共查询到20条相似文献,搜索用时 43 毫秒
1.
报道了高功率准连续波腔内和频全固态黄光激光器的研究结果.为获得高功率的黄光输出,首先,激光器采用准连续方式运转,在保持抽运水平的条件下降低热效应,从而提高光束质量和光光转换效率;第二,采用热近非稳腔腔型设计,双棒串接补偿热致双折射技术,获得大基模体积高光束质量的基频光;第三,通过优化腔型,采用L型共折叠臂平-凹对称腔,使两束基频光达到空间重合且满足功率配比.通过这些方法,得到了输出功率7.6W,重复频率1.1kHz的准连续波黄光输出.据我们所知,这是目前腔内和频方案所获得的最高功率全固态黄光输出.
关键词:
黄光激光
腔内和频
Nd:YAG激光
全固态激光器 相似文献
2.
3.
4.
5.
7.
8.
通过操控线性和非线性损耗,使激光器满足单频运转的物理条件,获得了稳定高功率单频激光输出.利用非线性损耗取代了现有的标准具锁定技术,实现无调制锁定的宽带连续可调谐激光输出. 相似文献
9.
《工程物理研究院科技年报》2009,(1):151-152
钠信标和瑞利信标是目前科学家们仅能采用的两种人造激光信标,而其中钠信标相比瑞利信标高度更高、斜程误差更小,更适合用于人造激光信标,将会在天文观测中得到应用。因此研制钠信标光源对于自适应光学校正具有重要的意义。由于钠原子吸收特性,钠信标光源的中心波长必须与钠原子的D2a吸收线(589.159nm)对准,且激光线宽小于3GHz,因此突破大功率钠信标光源技术面临诸多困难与挑战。 相似文献
10.
高功率固体激光在先进制造、能源、信息、医疗及国防等领域有广泛应用。激光陶瓷材料具有掺杂浓度均匀可控、抗激光热损伤能力强、易于制备大尺寸和复合结构等优点,被认为是高功率固体激光的重要增益材料。报道了本课题组近年来在高功率陶瓷板条激光方面的主要研究进展。采用中国科学院上海硅酸盐所制备的大尺寸Nd:YAG陶瓷板条,实现了平均功率4.35 kW的1 064 nm脉冲激光输出,脉冲宽度为160μs,重复频率为400 Hz。此外,采用中科院上海硅酸盐所制备的大尺寸Yb:YAG陶瓷板条,实现了平均功率9.8 kW的1 030 nm脉冲激光输出,脉冲宽度为560μs,重复频率为160 Hz,光光转换效率为60%。这些研究表明,激光陶瓷材料具备实现高功率、高光束质量与高效率激光的潜力。 相似文献
11.
12.
Laser-diode pumped passively Q-switched single-frequency Nd:YAG laser has been demonstrated with a Cr4+:YAG crystal as the saturable absorber. When pumped with a fiber-coupled CW laser diode, the laser produces pulses of 1.4-20.9 ns duration, with a repetition rate of 1.9-52.0 kHz. The highest peak power of 17.6 kW was obtained at an incident pump power of 1.8 W. The use of a Cr4+:YAG saturable absorber enables the laser to operate not only in a single-frequency mode but also linearly polarized. The mode selection mechanism is discussed. 相似文献
13.
14.
Ikeda M Uchida S 《发光学报》2001,22(Z1):83-86
在ELO-GaN基层上用激光进行条状化处理,可以明显地改善AlGaInN激光二极管的位错密度和界面的粗糙度.其结果是可使激光二极管的寿命,在50℃,30mW输出的连续工作条件下超过1000小时. 相似文献
15.
16.
本文提出并设计了适用于高功率固体激光器的新型谐振腔.使用腔内衍射滤波器以实现激光束高的光束质量,其衍射损耗作为耦合输出.实验上,获得了近衍射极限的100W量级激光输出. 相似文献
17.
衍射损耗耦合型高功率Nd:YAG激光器 总被引:1,自引:1,他引:0
本文提出并设计了适用于高功率固体激光器的新型谐振腔。使用腔内衍射滤波器以实现激光束高的光束质量,其衍射损耗作为耦合输出。实验上,获得了近衍射极限的100W量级激光输出。 相似文献
18.
19.
High Power All-Solid-State Nd:YVO_4 laser and its intracavity SHGHighPowerAll-Solid-StateNd:YVO_4laseranditsintracavitySHG¥ZH... 相似文献
20.
高功率808nm InGaAsP—GaAs分别限制结构的半导体激光器 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了研究分别限制结构InGaAsP-GaAs半导体激光器所得到的最新成果。利用引进的俄国技术,基于量子阱结构的InGaAsP-GaAs激光器,可用短时间液相外延技术制造。在GaAs衬底上制成的InGaAsP-GaAs分别限制结构的激光器,主要参数如下:发射波入λ=808nm,阈值电流密度J=300A/cm^2,对于条宽ω=100μm的激光器,连续功率为1-2W。 相似文献