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MAX8515并联型稳压器具有0.6V的反馈门限、初始精度可达±0.5%,采用微小的SC70封装,利用一个外部NPN晶体管和几只阻容元件可以方便地构成廉价、小尺寸的低压差线性稳压器(LDO),如图1所示。该电路输入电压范围为1.2V至2.5V,输出电压为1V,MAX8515的电源电压为2.5V,输出电流可达2A。改变分压电阻R2、R3可以调节输出电压,可参考下式选择外部电阻:为保证提供足够的负载电流,可参考下式选择电阻R1:式中,VREG为线性稳压器输出电压,IOMAX为最大负载电流、VBE为晶体管Q1发射结的正向导通电压,β是Q1在最大负载电流下所能… 相似文献
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针对传统模拟低压差线性稳压器(LDO)在低电源电压下性能不足等问题,提出了一种模数混合型LDO的设计方法。通过对传统模拟LDO结构中的误差放大器输出端进行信号采样,增加数字控制回路,实现对输出电压的精确控制。提出的LDO基于中芯国际(SMIC)180 nm CMOS工艺设计。仿真结果表明,该LDO在数字控制时钟为1 MHz,输入电源电压为0.9~1.5 V时,输出电压为0.8~1.4 V,最大负载电流为500 mA,静态功耗为75μA,电流效率高达99.9%,负载调整率为1.8%,线性调整率为0.9%。 相似文献
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为了提高电源抑制能力以便降低输入电压的噪声影响,提出了一种适用于无输出电容NMOS低压差线性稳压器的 电源抑制PSR(Power SDupply Rejection)增强方法,针对直流PSR和带宽增强?设计了相应的直流PSR补偿电路和电容消除电路, 使用 0.18μm CMOS技术进行了具体实现,模拟和测量结果验证了提出PSR增强技术的有效性,实验结果显示,相比于传统的低压差线性稳压器,提出的稳压器具有更好的PSR性能,可使PSR达到-84.3dB 并始终小于-75.2dB,同时能够提供25mA,的输出电流和1.2V的输出电压。 相似文献
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《中国集成电路》2006,15(2):66-66
凌特公司日前宣布推出输入电压可低至1.7V的300mA非常低压差(VLDO)线性稳压器LTC3035。该器件具有低内部基准电压以及从0.4V至3.6V的对应可调输出电压,而且在满负载电流时保持仅为45mV的极低压差电压。为允许在低输入电压时工作,LTC3035带有一个集成充电泵转换器,为内部LDO电路提供必要的空间。这种低输入电压能力可从锂离子电池或2xAA碱性电池、低输入至低输出电压转换系统应用中实现高性能。LTC3035严格的±2%输出电压准确度、分别为100uA和1uA的低静态电流和停机电流加上快速瞬态响应以及采用很少外部组件的小解决方案占板面积… 相似文献
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Texas Instruments 《今日电子》2010,(9):71-72
TPS65137采用低压降(LDO)后置稳压器,可为实现稳定的画质提供具有最小输出电压纹波的线路与负载瞬态响应。其具有2.3~5.5V宽泛输入电压以及较少的外部组件,并采用3mm×3mmQFN/b型解决方案封装。主要特性:2.3~5.5V之间的宽泛输入电压使器件能够接受比正输出电压更高的正输入电压,同时还可保持正输出电压1%的稳压精度误差; 相似文献
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针对传统车载芯片中高压型低压差线性稳压器(LDO)的负载电流小、电源抑制比低、瞬态响应差等问题,提出了一种增强型高压LDO,通过一种新型高压预调制电路,提高了高压LDO的电源抑制比;通过一种新型摆率增强电路,改善了高压LDO的瞬态响应。电路基于BCD-120 V CMOS工艺完成建模,仿真结果显示,电压可调范围为5.5~55 V,输出5 V;负载电流为800 mA;低频电源抑制比为96 dB;1μs内负载电流从1 mA跳变到800 mA时,输出端最大上冲电压为26.6 mV,响应时间为8μs;下冲电压为45.4 mV,响应时间为7μs,满足车规级局域互联网(LIN)总线中高压LDO的性能要求。 相似文献
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《电子质量》2009,(2):22-22
LDO是一种线性稳压器。线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或FET,从应用的输入电压中减去超额的电压,产生经过调节的输m电压。所谓压降电压,是指稳压器将输出电压维持在其额定值卜下100mV之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。正输出电压的LDO(低压降)稳压器通常使用功率晶体管(也称为传递设备)作为PNP。这种晶体管允许饱和,所以稳压器可以有一个非常低的压降电压,通常为200mV左右;与之相比,使用NPN复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为2V左右。负输出LDO使用NPN作为它的传递设备,其运行模式与正输出LDO的PNP设备类似。 相似文献
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《国外电子元器件》2007,(10):78-78
凌力尔特公司推出具有两个LDO稳压器的集成式白光LED驱动器LTC3230,该器件在便携式电子产品中用于驱动主和副LED显示屏和提供低压系统电源轨。LTC3230驱动多达5个25mALED电流源,提供125mA的总输出电流,集成了两个200mALDO,具有单独的使能引脚以及分别低至1.2V和1.8V的引脚可选输出电压。IJTC3230的2.7V-5.5V输入电压范围已为单节锂离子/聚合物应用而优化。用锂离子电池(标称值为3.6V)驱动时,效率达91%。静态电流仅为400μA,最大限度地延长电池工作时间。LTC3230仅需6个小型电容器和一个电阻器就可组成纤巧扁平(封装占板面积〈9mm^2,高度为0.75mm)的解决方案。 相似文献
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提出了一种适用于闪存的瞬态增强的无片外电容低压差线性稳压器(LDO).该LDO采用了具有超低输出阻抗的缓冲器驱动功率管和高能效基准方法,缓冲器采用并联反馈技术降低输出电阻以增强功率管栅端的摆率.高能效基准电路在静态模式输出小基准电流以减少静态功耗,而在工作模式提供大的基准电流以增加闭环带宽和功率管栅端的摆率.设计的LDO应用于采用70 nm闪存工艺制造的、工作电压为2~3.6 V和存储容量为64 M的闪存中.测试结果表明,该LDO输出的调制电压为1.8V,最大输出电流为40 mA,在没有负载的条件下仅消耗8.5μA的静态电流,在满载电流变化时,用于闪存时仅有20 ns响应时间且最大输出电压变化仅为72 mV,满足高速闪存的要求. 相似文献
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为了延长便携式、可穿戴医疗设备的待机时间,设计了一种具有超低静态电流的低压差(LDO)线性稳压器。采用误差放大器与基准电路相结合的结构,在降低静态电流的同时减小芯片面积;其次,利用负载检测模块,降低了空载及轻载时过温保护和过流保护等模块的静态电流。采用自适应偏置电流技术来动态调整稳压环路各支路的工作电流以及零点频率补偿方式,解决了静态功耗与瞬态响应和环路带宽间的矛盾。该LDO线性稳压器采用0.35μm CMOS工艺进行流片加工,测试结果表明,该LDO线性稳压器静态电流为700 nA,最大负载电流为150 mA,轻载与满载跳变时上过冲电压为63 mV,下过冲电压为55 mV。 相似文献