细胞壁毒害效应贡献较大。     

白光LED用Ba2B2P2O10:Eu2+绿色荧光粉的光谱特性

采用高温固相法制备了一种适于近紫外光激发,发射绿光的Ba2B2P2O10:Eu2+材料,并研究了材料的发光性质.Ba2B2P2O10:Eu2+材料的发射光谱为一峰值位于522 nm的非对称单峰宽谱;监测522 nm发射峰,所得激发光谱覆盖300～450 nm,主峰位于381 nm,为Eu2+的5d---→4f跃迁特征激...     

Pb2,PdPb2分子的势能函数

采用Gaussian 98程序,运用B3LYP方法,对Pd和Pb原子采用收缩价基组LANL2DZ,对Pb2和PdPb2分子的微观结构进行了理论计算.由于Pb2分子离解后一个Pb原子处于基态,另一个Pb原子处于激发态,采用最小二乘法拟合Pb2分子的势能函数.选用的函数形式为Murrell-Sorbie势能函数加上开关函数.使用多体展式理论导出了势函数中的参数进而给出PdPb2分子基态势函数的解析表达式,其势能面准确地复现了PdPb2分子的两个稳定构型(C2V和C∞v)及其能量关系.     

SrAl2O4：Eu2+的长余辉发光特性的研究

本文研究了SrAl2O4:Eu2+材料的发光及长余辉特性.首次得到了这一材料的发光衰减由初始的快衰减和后期的慢衰减过程所组成,以及热释发光光谱出现两个热释发光峰值的实验结果.对所得结果进行了分析讨论,提出了这一材料的发光衰减是由两个足够深的电子陷阱所引起.     

MgF2单晶的THz光谱研究

利用THz时域光谱技术对MgF2晶体(样品1)和MgF2:Co晶体(样品2)在0.5-2.5THz的吸收特性进行了研究.在0.5-2.5 THz波段,样品1吸收系数α(ν)随频率ν增加而增大,最大值为24 cm-1.样品2的吸收系数比样品1大得多,Co掺杂使晶格吸收带边向低频移动,而且样品2在1.9THz有吸收峰,吸收系数达到70 cm-1,由此求出F--Co2+离子键伸缩振动的键力常数K为3.40×10-2 N/cm.这一结果表明,THz光谱分析有可能成为研究晶体化学键的一种重要手段.利用光学常数之间的关系计算了两个样品在0.5-2.5 THz的介电函数的实部ε1(ν),得到样品1的ε1(ν)值在4.67至4.73之间,样品2的ε1(ν)值在4.62至5.01之间.     

Sr3SiO5:Eu2+材料光谱特性研究

采用高温固相法制备了用于白光LED的Sr3SiO5:Eu2+材料.研究了合成温度及Sr/Si对样品光谱特性及结构的影响.结果显示,随合成温度的升高或Sr/Si的减小,样品的主发射峰均产生了明显的红移,同时,样品的晶体结构也受到了影响.利用InGaN管芯激发Sr3SiO5:Eu2+材料,表现出显色性较好的白光发射光谱,色坐标为(x=0.348,y=0.326).     

白光LED用Ba2B2P2O10∶Eu2+绿色荧光粉的光谱特性

采用高温固相法制备了一种适于近紫外光激发,发射绿光的Ba2B2P2O10∶Eu2+材料,并研究了材料的发光性质.Ba2B2P2O10∶Eu2+材料的发射光谱为一峰值位于522 nm的非对称单峰宽谱|监测522 nm发射峰,所得激发光谱覆盖300~450 nm,主峰位于381 nm,为Eu2+的5d→4f跃迁特征激发谱带.利用van Uitert公式计算了Eu2+取代Ba2B2P2O10中Ba2+时所占晶体学格位,得出507 nm和542 nm发射峰分别归属于八配位和六配位的Eu2+发射.研究发现,Eu2+浓度对Ba2B2P2O10∶Eu2+材料的发射强度有影响,并判断出Eu2+在Ba2B2P2O10中发射的自身浓度猝灭机理为电偶极-电偶极相互作用.     

温度对功率LED光谱特性的影响

制备了两种1 w白光功率发光二极管(LED),这两种样品分别是对台湾和美国两家公司生产的蓝光芯片,涂敷相同荧光粉和透明硅胶封装而成.对制备好的LED进行了变温光学特性测试,温度变化范围为15～75℃,测试电流为350 mA.结果表明:温度变化对LED的峰值波长,辐射通量、色温等参数都有影响.通过对光谱曲线的数据处理,找...     

Ar2H+ 分子振动光谱的理论计算

基于近期由本组提供的Ar2 H+ 分子的基态势能面 ,应用含时波包演化方法 ,计算了总角动量J =0时的振动光谱 ,并对其中的一些谱峰进行了指认 .与现有的abinitio结果进行比较 ,这个新势能面包含了关于Ar2 H+ 基态的比较正确的信息     

Cr2+: ZnS和Fe2+: ZnS光谱特性的比较研究

基于密度泛函理论和投影平面波方法,采用第一性原理对比分析了Cr2+: ZnS和Fe2+: ZnS 的电子结构和光学性能。晶体中二价掺杂离子的态密度、能带结构和几何优化由广义梯度近似的PBE描述。Cr2+: ZnS和Fe2+: ZnS的近中红外光谱表明,特征吸收来自于局域激发的d和p-d杂化轨道之间的跃迁,Fe2+: ZnS的中心跃迁能量比Cr2+: ZnS的要低,红移0.34 eV;分别制备了Cr2+: ZnS和Fe2+: ZnS晶体,并测得了Cr2+: ZnS和Fe2+: ZnS的吸收光谱,证实了Fe2+: ZnS的特征吸收峰较Cr2+: ZnS红移0.34 eV。     

磁耦合Mn2+-Mn2+离子对发光行为研究进展

过渡金属Mn2+掺杂的半导体/绝缘体作为发光材料在照明、显示等领域具有重要应用.Mn2+离子具有5个未成对的d电子,掺杂在发光材料中通常具有高自旋态,其容易与近邻的Mn2+离子发生交换或超交换作用即磁相互作用.此类相互作用可在分子尺度下对电子自旋产生很强的束缚能力,使得磁耦合Mn2+-Mn2+离子对的发光行为不同于孤立...