Cd_(1-x)Zn_xTe晶片中Zn组分的室温显微光致发光平面扫描表征

用显微光致发光 (μ- PL)平面扫描的方法对 Cd Zn Te(CZT)晶片进行了研究 .分别在 19μm× 16 μm的缺陷区域进行微米尺度和 7.9mm× 6 .0 mm的大面积范围内进行毫米尺度的逐点 PL 测量 .对测得每一点的 PL 谱进行了拟合 ,得到测量点的禁带宽度等参数 ,其平面分布对应于 CZT中 Zn的组分分布 .统计的结果给出禁带宽度的不均匀性 .对样品进行溴抛光后重复类似的测量 ,结果表明禁带宽度的均匀性大为改善 ,接近了材料组分的真实分布     

Cd1-xZnxTe晶片中Zn组分的室温 显微光致发光平面扫描表征

用显微光致发光（μ-PL）平面扫描的方法对CdZnTe(CZT)晶片进行了研究．分别在19μm×16μm的缺陷区域进行微米尺度和7.9mm×6.0mm的大面积范围内进行毫米尺度的逐点PL测量．对测得每一点的PL谱进行了拟合,得到测量点的禁带宽度等参数,其平面分布对应于CZT中Zn的组分分布．统计的结果给出禁带宽度的不均匀性．对样品进行溴抛光后重复类似的测量,结果表明禁带宽度的均匀性大为改善,接近了材料组分的真实分布．     

Cd1—xZnxTe晶片室温显微光致发光平面扫描谱

主要介绍用微米级空间分辨率的显微光致发光(μ-PL)平面扫描谱对CdZnTe(CZT)晶片表面亚微米层特性进行的研究。     

"神舟3号"上生长Cd1-xZnxTe晶片Zn组分分布的显微荧光研究

用显微荧光(μ-PL)方法对在我国"神舟3号"上空间生长的CdznTe晶片中zn组分分布的研究.对晶片的单晶"壳"区及未完全熔化的"芯"区中的小结晶区域进行了逐点PL测量.对测得每一点的PL谱进行了拟合,得到测量点的禁带宽度参数Eg,其分布对应于CdznTe中zn的组分分布.测量结果给出了空间生长晶片zn组分布的变化趋势和统计规律.作为比较,测量并分析了一块采用相同方法在地面生长的CdznTe晶片.     

CdZnTe晶片显微光致发光谱中的等效温度分布研究

提出并实现了用微米级空间分辨率的显微光致发光（μ-PL)平面扫描谱对CdZnTe(CZT)晶片的表面亚微米层特性研究。在含缺陷区域进行微米尺度和在大面积范围内进行毫米尺度的逐点PL测量。对测得每一点的PL谱进行了拟合。拟合参数中等效温度Tc的统计分布给出两个分布中心,表明存在有两种机制的发光过程。同时统计结果给出发光各点的不均匀性。等效温度的平面分布图直观地给出了各温度的平面位置,样品经溴 抛光后重复类似的测量,结果表明等效湿度的统计均匀性大为改善。抛光后的不同的缺陷点表现出不同的发光特性,意味着各自起源的不同。大面积PL扫描的统计结果和平面分布给出样品特性的整体评价。     

碲锌镉晶体Zn组分的光致发光实用化研究

利用激光显微光致发光光谱仪测试了碲锌镉晶片的室温显微光致发光谱,对测得的光致发光谱进行拟合得到碲锌镉材料带隙的Eg值,根据实验总结出的Eg与Zn组分的室温计算公式,结合自主开发的Zn组分计算程序得到碲锌镉晶片上的Zn组分。所得的Zn组分结果用X射线双晶衍射进行验证,结果显示,室温下显微光致发光测得的Zn组分是相对准确可信的,可作为大量常规工艺测定Zn组分的有效工具,并且获得的Zn组分可成为外延碲镉汞薄膜时筛选匹配衬底的重要依据,同时还为研究和优化碲锌镉晶体生长工艺提供重要帮助。     

Cd1-xZnxTe合金的退火研究

用红外透射谱和喇曼散射谱研究了退火对 Cd1 - x Znx Te晶片中 Te沉淀的影响 .研究结果表明 ,红外透射谱只对大尺寸的 Te沉淀较为敏感 ,而喇曼散射谱却能够探测到样品中小尺寸的 Te沉淀 ,两者互为补充 .在 Cd气氛下对晶片进行退火处理 ,选择合适的退火温度和退火时间 ,可以有效地消除晶片中大尺寸的 Te沉淀 ,却难以消除晶片中小尺寸的微量 Te沉淀     

