一种新结构ZnS：Tm^3＋薄膜电致发光器件的研究

采用电子束蒸发法制备了一种新结构（ITO／SiO2/ZnS:TmF3/SiO2/ZnS:TmF3/SiO2/Al)的薄膜电致发光器件,并与传统双绝缘层结构的器件相比较。结果表明,新结构器件的发光蓝红外比和发光亮度要明显高于双绝缘层结构的器件。分析认为这是由于SiO2夹层起到了加速电子和提供界面的作用。     

ZnS∶TbF_3薄膜电致发光器件性能的研究

用射频磁控溅射和扫描电子束蒸发方法研究制备了ZnS∶TbF3薄膜的交流电致发光器件。研究了制备ZnS∶TbF3薄膜电致发光器件的几种因素对电致发光器件性能的影响 ,诸如 ,磁控溅射过程中衬底温度 ,发光层厚度 ,退火等。     

ZnS：TbF3薄膜电致发光器件性能的研究

用射频磁控溅射和扫描电子束蒸发方法研究制备了ZnS:TbF3薄膜的交流电致发光器件。研究了制备ZnS:TbF3薄膜电致发光器件的几种因素对电致发光器件性能的影响,诸如,磁控溅射过程中衬底温度,发光层厚度,退火等。     

ZnS:Tm的薄膜电致发光及激发过程

用电子束蒸发的方法制备了传统的双绝缘层的ZnS:Tm的薄膜电致发光器件，对其电致发光谱进行分析，在光致发光中，Tm离子受到基质ZnS的无辐射能量传递，而在电致发光中，Tm被过热电子碰撞激发而非能量传递，在所研制的电致发光器件中，稀土TmF3掺杂浓度不同，器件的发光性能也不同，在双绝缘层的ZnS:Tm的薄膜电致发光器件的基础上，改变器件的结构，发现器件的蓝光发射与红光发射之比增加，并对Tm离子可能的发光机理进行了探讨。     

ZnS：ErF3和ZnS：HoF3薄膜电致发光的亮度和色度

研究了ZnS:ErF_3和ZnS:HoF_3两种材料制备的交流驱动的绿色电致发光薄膜(ACELTF)的发光亮度和色度与ErF_3和HOF_3掺杂浓度的关系。对于ZnS:ErF_3和ZnS:HoF_3,其最佳掺杂浓度分别为7×10~(-3)和2×10~(-3)mol/mol基质;获得的最高发光亮度分别为900cd/m~2和550cd/m~2。当ErF_3的掺杂浓度由3×10~(-4)mol/mol基质增至3×10~(-1)mol/mol基质时,ZnS:ErF_3薄膜的色座标(x,y值)由0.251,0.664变为0.392,0.586;当HOF_3的掺杂浓度由3×10~(-4)mol/mol基质增至1×10~(-1)mol/mol基质时,ZnS:HoF_3薄膜的色座标值由0.315,0.615变为0.472,0.521。     

SrS∶Ce薄膜电致发光机制

在分析Ｃｅ３＋ 激发态能级与导带之间杂化相互作用的基础上， 讨论了电场强度与场致电离之间的关系。实验测得的ＳｒＳ∶Ｃｅ ＴＦＥＬ发光波形表明， 在正弦电压驱动下的半周期内， 一种样品在上升沿有发光， 而另一种样品在上升和下降沿有两个发光峰。这种不同的产生与样品中硫空位对ＳｒＳ∶Ｃｅ 激发和发射过程的影响有关。上升沿的发光主要是由直接碰撞激发引起的分立中心的发光， 而下降沿的发光及上升沿的部分发光属于因电离而引起的复合发光。     

ZnS∶Er电致发光中SiO_2与ZnS电子加速能力的比较

在分层优化结构和固态阴极射线发光中,从电极注入的电子经电子加速层加速后获得更高能量成为过热电子,过热电子碰撞激发发光中心引起发光,其中SiO2在提高过热电子的能量方面有非常重要的作用。ZnS作为电子加速层时,也发现了固态阴极射线发光,但其发光的亮度及稳定性都不及SiO2作为电子加速层的器件。通过比较ZnS∶Er在正弦交流电驱动下的正负半周内的亮度变化,得出ZnS与SiO2的电子加速能力的相对大小。实验结果表明:SiO2的电子加速能力是ZnS的2.18倍。     

