ZnS：TbF3薄膜电致发光器件性能的研究

用射频磁控溅射和扫描电子束蒸发方法研究制备了ZnS:TbF3薄膜的交流电致发光器件。研究了制备ZnS:TbF3薄膜电致发光器件的几种因素对电致发光器件性能的影响,诸如,磁控溅射过程中衬底温度,发光层厚度,退火等。     

一种新结构ZnS：Tm^3＋薄膜电致发光器件的研究

采用电子束蒸发法制备了一种新结构（ITO／SiO2/ZnS:TmF3/SiO2/ZnS:TmF3/SiO2/Al)的薄膜电致发光器件,并与传统双绝缘层结构的器件相比较。结果表明,新结构器件的发光蓝红外比和发光亮度要明显高于双绝缘层结构的器件。分析认为这是由于SiO2夹层起到了加速电子和提供界面的作用。     

ZnS:Tm的薄膜电致发光及激发过程

用电子束蒸发的方法制备了传统的双绝缘层的ZnS:Tm的薄膜电致发光器件，对其电致发光谱进行分析，在光致发光中，Tm离子受到基质ZnS的无辐射能量传递，而在电致发光中，Tm被过热电子碰撞激发而非能量传递，在所研制的电致发光器件中，稀土TmF3掺杂浓度不同，器件的发光性能也不同，在双绝缘层的ZnS:Tm的薄膜电致发光器件的基础上，改变器件的结构，发现器件的蓝光发射与红光发射之比增加，并对Tm离子可能的发光机理进行了探讨。     

一种新结构ZnS∶Tm~(3 )薄膜电致发光器件的研究

采用电子束蒸发法制备了一种新结构 (ITO/SiO2 /ZnS∶TmF3/SiO2 /ZnS∶TmF3/SiO2 /Al)的薄膜电致发光器件 ,并与传统双绝缘层结构的器件相比较。结果表明 ,新结构器件的发光蓝红外比和发光亮度要明显高于双绝缘层结构的器件。分析认为这是由于SiO2 夹层起到了加速电子和提供界面的作用     

SrS∶Ce薄膜电致发光机制

在分析Ｃｅ３＋ 激发态能级与导带之间杂化相互作用的基础上， 讨论了电场强度与场致电离之间的关系。实验测得的ＳｒＳ∶Ｃｅ ＴＦＥＬ发光波形表明， 在正弦电压驱动下的半周期内， 一种样品在上升沿有发光， 而另一种样品在上升和下降沿有两个发光峰。这种不同的产生与样品中硫空位对ＳｒＳ∶Ｃｅ 激发和发射过程的影响有关。上升沿的发光主要是由直接碰撞激发引起的分立中心的发光， 而下降沿的发光及上升沿的部分发光属于因电离而引起的复合发光。     

聚合膜薄膜电致发光器件

综述了聚合物薄膜电致发光器件的材料，结构，发光机理，研究现状和目前存在主要问题，同时对发展方向也进行了简单介绍。     

聚合物薄膜电致发光器件

综述了聚合物薄膜电致发光器件的材料、结构、发光机理、研究现状和目前存在的主要问题，同时对发展方向也进行了简单介绍。     

ZnS：ErF3和ZnS：HoF3薄膜电致发光的亮度和色度

研究了ZnS:ErF_3和ZnS:HoF_3两种材料制备的交流驱动的绿色电致发光薄膜(ACELTF)的发光亮度和色度与ErF_3和HOF_3掺杂浓度的关系。对于ZnS:ErF_3和ZnS:HoF_3,其最佳掺杂浓度分别为7×10~(-3)和2×10~(-3)mol/mol基质;获得的最高发光亮度分别为900cd/m~2和550cd/m~2。当ErF_3的掺杂浓度由3×10~(-4)mol/mol基质增至3×10~(-1)mol/mol基质时,ZnS:ErF_3薄膜的色座标(x,y值)由0.251,0.664变为0.392,0.586;当HOF_3的掺杂浓度由3×10~(-4)mol/mol基质增至1×10~(-1)mol/mol基质时,ZnS:HoF_3薄膜的色座标值由0.315,0.615变为0.472,0.521。     

SrS:Ce薄膜电致发光机制

在分析Ｃｅ＾３＋激发态能级与导带之间杂化相互作用的基础上，讨论了电场强度与场致电离之间的关系。实验测得的ＳｒＳ：ＣｅＴＦＥＬ发光波形表明，在正弦电压驱动下的半周期内，一种样品在上升沿有发光，而另一种样品在上升和下降沿有两个发光峰。这种不同的产生与样品中硫空位对ＳｒＳ：Ｃｅ激发和发射过程的影响有关。上升沿的发光主要是由直接碰撞激发引起的分立中心的发光，而下降沿的发光及上升沿的部分发光属于因电离而引起     

稀土配合物的光致和电致发光性能的研究

合成了一种新型的稀土配合物Tb(acac)3dad, 讨论了其光致发光的性质 . 以其为发射层制备了结构为ITO/TPD (50 nm)/Tb(acac)3dad (75 nm)/PBD (50 nm)/Al (400 nm) 的电致发光器件, 该器件的启动电压为7 V, 18 V时得到了最大亮度为62 cd·m -2, 发现器件的电致发光光谱与配合物Tb(acac)3dad的光致发光光谱有明显不同.     

铕三元配合物红色薄膜电致发光器件

铕三元配合物红色薄膜电致发光器件李斌马东阁张洪杰＊赵晓江倪嘉缵（中国科学院长春应用化学研究所１３００２２）自从Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇ［１］发表了高效、高亮度双层结构器件以来，有机薄膜电致发光（ＯＥＬ）因其驱动电压低、易于制成大屏幕且具有全色等特点，在实现彩...     

