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移相掩模技术及其发展前景 总被引:1,自引:0,他引:1
刘恩荣 《电子工业专用设备》1992,21(4):30-39
移相掩模技术的出现和在高密度微电子器件研制中的成功应用,是近几年来光学微细加工技术发展的最主要成果。本文在具体介绍移相掩模基本原理、结构工艺改进以及最新应用成果的基础上,展望了光学微细加工技术的发展前景。并指出,在大力研制高性能实用步进曝光设备的同时,重点研究移相掩模或移相光刻技术,已成为迅速改变我国光学微细加工技术落后面貌的必由之路。 相似文献
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刘恩荣 《电子工业专用设备》1991,20(2):1-8
通过对国外光学微细加工技术发展现状的介绍,和对提高光学成像分辨率的各种途径的分析比较,提出了在加强光学曝光设备和抗蚀剂材料工艺开发的同时,立即着手研究移相掩模技术的主张。 相似文献
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100 nm分辨率交替式移相掩模设计 总被引:1,自引:0,他引:1
讨论了100nm分辨率交替式移相掩模设计中的关键问题,以及通过对版图的拓扑分析,建立自动化的解决相位冲突的各种方法。通过比较,确立了分层叠加曝光的方案,并针对分层叠加曝光技术,进行了100nm节点中分层技术中两种关键图形的模拟。得出了分层叠加曝光在100nm技术节点中也可以实现的结论。 相似文献
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介绍了在GaAs器件制作中,如何提高光刻细线条加工能力、制作深亚微米"T"型栅的工艺技术。该技术采用投影光刻和负性化学放大光刻胶,制作出0.18μm的"T"型栅GaAs PHEMT器件,栅光刻工艺采用了分辨率增强移相掩模技术。根据曝光工具简单介绍了当前GaAs器件中"T"型栅主要制作方法,讨论了"T"型栅制作中所使用的移相掩模原理以及该技术应用于GaAs器件制作的优势,并介绍了工艺制作过程。给出了所制作的"T"型栅扫描电镜剖面照片,并进一步试验、讨论和分析了采用该种移相掩模版进行光刻时所遇到的主要困难及解决方向。 相似文献
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下一代光学掩模制造技术 总被引:3,自引:0,他引:3
尽管其它光刻技术在不断快速发展,然而在0.13μm及0.13μm以下集成电路制造水平上,光学光刻仍然具有强大的生命力。随着光学光刻极限分辨率的不断提高,当代光学掩模制造技术面临着越来越严重的挑战。本文对下一代光学掩模工艺技术的技术指标和面临的技术困难进行了论述,并对其中一些关键的技术解决方案进行了简要分析。 相似文献
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移相掩模技术 总被引:1,自引:1,他引:0
孙再吉 《固体电子学研究与进展》1992,12(3):275-280
对光学微细加工技术中骤然崛起的移相掩模技术,从原理、掩模种类以及尚待解决的问题等方面作了较为详尽的介绍。 该技术由于大幅度提高分辨率、空间相干性和增大焦深,目前已用于0.2~0.3μm LSI的设计。 相似文献