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半导体科学技术发展的历史回顾 总被引:1,自引:0,他引:1
半导体科学技术是20世纪中最伟大和最重要的科技成就之一。在高新技术迅速发展的今天,重温其发展历程,总结其发展规律和认识其发展特点,具有重要的现实意义。作者着重评述了近半个世纪以来,半导体科学技术在材料、物理、器件与工艺四个领域内所取得的一系列重大进展。 相似文献
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半导体材料科学发展的历史回顾 总被引:2,自引:0,他引:2
半导体科学技术是20世纪中最伟大和最重要的科技成就之一。在高新技术迅速发展的今天,重温其发展历程,总结其发展规律和认识其发展特点,具有重要的现实意义。作者着重评述了近半个世纪以来,半导体科学技术在材料、物理、器件与工艺四个领域内所取得的一系列重大进展。 相似文献
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国际半导体物理会议(ICPS)是由国际纯粹和应用物理联合会(IUPAP)半导体委员会主办的半导体科学领域内重要的系列性国际学术会议.它隔一年召开一次.自1950年第一届会议以来已举办过20届.会议规模之大(800—1000人),出席会议的权威科学家之多以及会议论文的录取标准之高,都说明了这一会议在国际半导体科技界内的权威性.以往的历届会议都充分反映了当时半导体科学技术领域内最新研究成果和发展动态,推动了半导体物理研究事业的深入发展,揭示了半导体物理潜在的应用背景. 这一系列性国际会议以往都在欧洲、北美洲和日本举行.参加会议的近千… 相似文献
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我国半导体物理研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
简单地回顾了近年来我国半导体物理研究的进展,它包括三个方面,半导体超晶格、微结构;半导体表面、界面和杂质、缺陷;以及半导体新材料、新结构,这些进展说明,半导体物理研究在当代物理学和高技术的发展中都占有突出的地位,它仍是一门年轻的、富有生命力的学科,预期在将来有更大的发展。 相似文献
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195 6年 3月 ,我国集中了全国 6 0 0多位科学家 ,制定了 12年科学技术发展规划 ,确定了多项重要科学技术任务 .其后 ,为了发展无线电电子学、自动化、半导体和计算技术等四个在现代科学技术发展中具有关键作用的新学科领域 ,使其在短时期内改变现状 ,接近国际水平 ,科学规划委员会提出了“发展计算技术、半导体技术、无线电电子学、自动学和远距离操纵技术的紧急措施方案” .紧急措施实施方案报到国务院后 ,周恩来总理亲自过问审议 ,并立即批准 .北京大学物理系黄昆教授参与了制定这个规划 ,并和其他专家一起建议 :为了适应迅速发展的半导体… 相似文献
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今年是中国半导体事业五十周年.其实谁也没有这么规定过,也没有任何文件中提到.事实上,中国的半导体事业从新中国一成立就开始进行,那为什么将1956年作为中国半导体事业的开始?主要是因为那一年有几件大事:(1)1956年1月30日到2月4日由中国物理学会主办,全国第一届半导体物理学讨论会在北京召开.(2)1956年在周恩来总理的亲自主持下,制定了1956-1967年《十二年科学技术发展远景规划》.在规划中,将半导体技术列为我国新技术的四大紧急措施之一.(3)1956年高等教育部为落实加快发展我国半导体科学技术事业,尽快培养半导体专门人才的紧急措施,决定在北京大学成立由北京大学、复旦大学、南京大学、厦门大学和东北人民大学(现吉林大学)组成的中国第一个五校联合半导体专门化,由黄昆任教研室主任,谢希德任教研室副主任.(4)这年9月,高等教育部围绕四大紧急措施在成都创办的“成都电讯工程学院”正式开学招生,设有无线电、计算技术、自动化、半导体及电子真空、有线电等系.从1956年开始,中国的半导体科学技术和人才培养迈开了强劲的步伐. 相似文献
