绿色荧光粉YAGG∶Tb,Gd用于FED的尝试

FED器件的发展迫切需要具有化学和热稳定性 ,高亮度 ,长寿命的新型荧光材料。本文合成了Gd3 +离子共掺杂的YAGG∶Tb获得了YAGG∶Tb ,Gd ,并将其用于 0～ 30 0 0V低压范围 ,对其在不同电压和电流密度下的发光特性进行了测试。结果表明 ,该种材料特性优于ZnO∶Zn并且不存在电压与电流饱和     

YAGG:Tb纳米荧光粉的制备和分析

YAGG：Tb微米荧光粉具有良好的发光特性,在投影电视中具有广泛的应用,在FED等新型平板显示中也有良好的应用前景。与图像清晰度有密切关系的是荧光粉的粒径大小,粒径越小分辨率越高,纳米荧光粉可提高图像的分辨率,使图像更清晰。但目前还未见有关YAGG：Tb纳米荧光粉的报道,把这种荧光粉纳米化具有重要的实际意义。概述了用尿素溶胶法制备YAGG：Tb纳米荧光粉,这一方法与其他的合成方法相比具有很多的优点,是一种无机合成的方法,能够得到纳米级的超细荧光粉。最后通过X射线对其进行了晶体分析,用扫描电镜进行了形貌分析,测量了在电子束激发下的发射光谱,并对实验结果进行了讨论。     

Tb3+∶YAG单晶荧光层中掺杂Ga3+的荧光敏化作用

采用液相外延工艺成功制备了Tb3 + ∶YAGG单晶荧光层 ,研究了Tb3 + 激活YAG主晶格外延层中Ga3 + 掺杂的荧光敏化效应 ,可以看到在Tb3 + 荧光得到显著增强的同时 ,外延荧光层发光的饱和特性也有所改善。实验中观察到了Ga3 + 掺杂后基质晶体吸收边缘向长波方向展宽 ,并与Tb3 + 的7F6 9E、7E典型吸收峰发生交叠的现象 ,用基质与Tb3 + 之间的声子耦合解释了上述Tb3 + ∶YAGG外延层中所存在的能量传递、荧光敏化现象。基质与掺杂激活中心间能量传递机制的建立将会为基于YAG主晶格的高效荧光材料研究提供一个新的思路。     

YAGG∶Tb纳米荧光粉的制备和分析

YAGG∶Tb微米荧光粉具有良好的发光特性,在投影电视中具有广泛的应用,在FED等新型平板显示中也有良好的应用前景。与图像清晰度有密切关系的是荧光粉的粒径大小,粒径越小分辨率越高,纳米荧光粉可提高图像的分辨率,使图像更清晰。但目前还未见有关YAGG∶Tb纳米荧光粉的报道,把这种荧光粉纳米化具有重要的实际意义。概述了用尿素溶胶法制备YAGG∶Tb纳米荧光粉,这一方法与其他的合成方法相比具有很多的优点,是一种无机合成的方法,能够得到纳米级的超细荧光粉。最后通过X射线对其进行了晶体分析,用扫描电镜进行了形貌分析,测量了在电子束激发下的发射光谱,并对实验结果进行了讨论。     

发光材料、荧光材料

采用液相外延工艺成功制备了Tb3 ,YAGG单晶荧光层,研究了Tb, 激活YAG主晶格外延层中Ga3 掺杂的荧光敏化效应,可以看到在Tb"十荧光得到显著增强的同时,外延荧光层发光的饱和特性也有所改善。实验中观察到了Ga"十掺杂后基质晶体吸收边缘向长波方向展宽,并与Tb3 的'F。一,E、7E典型吸收峰发生交叠的现象,用     

