非常规铜离子敏感碳糊电极的研究

非常规铜离子敏感碳糊电极的研究胡效亚,冷宗周（扬州大学师范学院化学化工系,扬州,２２５００２）关键词电位法,碳糊电极,铜离子,铜离子选择性铜离子选择电极的研究已有大量报道［１～３］,并被广泛用于各种样品的分析［４～６］,但它的响应斜率都在３０ｍＶ／ｄ...     

离子选择电极分析中电脑数据处理的计量化学原理

离子选择电极分析中对所测数据要进行一些计算才能给出结果。为了方便实验,为了准确地处理所测数据以及从中得到更多的有用信息,则必须进行电脑数据处理。为此,国内外展开了一系列的研究工作。各种各样的处理方法在实验中得到了成功的应用。但就     

SILAR法制备化学计量CuInS_2薄膜

在室温下,以不同cCu/cIn的CuCl2和InCl3混合溶液作为阳离子前驱体,Na2S水溶液为硫源,利用连续离子层吸附反应法(SILAR)在玻璃基底上制备了CuInS2薄膜。XRD结果表明,当cCu2 /cIn3 在1￣1.5范围内均可形成具有黄铜矿结构的CuInS2薄膜。SEM观察到随cCu2 /cIn3 的升高,薄膜表面颗粒长大并出现团簇聚集。通过XPS测定薄膜表面的化学组成证明当cCu2 /cIn3 =1.25时,CuInS2薄膜接近其标准的化学计量组成。此时薄膜的吸收系数大于>104cm-1,禁带宽度Eg为1.45eV。     

掺铜TiO2光催化剂光催化氧化还原性能的研究

利用浸渍法制备了掺铜二氧化钛光催化剂,分别以乙酸降解和二氧化碳还原反应为探针,研究了催化剂的光催化氧化光催化还原性能.结果表明,铜掺杂能显著提高催化剂的光催化性能;结合光电子能谱、X光衍射分析等物理表征结果,对铜掺杂改性机制进行了讨论.     

F离子掺杂TiO2的性能研究

以NH₄F为掺杂剂,采用溶胶-凝胶法制备F离子掺杂型TiO₂光催化剂,对其进行XRD、XPS和PL表征,结果表明,F离子掺杂TiO₂由于Ti-F配位体的形成而能抑制金红石相的生成,同时F离子掺杂能增加TiO₂表面缺陷浓度并降低Ti_2P键的结合能,另外,由于F离子能取代Ti-OH配位体而降低了表面羟基氧浓度.光催化研究结果表明,F离子掺杂提高了TiO₂光催化活性近1.5倍.     

SILAR法制备化学计量CuInS2薄膜

在室温下，以不同c_Cu/c_In的CuCl₂和InCl₃混合溶液作为阳离子前驱体，Na₂S水溶液为硫源，利用连续离子层吸附反应法(SILAR)在玻璃基底上制备了CuInS₂薄膜。XRD结果表明，当c_Cu²⁺/c_In³⁺在1～1.5范围内均可形成具有黄铜矿结构的CuInS₂薄膜。SEM观察到随c_Cu²⁺/c_In³⁺的升高，薄膜表面颗粒长大并出现团簇聚集。通过XPS测定薄膜表面的化学组成证明当c_Cu²⁺/c_In³⁺=1.25时，CuInS₂薄膜接近其标准的化学计量组成。此时薄膜的吸收系数大于>10⁴ cm^-1，禁带宽度E_g为1.45 eV。     

TiO2薄膜光催化还原Hg2+的研究

采用溶胶法制备出TiO2、SO42-/TiO2、CdS/TiO2薄膜光催化剂,研究了TiO2薄膜光催化还原Hg2+的最佳实验条件以及SO42-/TiO2、CdS/TiO2薄膜与TiO2薄膜、TiO2粉体与薄膜之间的光催化活性差异.结果表明:当pH=5.34时,经30 min紫外光照射,Hg2+的还原率达到最大;Hg2+初始浓度越高,光致还原量越低;光源波长越短,Hg2+的还原率越高;当甲醇添加量达到15%(体积比)时,反应30 min后,Hg2+的还原率即达100%;CdS改性薄膜的光催化活性高于未改性薄膜;CdS/TiO2薄膜的光催化活性略高于粉体.     

铂电极对铜和银非电对离子瞬时响应信号的研究

用活度阶梯变化法测量了铂电极对Ｃｕ＾２＋、Ａｇ＾＋的瞬时响应信号为单峰类型，并且在一定浓度范围呈Ｎｅｒｎｓｔ关系。进一步证实了平衡时间子交换产物的摩尔分数Ｓｅｑ值对瞬时响应信号类型的影响。     

纳米TiO2电极的特殊光电化学响应

应用涂膜法、电沉积法和溶胶-凝胶法制备纳米TiO2电极.实验发现,纳米TiO2具有特殊的光电化学响应,其光电流~电位变化出现光电流峰,这一特殊的光电化学性质乃与纳米半导体电极的纳米结构及其特殊的光诱导氧化还原反应机理密切相关.     

