共查询到20条相似文献,搜索用时 0 毫秒
1.
文章采用小型单层单相单向换能器,共线配置结构,一步制作工艺,研制了两种低插损(LIL)声表面波滤波器(SAWF).即a.新的浮动电极单向换能器(NFE—UDT),在 127.86°Y—X LiNbO_3基片上,相对带宽 2%左右,海明函数单加权,无调谐匹配下,50Ω系统用HP8753B网络分析仪测试器件IL小于7dB,阻带抑制大于40dB;b.电极宽度控制单向换能器(EWC/SPUDT),在ST—X石英基片上,相对带宽0.3%左右,海明函数双抽指加权,简单的串、并连电感调谐下器件IL小于4.5dB,阻带抑制大于4dB,低端50dB.两种器件达到国内外报导的同类器件水平.文章详细地介绍了有关的研制技术. 相似文献
2.
双曲锥形换能器能从一个宽的换能器孔径中的某点激励一束窄的SAW滤波束,这束SAW的中心沿换能器空间成线性变化。当它发出一束SAW,这种换能器就能进行空间频率分选,这就使得它成为制作滤波器组或频率分离多路器。采用双曲锥形换能器实现了制作14信道的信号倍增器,其中心频率为180MHz,带宽120MHz,带外抑制40dB,插损19dB,而采用级联SAW滤波器结构阻带抑制超过80dB,插损大约在30dB左右。 相似文献
3.
给出了采用扇形多电极换能器的SAW滤波器频率特性的分析结果.描述了决定着换能器发射声场和滤波器频率特性基本参数(与换能器拓扑结构及间距有关)的相互关系. 相似文献
4.
采用单层膜、梯形结构基于128°YX-LiNbO3材料研究了Al电极厚度、叉指占空比、反射栅周期、拓扑结构对插损、带外抑制和矩形度的影响。为了降低带内波动和插入损耗,该文设计了一种叉指换能器(IDT)型反射栅结构,该结构对采取优化措施前后谐振器的带内最大尖峰损耗分别降低了8.84%和0.55%。最后采用此反射栅结构设计了一款低插损高频声表面波(SAW)滤波器,有限元仿真结果表明,该滤波器的中心频率为2.520 5 GHz,插入损耗为-0.502 12 dB,带外抑制大于30 dB,-3 dB损耗带宽大于98 MHz。 相似文献
5.
为了提高叉指换能器的工作频率和克服亚微米工艺带来的困难,科研工作者提出许多不同的设计方法。在1995年的《准谐频叉指换能器》一文的成功设计方法的基础上,我们进一步改进提出了双谐频叉指换能器DHIDTs的设计方法,使得工作频率同时处于元因子和阵因子的谐频上。由于其更宽的指条宽度,更好的旁瓣抑制性能和低损耗,使之更适合于高频SAW器件。本文给出了双谐频叉指换能器的设计过程,理论计算与实验结果,表明理论 相似文献
6.
最近,报道了多种改进低损耗SAW滤波器用换能器的新结构.改进的换能器包括单相单向换能器(SPUDT)、群型单向换能器(GTUDT)、群型单相单向换能器,(GSPUDT)、新型单相单向换能器(MEMUDT、SUDT、RSUDT)以及低损耗SAW-TV-IF滤波器用的故意不完全的(intentionally inperfeet)单向换能器(HUT)等.本文叙述上述各种换能器结构的工作原理和结构设计.并介绍了几种实验性的低损耗SAW滤波器的主要性能. 相似文献
7.
单相单向换能器的低损耗SAW滤波器 总被引:1,自引:3,他引:1
概述了采用分布式反射的单相单向换能器及其设计,特别推荐了电极宽度控制的单相单向换能器,并报道了我们制作的几种低损耗滤波器结果。单级低损耗滤波器插入损耗为4.7~6.5dB,带外抑制达50dB。两级低损耗滤波器获得带外抑制近90dB,而插损仅为10dB。 相似文献
8.
9.
文章在127.86度Y切X传播的LiNbO3基片上研制了f0=30MHz sh cf gkp pa 19.3%,f0=60.5MHz相对带宽13.2%,f0=80MHz相对带度10%和f0=120MHz相对带宽10%的声表面波(SAW)滤波器,由于器件带宽较宽,其它指标要求也高,采用了性能较好的辛格函数*凯塞尔窗,结合一个多条耦合器(MSC)的结构,对器件进行了双加权,在采取抑制二次效应的措施,特别是V形包络后,通常 带更加平滑,阻带抑制达到50dB以上,极大的改善限器件性能。 相似文献
10.