有机、聚合物薄膜电致发光器件的研究进展

有机、聚合物薄膜电致发光器件是近年来国际上的一个研究热点。与无机材料相比, 有机材料具有更高的发光效率和更宽的发光颜色选择范围, 并且具有容易大面积成膜的优越性。本文介绍了有机、聚合物薄膜电致发光器件的结构和制备、发光机理以及有关材料的选择, 并对该研究领域的最新动态、器件的稳定性问题以及应用前景进行了讨论。     

层间反应法制备CaGa2S4∶Ce电致发光器件

报道了用层间反应法制备ＣａＧａ２Ｓ４∶Ｃｅ薄膜，用电子束蒸发法交替沉积ＣａＳ∶Ｃｅ和Ｇａ２Ｓ３膜，然后经一定的处理，获得ＣａＧａ２Ｓ４∶Ｃｅ膜。Ｘ射线衍射、ＳＴＥＭ显微照片和ＥＤＸ等分析结果表明，产物为结晶度较好、符合ＣａＧａ２Ｓ４∶Ｃｅ化学计量比的发光薄膜，并得到了Ｃｅ３＋的蓝色发光谱。     

ZnS∶Er电致发光中SiO_2与ZnS电子加速能力的比较

在分层优化结构和固态阴极射线发光中,从电极注入的电子经电子加速层加速后获得更高能量成为过热电子,过热电子碰撞激发发光中心引起发光,其中SiO2在提高过热电子的能量方面有非常重要的作用。ZnS作为电子加速层时,也发现了固态阴极射线发光,但其发光的亮度及稳定性都不及SiO2作为电子加速层的器件。通过比较ZnS∶Er在正弦交流电驱动下的正负半周内的亮度变化,得出ZnS与SiO2的电子加速能力的相对大小。实验结果表明:SiO2的电子加速能力是ZnS的2.18倍。     

高效溶液法小分子磷光电致发光器件研究

以小分子化合物CDBP[4,4′-bis(carbazol-9-yl)-9,9-dimethyl-fluorene]为主体材料,Ir(pppy)3[tris(5-phenyl-10,10-dimethyl-4-aza-tricycloundeca-2,4,6-triene)Iridium(III)]为磷光客体材料,采用溶液法和真空蒸镀法相结合的制备工艺,制作了小分子磷光电致发光器件.研究表明,通过器件结构的优化,Ir(pppy)3(重量百分比为2)掺杂的多层绿光电致发光器件效率达22.0 cd/A,最大亮度达到26600 cd/m²,这一结果可与当今基于真空蒸镀的小分子或基于溶液法的高分子磷光电致发光器件性能相媲美.本工作为降低有机电致发光器件的成本,扩展溶液法有机电致发光器件制备工艺中材料的选择范围提供了实验依据.     

共轭聚合物材料及电致发光器件

共轭聚合物是一种极有应用前景的有机半导体材料,本文综述其研究进展,包括典型共轭聚合物材料PPV、PT、PF等及PPP的工作原理,发展前景和存在的问题。     

影响稀土配合物电致发光性能的几个重要因素

在综述稀土铕和铽配合物电致发光研究进展的基础上, 重点围绕稀土材料本身, 探讨了影响稀土配合物电致发光性能的一些主要问题, 指出一个优异的稀土电致发光材料应兼具有良好的光致发光效率、热稳定性和成膜性以及载流子传输性能.     

不同电子传输层的蓝光有机电致发光器件的性能研究

自从Tang等^[1]首次报道多层有机电致发光器件（OLED）以来,其在亮度和效率上有了质的飞跃,表明器件的结构对提高发光亮度和发光效率起着至关重要的作用,单层器件虽然具有制作简单的优点,但却存在明显缺点：（1）复合发光区靠近金属电极,该处缺陷很多,非辐射复合几率大,导致器件效率降低;（2）由于两种载流子注入不平衡,载流子的复合几率较低,因而影响器件的发光效率,要使发光层中具有高的载流子辐射复合效率,两种载流子的注入及传输能力应相当,否则传输快的一方就会直接穿过发光层到达对电极被猝灭,平衡电子和空穴的注入与传输可通过在电极和发光层之间加入载流子输运层或限制层制作多层器件的途径来实现,基于上述考虑,我们以PPCP为发光层（PPCP是一种荧光效率较高的蓝光材料^[2-4],对其进行深入研究尚未见有文献报道＿,设计了4种不同电子传输层（ETL)的三层 结构的OLED,为研究电子传输层对器件性能的影响,我们还制备了不含电子传输层的双层器件,结果表明,通过选择合适的ETL,OLED的发光亮度及发光效率会有很大程度的改善。     

白光有机电致发光器件进展

白光有机电致发光器件（WOLEDs）在显示和照明领域有着极大的应用前景,受到人们广泛的关注。本文从多个方面综述了WOLEDs近年来的研究进展,探讨了它的应用前景及需要解决的问题。     

火焰原子吸收法测定ZnS：Mn交流电致发光薄膜屏中锰

利用火焰原子吸收光度法，分别测定了ＺｎＳ：Ｍｎ交流电致发光薄膜屏中锰和锌的含量，当样品符合硫化锌的化学量时，可由锌的含量计算出硫化锌的质量和锰在硫化锌薄膜中的浓度。与处理样品的称样量相比较，方法相比误差小于２％，回收率和相对标准偏差分别为１００％－１０２％和０．７％。样品自理容易分析简易，快速。