离子液体中纳米TiO2/聚3-甲基噻吩复合膜的制备及性质研究

采用溶胶凝胶法制成了纳米TiO2电极,在离子液体中将其应用于3-甲基噻吩的电化学聚合,采用循环伏安法(CV),在线紫外可见光谱(UV-Vis),扫描电镜(SEM)和电化学阻抗谱(EIS)对TiO2/聚3-甲基噻吩(TiO2/PMT)复合膜进行了表征并研究了其电化学性质.实验证明,不论是用循环伏安法,恒电位,还是恒电流方法,都能在电极上得到聚3-甲基噻吩(PMT)膜,并伴随有明显的掺杂和去掺杂过程.对应的在线紫外可见光谱上,也出现了氧化和还原两种不同的吸收状态,还原(去掺杂)过程中在480 nm处有一个吸收峰,而氧化(掺杂)过程中此峰消失,取而代之的是一个可见光区的逐渐增强的吸收.PMT膜是P型半导体,TiO2是n型半导体,两者之间能够形成p-n异质结,使光电转换效率得以提高.SEM给出了TiO2电极和聚合物修饰的TiO2的形貌图,电极的交流阻抗谱则从一个角度说明了聚合物膜修饰电极的导电性.     

铜离子模板法合成 6-O-2′-羟丙基壳聚糖

以铜离子为 模板，用环氧丙烷为 改性剂，合成只在 壳聚糖 Ｃ６ 位－ Ｏ Ｈ 上取代的 ２′羟丙基化衍生物，并用元素分析、 Ｉ Ｒ 和 Ｘ衍射对改性产物进行 了结构表征。     

铜离子与SALI3-2蛋白的相互作用

用1/2 MS固体培养基培养拟南芥幼苗, 研究了CuCl₂对转Sali3-2基因植株生长的影响, 发现转基因植株Sali3-2的表达可提高其耐受Cu²⁺胁迫的能力. 进一步克隆Sali3-2基因, 表达并纯化了缺失信号肽的 SALI3-2 蛋白. 利用固定金属离子亲和色谱(IMAC)分析发现, Cu²⁺ 能够与 SALI3-2 蛋白结合. 通过荧光光谱及圆二色光谱(CD)进一步研究了Cu²⁺ 与 SALI3-2 蛋白间的键合机理. 结果表明, Cu²⁺ 可引起SALI3-2 蛋白内源性荧光猝灭, 其猝灭机制为静态猝灭; Cu²⁺ 与SALI3-2 蛋白的结合常数为8.89×10⁶, 结合位点数为1.6. CD分析显示, Cu²⁺ 与SALI3-2 蛋白的结合未使SALI3-2 蛋白二级结构发生明显改变. 由此推测, 在高浓度铜离子胁迫下, SALI3-2蛋白通过结合一定数量的Cu²⁺使蛋白的构象发生改变, 这可能是SALI3-2蛋白的表达使植物耐受Cu²⁺胁迫能力提高的分子机制之一.     

TiO2修饰的镍基光电极的制备及光电化学性能

通过溶胶 凝胶法，直接在导电的金属镍基上制备多孔TiO2纳米薄膜，利用STM观察电极的表面形貌，所制TiO2粒径约为20～80 nm，随着烧结温度的升高，TiO2纳米薄膜表面孔的数量增多、孔径增大.用循环伏安法分析了电极的光电化学性能，结果表明，电极的光电响应随烧结温度的升高和薄膜厚度的增加而增大.     

基于有机硼化合物的氟离子化学传感器的研究进展

有机硼化合物中硼原子空的pπ轨道使其作为路易斯酸能够选择性的结合氟离子,其与氟离子的结合破坏了硼中心与芳香取代基的pπ-π共轭,引起有机硼化合物光物理性质的变化。因此,有机硼化合物能够用作高选择性的氟离子化学传感器材料。本文从具有三芳基硼结构及硼酸或硼酸酯结构的这两类有机硼化合物出发,综述了它们在氟离子化学传感器领域的研究进展。     

氢氧根离子在TiO2薄膜电极上的吸附行为和光氧化动力学

在醇的水溶液中，应用电化学方法研究了OH－在TiO2薄膜电极上的吸附行为和光氧化动力学.实验结果表明，OH－在TiO2表面的吸附模型符合Langmuir等温吸附方程式，其光氧化动力学行为能用Langmuir-Hinshelwood动力学方程来描述.在光强足够大时，光电流和OH－在TiO2表面的吸附浓度成正比，这表明，光生空穴仅氧化吸附于TiO2表面的OH－，同时吸附的水分子则不能被氧化.在醇浓度足够高的溶液中，自由基OH•和电子之间的复合反应几乎不发生，这时整个光氧化反应的速控步骤是光生自由基OH•的生成.     

诺蒎酮基喹唑啉-2-胺型铜离子荧光探针的合成及其应用研究

以可再生的β-蒎烯衍生物诺蒎酮为原料,设计合成了一种新型的诺蒎酮基喹唑啉-2-胺铜离子荧光探针N-苄基-4-(4-(二乙氨基)苯基)-7,7-二甲基-5,6,7,8-四氢-6,8-桥亚甲基喹唑啉-2-胺(BNQ).探针BNQ在PBS/THF(V/V=8/2,10mmol·L-1,pH=7.4)溶液中对Cu2+表现出高度...     

聚1-甲基-2-吡咯烷酮修饰碘离子化学传感器的研究

研究了１－甲基－２－吡咯烷酮在玻碳（ＧＣ）电极表面聚合的条件，测试了Ｉ－－聚１－甲基－２－吡咯烷酮化学传感器的电化学性能。所制电极检测Ｉ－响应线性范围２４×１０－４～０１ｍｏｌ／Ｌ，检测下限为１０×１０－４ｍｏｌ／Ｌ，电极的重现性及稳定性都较好，重复测定７次相对标准偏差为０７１％，可连续使用２５天。Ｃｌ－、Ｂｒ－、ＮＯ－３、ＳＯ２－４等阴离子对测定干扰较小