YAG基质中Ce对Tb3+离子发光特性的影响

实验中发现,在YAG:Tb中加入痕量Ce后,可以使Tb3+离子5D4→7F跃迁显著增强,因而,改变了发射光谱的能量分布,提高了发光亮度,改善了电流和电压特性,揭示了改进和提高商用P53磷光体发光特性的可能性。实验表明,这种增强作用是由于Ce3+→Tb3+离子的能量传递所致。讨论了Ce3+→Tb3+能量传递机理,分析了传递过程。     

Tb^3＋：YAG单晶荧光层中掺杂Ga^3＋的荧光敏化作用

采用液相外延工艺成功制备了Tb^3 ：YAGG单晶荧光层，研究了Tb^3 激活YAG主晶格外延层中Ga^3 掺杂的荧光敏化效应，可以看到在Tb^3 荧光得到显著增强的同时，外延荧光层发光的饱和特性也有所改善。实验中观察到了Ga^3 掺杂后基质晶体吸收边缘向长波方向展宽，并与Tb^3 的^7Fe6-^9E、^7E典型吸收峰发生交叠的现象，用基质与Tb^3 之间的声子耦合解释了上述Tb^3 ：YAGG外延层中所存在的能量传递、荧光敏化现象。基质与掺杂激活中心间能量传递机制的建立将会为基于YAG主晶格的高效荧光材料研究提供一个新的思路。     

一种新型稀土配合物Tb(m-benzoicacid)3的发光特性的研究

研究了一种新型稀土配合物发光材料 ,对苯甲酸铽Tb(m benzoicacid) 3 的发光特性。以这种材料为掺杂剂 ,聚乙烯咔唑 (PVK)为基质材料制备了薄膜器件。通过对光谱的研究 ,发现在掺杂体系中 ,PVK与Tb(m benzoicacid) 3 之间存在有效的能量传递 ,能量传递效率与铽配合物的掺杂浓度有关 ,随着Tb配合物的掺杂浓度的增加 ,Tb的特征发光在掺杂体系中所占比重也相应增加 ,而PVK的发光相对明显减弱 ,当Tb(m benzoicacid) 3 :PVK的质量比高于 2 0 %时 ,整个体系的发光变为以Tb的发光为主 ,而PVK的发光基本猝灭了。以PVK :Tb(m benzoicacid) 3 掺杂体系为发光层 ,八羟基喹啉铝 (Alq)为电子传输层 ,制备了双层电致发光器件 ,器件的结构为ITO/PVK :Tb(m benzoicacid) 3 /Alq/LiF/Al,该器件的电致发光为三价铽离子的特征发光 ,在 2 1V的电压下 ,亮度可达 311nt。     

LaOBr:Ce,Tb中Ce3+对Tb3+发光的影响

近年来人们对LaOBr:Tb的合成及其发光特性的研究日益增多。LaOBr:Tb不仅是良好的X光增感屏材料,也是较好的阴极射线发光材料。为了进一步提高它的亮度,降低了b的含量(因Tb很贵),寻求LaOBr中Tb3+发光的敏化剂是很重要的。     

核-壳结构ZnS:Tb/CdS纳米晶的电致发光

利用微乳液方法合成出粒径为4nm的核．壳结构ZnS：Tb／CdS纳米晶。用XRD、TEM及荧光光谱等手段对合成的纳米晶的结构、形态和光学特性分别进行了表征。将ZnS：Tb／CdS纳米晶制作成有机-无机杂化结构电致发光器件,其结构为ITO／poly（3,4-ethylene dioxythiophene）：poly（styrene sulfonate）（PEDOT-PSS）（70nm）／poly（vinyleobarzale）（PVK）（100nm）／ZnS：Tb／CdS纳米晶（120nm）／2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline（BCP）（30nm）／LiF（1．0nm）／Al（100nm）。当驱动电压为13V时,可以测到Tb^3＋离子的两个特征峰。在电致发光光谱中未测到聚合物PVK的发光,说明电子和空穴是在纳米晶层上复合的。当驱动电压为25V时,得到器件的最大亮度为19cd／m^2。