Cd1-xZnxTe合金的退火研究

用红外透射谱和喇曼散射谱研究了退火对Cd1-xZnxTe晶片中Te沉淀的影响．研究结果表明,红外透射谱只对大尺寸的Te沉淀较为敏感,而喇曼散射谱却能够探测到样品中小尺寸的Te沉淀,两者互为补充．在Cd气氛下对晶片进行退火处理,选择合适的退火温度和退火时间,可以有效地消除晶片中大尺寸的Te沉淀,却难以消除晶片中小尺寸的微量Te沉淀．     

基于肖特基电流输运模型和扫描分布电阻显微术的窄量子阱载流子浓度表征

目前对于纳米尺度半导体材料的局域电导与对应载流子浓度关系的描述主要以参数拟合为主。其关系模型主要依赖人工拟合参数, 例如理想因子。所以无法从测得局域电导分布来推出载流子浓度分布。为此, 提出了一种获取量子阱中载流子浓度的模型。通过小于10nm分辨的截面扫描分布电阻显微术, 测得了GaAs/AlGaAs量子阱 (110) 截面的局域电导分布。基于实验设置, 提出了只含有掺杂浓度参量的实验描述模型。通过模型, 由测得的量子阱 (掺杂浓度从1016/cm3到1018/cm3) 局域电导分布, 推导出了其载流子分布。相对误差在30%之内。     

Cd1-yZnyTe的Zn组分面分布及均匀性控制

随着HgCdTe红外探测器尺寸规模的扩大,晶格匹配的Cd1-yZnyTe衬底组份均匀性越来越受到重视。由于在CdZnTe晶体中Zn的分凝系数大于1,晶片中Zn组分分布不均匀,从而使HgCdTe外延薄膜不同区域因晶格失配而产生位错的情况不同, 精确测量CdZnTe衬底的Zn组分及其均匀性是十分必要的。高分辨率X射线衍射是精确测量晶格常数和Zn组分的有效方法之一,但不适合常规面分布测定,而采用红外透射光谱法则能够在短时间内及实验容许的误差范围内快速获得CdZnTe中Zn组份的分布。另外,对锭条上不同方位的晶片进行径向和横向面分布红外透射光谱测量,可为组份均匀性控制提供依据。     

（英）沉积参数对射频磁控溅射制备的碲锌镉薄膜的影响

采用Cd096Zn0.04Te靶,利用射频磁控溅射制备碲锌镉薄膜,通过改变基片温度、溅射功率和工作气压,制得不同的碲锌镉薄膜.将制备的碲锌镉薄膜放置在高纯空气气氛中,在473 K温度下退火.利用台阶仪、分光光度计、XRD和SEM测试设备表征,结果表明,通过退火和改变沉积参数,可以制备出禁带宽度在1.45～2.02eV之间调节的碲锌镉薄膜.     

高阻值Cd1-xZnxTe晶体的生长及其性能测试

通过适当的工艺措施，采用Bridgman法生长了直径为30mm的X射线及γ射线探测器级的Cd.9Zn0．1Te晶锭．测试结果表明：该晶锭结晶质量良好，位错密度低，成分均匀，杂质含量低，红外透过率和电阻率都十分接近本征Cd.9Zn0．1Te的值．并从晶体的生长特性、缺陷和杂质的角度，分析了生长高性能晶体的条件，研究了生长Cdl-xZnxTe晶体的x值与缺陷和杂质浓度之间的关系．     

Cd_(1-x)Zn_xTe多晶薄膜的制备、性能与光伏应用

用共蒸发法制备了 Cd1 - x Znx Te多晶薄膜 ,薄膜结构属立方晶系空间群 F4 3m.通过透射光谱的测量 ,计算光能隙 ,得到室温时薄膜的光能隙随组分 x值的变化满足二次方关系 .作为对异质结界面的修饰 ,提出了有 Cd1 - x-Znx Te过渡层的 Cd S/ Cd Te/ Cd1 - x Znx Te/ Zn Te∶ Cu电池 .并在相同工艺下制备了 Cd S/ Cd Te/ Cd0 .4 Zn0 .6 Te/ Zn Te∶ Cu与 Cd S/ Cd Te/ Zn Te∶ Cu太阳电池 ,发现前者比后者效率平均增加了 35 .0 % .     

高阻值Cd1-xZnxTe晶体的生长及其性能测试

通过适当的工艺措施,采用Bridgman法生长了直径为30mm的X射线及γ射线探测器级的Cd0.9Zn0.1Te晶锭.测试结果表明:该晶锭结晶质量良好,位错密度低,成分均匀,杂质含量低,红外透过率和电阻率都十分接近本征Cd0.9Zn0.1Te的值.并从晶体的生长特性、缺陷和杂质的角度,分析了生长高性能晶体的条件,研究了生长Cd1-xZnxTe晶体的x值与缺陷和杂质浓度之间的关系.