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超晶格材料是用现代薄膜生长技术制成的一种新型材料,它在过去的自然界中从未存在过,是一种完全新的人工制造的晶体. 1970年,美国IBM公司的江崎玲于奈(L.Esaki)和朱兆祥首次在GaAs半导体上制成了超晶格结构[1].以后,半导体超晶格的研究工作得到了很快的发展,不仅研制出GaAs和各种Ⅲ-V族化合物超晶格材料,而且Ⅳ-Ⅳ族、Ⅱ-Ⅵ族、Si超晶格以及非晶态半导体超晶格等也已相继出现,有一些已经获得实用,做成了相当重要的微电子和光电子器件.半导体超晶格以及与之相联系的异质结中的许多物理现象,特别是低维物理现象已引起了人们广泛的兴趣.近… 相似文献
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经历了40年的发展,半展体激光器已经成为激光大家族中的极为重要的一员,由它引申发展的半导体光子学,集成光电子学已成为信息高科技的重要支柱,正在推动着诸如光通信光信息处理,光互连,光计算等重要的前沿应用领域的发展。文从原理,结构出发,按其发阶段的有机地简略回顾了同质结构,异质结构,量子阱结构,分布布拉格反馈结构,垂直腔面发射结构以及最新发展的单极性注入半导体激光器的进展及其主要应用,同时对其未来的 相似文献
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半导体激光器光学系统设计 总被引:1,自引:1,他引:0
—、前言随着科学技术的发展,半导体激光器在光通信、光学高密度信息记录和重放、激光打印、光测量和光信号处理等方面得到日益广泛的应用。半导体激光器具有体积小、发光效率高、结构简单、可高速直接调制、调制频率高、可靠性能好、使用寿命长等特点,它被认为是最有发展前途的几种激光器之一。由于半导体激光器在垂直两个方向上 相似文献
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经过近30年的发展,半导体激光器已由信息器件逐步发展成为能量器件,特别是大功率高光束质量半导体激光器,已从泵浦光源过渡成为直接作用光源,并部分应用在加工及国防领域。本文介绍了大功率半导体激光单元发展现状,分析讨论了各种激光合束技术及相应的合束光源,介绍了长春光机所在激光合束方面所做的部分工作,提出了我国半导体激光产业建设及发展的几点建议,并对半导体激光技术的发展新动向进行了展望。随着单元亮度的提升和合束技术的成熟,大功率半导体激光源作为间接光源和直接作用光源将在国防和工业领域大放异彩。 相似文献
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一、引言近年来参量放大器应用在超高频和微波范围內,由子其噪声系数极低,引起了人們的注意,得到了迅速的发展。半导体二极管参量放大器是微波低噪声放大器的一个重要发展方面,也是半导体晶体管向超高频方面发展的一个重要方向。这种放大器是由非线性元件的参量随时间变化而产生功率轉換和放大的,因此叫做可变参量放大器,簡称参量放大器。这种放大器用的非綫性元件目前有半导体二极 相似文献
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一、非晶半导体基本理论非晶态半导体是一门发展极为迅速的新兴学科,是凝聚态物理学中最为活跃的领域之一,已成为材料学科的一个组成部分.大量的事实说明,研究非晶态半导体的意义不仅在技术上能够产生新材料和新器件,而且对于认识固体理论中的许多基本问题也会产生深远的影响.晶态半导体的基本特征是:组成它的原子或分子作周期性排列,叫作长程有序性.基于这样的特征,利用能带理论,使得晶态半导体中的许多物理问题和半导体器件的基本原理得到了比较满意的解决.而非晶态半导体,结构上是一种共价网络,没有周期性排列的约束,所以它在结构上、光学电学性质上很不同于晶态半导体.因此,在应用上也显示了自己的特征,已呈现了巨大的应用前景. 相似文献
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半导体材料是制造半导体器件的先行,也是开展对半导体的科学研究所必不可少的。制备高纯度的結构完整的半导体材料在半导体学的发展史上起了特別重要的意义。我們知道,极微量的杂貭和缺陷对半导体材料导电性能有决定性的作用,它可以使半导体材料具有适合一定器件的要求的性质,也可使半导体变为毫无用处的废物。半导体材料要求的純度是极高的,对制备晶体管用的锗、硅材料来說,通常要在8个9(純度为 相似文献
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