铽配合物Tb(o-BBA)3(phen)有机电致发光研究

合成了一种新的稀土配合物邻苯甲酰苯甲酸-1，10-菲罗啉-铽（Tb（o-DDA）3（phen））并用于有机电致发光。研究了Tb（o-DDA）3（phen）与PVK混合薄膜的光敛发光特性，找出了PVK：Tb的最佳比例为3：1。制备了结构为ITO／PVK：Tb／Al的单层电致发光器件，得到了铽离子的特征光谱，其电流-电压特性（I-V）在一定电压范围内符合空间电荷限制电流机制。研究结果表明稀土铽配合物Tb（o-BBA）3（phert）掺杂PVK体系的光致发光是源于PVK到Tb配合物的能量传递及稀土Tb配合物的直接激发两种作用机制，而电致发光以载流子俘获为主。     

稀土配合物Tb(p-MBA)3phen的有机电致发光

合成了一种新型的稀土铽配合物材料Tb(p-MBA)3phen,把它作为发光材料应用于有机电致发光中.把铽配合物掺杂在导电聚合物PVK中采用旋涂法制得发光层,并利用AlQ作为电子传输层制作了单层、双层有机电致发光器件:器件1(ITO/PVK):Tb(p-MBA)3phen/Al;器件2(ITO/PVK):Tb(p-MBA)3phen/AlQ/LiF/Al,得到了纯正的、明亮的Tb3 离子的绿光发射,4个特征峰分别对应着能级5D4到7Fj(j=6,5,4,3)的跃迁,而PVK的发光完全被抑制.研究了两种器件的电致发光性能,并通过选择AlQ的厚度得到了发光性能较好的器件,其最大亮度在20 V时达到152 cd·m-2.     

稀土铽配合物TbY(m-MOBA)6(phen)2·2H2O的有机电致发光单层器件的研究

将新型稀土配合物TbY(m-MOBA)6(phen)2·2H2O掺杂到导电聚合物PVK中改善了铽配合物的成膜特性和导电性质.用此掺杂体系制作了单层发光器件,发现掺杂浓度为1:5,甩膜转速为1000r·min-1时器件的发光效果最好,起亮电压为9 V,最大亮度在17 V时达到15.7cd·m-2.对比[Tb(m-MOBA)3phen]2·2H2O的单层器件的发光,说明Y3 的存在促进了PVK到Tb3 的能量传递.     

有机、聚合物薄膜电致发光器件的研究进展

有机、聚合物薄膜电致发光器件是近年来国际上的一个研究热点。与无机材料相比, 有机材料具有更高的发光效率和更宽的发光颜色选择范围, 并且具有容易大面积成膜的优越性。本文介绍了有机、聚合物薄膜电致发光器件的结构和制备、发光机理以及有关材料的选择, 并对该研究领域的最新动态、器件的稳定性问题以及应用前景进行了讨论。     

层间反应法制备CaGa2S4∶Ce电致发光器件

报道了用层间反应法制备ＣａＧａ２Ｓ４∶Ｃｅ薄膜，用电子束蒸发法交替沉积ＣａＳ∶Ｃｅ和Ｇａ２Ｓ３膜，然后经一定的处理，获得ＣａＧａ２Ｓ４∶Ｃｅ膜。Ｘ射线衍射、ＳＴＥＭ显微照片和ＥＤＸ等分析结果表明，产物为结晶度较好、符合ＣａＧａ２Ｓ４∶Ｃｅ化学计量比的发光薄膜，并得到了Ｃｅ３＋的蓝色发光谱。     

Eu(BSA)3phen与PVK共混体系的光致和电致发光特性的研究

合成了一类新型的以苯甲酰水杨酸(benzoyl salicylic acid,BSA)为第一配体,邻菲罗啉(1,10-phenanthroline,phen)为第二配体的稀土配合物Eu(BSA)3phen,将导电高分子材料PVK引入到配合物中,制成了结构为ITO/PVK:RE配合物/LiF/Al的电致发光器件.通过测量电致发光和光致发光光谱,发现PVK:RE配合物混合体系存在着能量传递,并对Eu(BSA)3phen与PVK共混体系的光致发光和电致发光机制进行了分析.同时比较了几种不同PVK掺杂浓度对于器件性能的影响.     

