1THz真空微电子微带放大器的前景

分析了采用真空微电子技术的微带放大器,该放大器可能在频率高达1THz下输出功率1～50W。说明了实际设计的限制因素,包括栅控场发射微带中的损耗、所要求的场发射电流、空间电荷对发射电流的限制以及热损耗等。提出了两种可能的设计并讨论了进一步工作的范围。     

真空微电子技术

本文简要介绍真空微电子管的优越性及近两年来的水平,建议我们今后应做的几项工作。     

真空微电子技术

近年来,利用半导体技术,制造集成化的微米尺寸的微型真空管(亦称为真空IC)的愿望越来越强烈,与此趋势相呼应,1988年6月,在美国召开了第一届真空微电子学国际会议。本文即是以此次会议报告的内容为中心,介绍了真空微电子学的发展动向。     

真空微电子器件

最近两年里,微电子器件家族增添了一个新成员,它是半导体技术与真空技术相结合的产物,这就是真空微电子器件或真空半导体器件.由于它具有明显的优点和潜在的应用领域,特别是它采用类似于集成电路工艺就可以制造出来,引起了美国、法国和苏联等国家的注意,并且积极地进行着这种新型器件的研究.1986年12月美国宣布制成了第一支真空FET.     

微密封真空微电子二极管

本文介绍了一种微密封真空微电子二极管的工艺及实验结果。     

真空微电子的发展

本文回顾了近十年来，真空微电子在材料（硅、金属、砷化镓和金刚石膜）、制备工艺、阴极结构及应用等方面的进展。并详细介绍一些新阴极结构的制备方法与特点，供选择参考。     

真空微电子技术的新进展

本文详实介绍了真空微电子技术最近几年的发展动向并对其在若干领域的应用前景作了分析与讨论.     

真空微电子平板摄像

本介绍了真空微电子平板摄像器件的物理模型,它较之真空摄像器件、固体摄像器件相比具有的优点。     

真空微电子毫米波器件

介绍了真空微电子分布放大器和真空微电子微波管两类器件，对其优点和问题进行了探讨，并就我国发展真空微电子毫米波器件提出了看法．     

真空微电子器件及其研究进展

由于真空微电子器件具有十分诱人的应用前景,近几年引起了人们的极大兴趣,成为电子器件发展的一个重要分支和前沿。本文叙述真空微电子器件的特点,原理、应用和最新研究成果。     

真空微电子器件的物理考虑

本文阐述在真空三极管尺寸减小到目前固体微电子器件常用的微米与亚微米量级时应考虑的物理问题。对于超高速器件来说,已证实在0.5μm 电极间距问的真空渡越时间为最好的固体材料中的2/3～1/15。与固体器件相比,真空器件对辐射损伤更不敏感,但能在更高温度环境下工作。     

真空微电子器件的进展与问题

本文简要地叙述了真空微电子学的主要进展，在介绍场发射阵列ＦＥＡ，场发射显示器ＦＥＤ，真空微电子微波毫米波器件等的发展过程中，重点叙述了有关器件对ＦＥＡ的特殊要求，可能的解决办法和存在的问题，并介绍了发展真空微电子微波管的主要内容和意义；最后提到了有效地发展我国真空微电子器件需重视的一个问题。     

真空微电子器件发展现状及远景了望

本文论述了真空微电子器件的发展远景,并回答了为什么真空微电子器件在未来必将取代固体器件,以及目前它在工艺上和理论上存在些什么困难。     

真空微电子管特性的计算机模拟

真空微电子管特性的计算机模拟刘杰明，李志能，陈秀峰，李翔（浙江大学信息与电子工程学系）关键词：真空微电子，有限元近十年来，真空微电子学迅速崛起，而以其为基础的真空微电子管研究亦引起广泛地关注，这主要由于，半导体中电子的极限速度为２～３×１０￣７ｃｍ／...     

真空微电子器件的栅极制造技术

本文详细地介绍了真空微电子栅极工艺制造的自剥离与无版光刻技术，并用这两种方法分别制造出了符合要求的栅极结构．在现有的条件下进行了栅控场致发射特性的测试，并通过实验曲线计算出了栅控场致发射的三个参数．     

真空微电子平板显示器工艺研究

本文介绍了我们最近开发的真空微电子平板数码管工艺，主要包括阳极支柱的制作和平板透明真空封装。