当叉指换能器在基片上激励声表面波模式时,同时伴随着体声波的激励。文章根据叉指换能器的激励原理,采取对压电基片背面开槽抑制叉指换能器体声波进行了实验研究。分别在ST、LT、LN压电基片上背面开槽并制作了中心频率为28MHz、70MHz、71MHz、120MHz声表面波滤波器。实验观察了体声波的抑制情况,并得出了具体实验数据。 相似文献
11.
一、前言 声表面波(SAW)器件以它的独特优点已广泛用于军事、民品电子设备中,由于常规的叉指换能器(IDT)结构,SAW是双向传播的,存在6db的固有传播损耗。如果IDT与外部负载匹配以实现最小的插入损耗,则三次渡越回波抑制只有12db,使幅度和相位波动大到不能使用,通常解决的办法是使IDT失配增大插入损耗来降低三次渡越信号。不用任何办法设计出的常规SAW滤波器插入损耗在20db左右,在中频范围内,在电路中加一级 相似文献
12.
本文介绍了设计声表面(SAW)低损耗滤波器的叉指换能器(IDT)结构的发展历程,分析了IDT的原理及利弊关系,给出了设计低损耗SAW滤波器用的压电基片参数。 相似文献
13.
14.
利用自然单相单向换能器,可以制作低损耗的声表面波器件。因自然单相单向换能器基片的单向性依赖于晶体的取向,用常规的单指结构就可以获得单向性。为了得到低损耗的滤波器,在相对方向上的接受换能器也设计成单向传输。文中介绍了一种使自然单相单向换能器基片单向性反向传输的新型滤波器结构,并给出采用这种结构设计制作 的声表面波滤波器的结果。 相似文献
15.
采用带旁瓣的EWC单相单向换能器技术,研制中等相对带宽(5.6%~7.1%)和具有好矩形度的声表面波滤波器组。该滤波器组用于通信电子对抗,工作频率为30~40MHz,各信道的矩形系数为1.6,信道插入损耗15dB,滤波器组输入端口的驻波系数小于1.5。 相似文献
16.
通信系统向高频的发展趋势使声表面波(SAW)滤波器技术面临着越来越多的挑战。利用传统材料制作SAW滤波器的中心频率很难达到GHz频段,因此探索在高声速材料基础上制作SAW滤波器成为一种必然趋势。基于高声速材料金刚石设计了IDT/ZnO/金刚石结构的薄膜SAW滤波器,设计了镜像阻抗连接IDT的结构参数,并采用ADS软件对该结构进行了建模仿真。然后,通过ZnO薄膜制备工艺和IDT电极制备工艺,获得了金刚石SAW滤波器样品。最后,采用RF探针台对所制得的样品进行了性能测试和数据分析。测试结果表明,在金刚石厚膜衬底上获得了频率超过1 GHz的SAW滤波器样品。 相似文献
17.
18.
本文讨论了研制的两种无绳电话机用声表面波滤波器,中心频率为46.57MHz和49.9MHz;△f_(-3dB)=1.7MHZ;插损≤10dB;△f_(-40dB)/△f_(-3dB)≤3.5;阻带抑制≤-40dB。采用了低插损的三换能器结构。输入叉指换能器采用了波阵面均匀的孔径加权和相位加权,减小了变迹损耗。理论计算与实验结果一致。 相似文献
19.
传统材料制备的声表面波(SAW)滤波器的中心频率f大多位于较低的频段(f<500 MHz),但是无线通信频段逐渐向着高频化的方向发展,因此在SAW器件领域中引入高声速材料如金刚石以提高中心频率成为一种必然趋势。基于金刚石材料、采用ZnO/IDT/金刚石新型结构,设计了交错叉指结构和镜像阻抗连接结构的叉指换能器(IDT)参数。通过优化的工艺制备流程,获得了金刚石SAW滤波器样品。最后采用RF探针台对样品进行了性能测试和数据分析。测试结果表明制备的SAW滤波器样品的测试结果与理论值比较符合,交错叉指结构滤波器获得了很低的插损,镜像阻抗连接结构滤波器有效地提高了带外抑制度。样品IDT指宽2μm,SAW滤波器中心频率可达0.775 GHz。 相似文献