一种新型共掺杂稀土配合物Gd0.5Eu0.5(TTA)3Dipy的电致发光特性

制备了一类以α-噻吩甲酰基三氟丙酮(TTA)为第一配体、2,2′-联吡啶(Dipy)为第二配体的共掺杂铕钆配合物Gd0.5Eu0.5(TTA)3Dipy。用其作为发光层材料制作了电致发光器件:ITO/PVK:Gd0.5Eu0.5(TTA)3Dipy/PBD/Al。讨论并证明了Gd3 与Eu3 之间存在F rster能量传递。研究了铕钆配合物与PVK共掺杂体系的激发光谱和光致发光谱,发现两者之间存在着能量转移,说明Gd3 的加入抑制了PVK自身的本征发光,促进了PVK到Eu3 的能量传递,得到了单色性很好的红光。     

共掺杂稀土配合物Tb0.5Eu0.5(asprin)3phen电致发光的研究

合成了共掺杂稀土配合物Tb0.5Eu0.5(asprin)3phen，将其掺杂到导电聚合物PVK中，制成结构为ITO／PVK：RE配合物／PBD／Al的电致发光器件，与PVK：Eu(asprin)3phen体系为发光层的相同结构的器件相比，我们发现铽离子的引入能猝灭PVK的发光，增强铕的发光，而Tb3 本身的发光很弱，几乎看不到，说明Pb3 在其中起到能量的中间传递作用，促进了PVK到Eu^3 的能量传递，本文就器件的发光特性及掺杂体系的能量传递进行了初步讨论。     

稀土配合物Eu(DBM)3为发光体的有机电致发光器件

分别以稀土配合物为发光中心，以PPV、Alq3为空穴输送层和电子输送层制备了结构为ITO／PPV／PVK：PBD：Eu（DBM）3／Alq3／Al的电致发光器件，其中发射层由旋涂法形成，该器件的最大亮度为52cd·m－2，且具有很好的单色性。     

稀土配合物Tb(3-metho)3phen掺杂的有机电致发光

合成了一种新型稀土配合物Tb(3-metho)3phen，将其掺杂到导电聚合物PVK中改善了配合物的成膜性和导电性，并对掺杂薄膜进行了荧光，电致发光和形貌的研究，实验表明，存在聚合物到稀土配合物的能量传递，利用能量传递我们得到了窄谱带的绿色有机薄膜电致发光器件。     

稀土Bi∶LaDyIG薄膜中的耦合法拉第效应研究

由于热分解法制备Bi, Al∶LaDyIG薄膜工艺中采用分层旋覆工艺而导致多层膜的形成, 用耦合法拉第模型对多层膜的磁光效应进行计算, 发现了近紫外和蓝绿波段法拉第增强材料. 由计算结果可知,材料在300～550 nm波长范围具有极强的法拉第效应,经过配方优化, 实验上成功制备出该材料. 这极有利于短波长高密度磁光记录和微波法拉第器件性能的改善.     

一种新型稀土配合物Eu(TTA)2(N-HPA)Phen的发光特性研究

合成了一种新的含有3个配体的稀土配合物Eu（TTA）2（N-HPA）Phen（TTA-噻吩甲酰基三氟丙酮，N—HPA=N-苯基邻氨基苯甲酸，phen=邻菲咯啉）。将稀土配合物作为掺杂物与基质PVK按照不同质量比混合共溶，旋涂成膜。通过荧光光谱，分析了薄膜的发光特性，并将其应用于有机电致发光。研究了PVK和Eu（TTA）2（N—HPA）Phen之间的能量传递，并且制备了发光层为PVK：Eu（TTA）2（N—HPA）Phen，结构为ITO／PVK：Eu（TrA）2（N—HPA）Phen／BCP／Alq3／Al的多层器件，发现改变PVK和稀土配合物的掺杂比，可以不同程度地抑制PVK的发光，最终得到纯的Eu^3＋的红色发光。实验结果证明，在PVK：Eu（TTA）2（N—HPA）Phen=5：1的质量比下，从PVK到稀土配合物之间存在充分的能量传递。     

铽配合物[Tb(m-MBA)3phen]2·2H2O的有机电致发光

将稀土铽配合物[Tb(m MBA)3phen]2·2H2O作为发光材料应用于有机电致发光。把铽配合物掺杂在PVK中经甩膜制得发光层,并分别用AlQ和PBD作为电子传输层制作了两类有机电致发光器件。器件1:ITO PVK:[Tb(m MBA)3phen]2·2H2O PBD LiF Al;器件2:ITO PVK:[Tb(m MBA)3phen]2·2H2O AlQ LiF Al,研究了两种器件的电致发光性能,并通过选择AlQ的厚度得到了发光性能较好的用AlQ作为电子传输材料的器件,其最大亮度在20V时达到140cd·m-2。