OⅠ等电子序列2p~3s、2p~3d组态能级的递推公式

基于ＨＦ方程的微扰公式及ＯⅠ等电子序列光谱观测值,导出该序列的能级递推公式并用于计算,平均相对误差１０－６。     

高剥离态原子能级的等电子序列拟合公式

研究了高剥离态原子能级ＨＸＲ或ＨＦＲ方法的理论计算与实验值之差△Ｅ与净电荷数Ｚｃ沿等电子序列的变化规律，提出△Ｅ与净电荷数Ｚｃ之间的一般拟合公式，并给出沿等电子序列△Ｅ与Ｚｃ半径验拟合公式。用此公式内插、外推，可实现离子未知能级的预测。     

类镓等电子序列ZrX—RhXV离子的4s^24p—4s^24d,4s^24p—4s4p^2,4s^24 …

本文对类镓等电子序列ＧａＩ－ＸｅＸＸＩＶ离子４ｓ＾２４ｐ、４ｓ＾２４ｐ、４ｓ＾２４ｄ、４ｓ４ｐ＾２、４ｐ＾３和４ｓ＾２５ｓ组态组级结果和组态相互作用了理论分析，找出沿等电子序列的变化规律。     

类氧离子能级的递推公式

推广ＨＦ方程的微扰展开式，导出类氧离了的４５个组态能级的递推公式，该公式适用于２７≤Ｚ≤９２的类氧离子。     

类铁等电子序列AsⅧ—SrXⅢ离子能级和波长的计算

通过分析类铁等电子序列ＡｓⅧ一Ｓｒ离子的能级结构，找出ΔＥ随Ｚｃ的变化规律，系统计算了ＡｓⅧ－ＳｒⅩⅩⅧ离子３Ｐ６ｄ８和３Ｐ５３ｄ９组态的能级和跃迁波长，与实验结果进行了比较。     

类铁等电子序列AsⅧ—SrⅫ离子能级和波长的计算

通过分析类铁等电子序列ＡｓⅧ－ＳｒⅫ离子的能级结构，找出△Ｅ随Ｚｃ的变化规律，系统计算了ＡｓⅧ－ＳｒＸＸＶＩＩＩ离子３ｐ＾６ｄ＾８和３ｐ＾５３ｄ＾９组态的能级和跃迁波长，与实验结果进行了比较。     

类镓等电子序列PdⅩⅥ—TeⅩⅫ的4s^24p—4s4p^2,4s^24p—…

对类镓等电子序列ＧａⅠ－ＸｅⅩⅪⅤ离子４ｓ＾２４ｐ，４ｓ４ｐ＾２，４ｓ＾２５ｓ组态能级结构和组态相互作用进行了理论分析，找出沿等电子序列的变化规律。用我们提出的拟合公式预测ＳｎⅩⅩ－ＴｅⅩⅫ离子４ｓ＾２４ｐ，４ｓ４ｐ＾２，４ｓ＾２５ｓ组态能级，并给出４ｓ＾２４ｐ－４ｓ４ｐ＾２，４ｓ＾２４ｐ－４ｓ＾２５ｓ谱线波长和ＨＸＲ方法的理论计算振子强度，理论计算值与实验值进行了比较。     

OⅠ等电子序列2p33s、2p33d组态能级的递推公式

基于HF方程的微扰公式及OⅠ等电子序列光谱观测值,导出该序列的能级递推公式并用     

CⅠ等电子序列离子组态能量Z相关修正的改进

以相对论多体微扰理论为基础,利用屏蔽理论的思想和方法,引入并改进了与核电荷数Z相关的能量修正函数,计算了CⅠ等电子序列离子（6<=Z<=55）基组态(1s2 2s2 2p2)和第一激发组态(1s2 2s2 2p1)能量.计算过程基于自编的C语言和Mathematica程序,所得结果与实验值符合的很好,大大减小了由于忽略能量高阶项产生的误差,证明此项改进适用于等电子序列离子组态能量的计算.     

CuⅠ-AsⅤ离子3d104s-3d94s4p跃迁组态的能级和振子强度

利用组态相互作用理论和参数拟合内插的方法计算了类铜ＣｕⅠ－ＡｓⅤ离子３ｄ１０４ｓ－３ｄ９４ｓ４ｐ跃迁组态的能级、谱线波长和电偶极跃迁的振子强度。３ｄ９４ｓ４ｐ组态能级的所有计算结果与现有实验数据符合得很好。而ＺｎⅡ和ＧａⅢ离子的大部分能级纯属预测计算结果。给出了３ｄ１０４ｓ－３ｄ９４ｓ４ｐ能级跃迁的谱线波长和振子强度。     

势阱中粒子能级与波函数微扰计算的代数递推公式

利用超位力定理（HVT）和Hellmann-Feynman定理（HFT）,导出了由有精确解的势阱的能级值用微扰法直接计算一维势阱的各级近似能级的普遍代数公式,并导出由能级近似值计算定态波函数近似表达式的代数公式,给出了代数公式具体应用的几个典型一维势阱实例,此法可推广到二维势阱与三维势阱的情形。     

二价硅离子高于3s3p态能级间自旋允许跃迁的理论计算

在最弱受约束电子势模型理论中，电子被分成最弱受约束电子和非最弱受约束电子，而假定最弱受约束电子在核和非最弱受约束电子形成的势场中运动，这样许多多电子体系的问题可以简化成最弱受约束电子的单电子问题来解决．最弱受约束电子势模型理论已经被成功地应用于跃迁几率，振子强度和原子能级的计算．应用一组方程计算了Si III的离子自旋允许跃迁的跃迁几率，计算结果与标准值比较是相当令人满意的，误差均在15%以下．而且表明最弱受约束电子势模型理论可以非常简便并准确地应用于计算高激发态间的跃迁几率．     

Construction of AFLT States by Reflection Method and Recursion Formula

The AFLT states ｜P〉Y1,Y2 has reflection symmetry, S^n｜P〉Y1,Y2 = ｜- P〉Y2,Y2, nb =-2P, where S is the screening charge. AFLT state can be constructed using this reflect symmetry. We propose a recursion formula for this construction. The recursion formula is factorized completely.     

Transition probabilities for NII 2p4f-2p3d and 2s2p^23d-2s2p^23p obtained by a semiclassical method

Based on NII spectra, some transition probabilities for 2p4f--2p3d and 2s2p$^2$3d--2s2p$^2$3p are obtained by a semiclassical method. The results are in good agreement with other measurements and the data reported by the National Institute of Standards and Technology. The transition probability for a line of 424.18nm is reported for the first time. Meanwhile, a feasible method of calculating transition parameters related to special excited configurations or highly excited states is provided.     

Fine structure and isotope shift of the 3s4d 3 D-3s3p 3 P, 3s5d 3 D-3s3p 3 P and 3p 2 3 P-3s3p 3 P Transitions of MgI

Summary We report the measurements of the³ D(3s4d)-³ P(3s3p)³ D(3s5d)-³ P(3s3p), and³ P(3p ²)-³ P(3s3p) transition frequency of MgI, the fine-structure separation and isotope shift between²⁴Mg and²⁶Mg. The measurements have been performed in a metastable atomic beam; a good agreement is found for data already existing in the literature. The accuracy of the measurements reported in this paper is mainly limited by the Doppler broadening of theI ₂ transitions used as a reference and by the precision in the knowledge of the related wavelengths.     

类Li硼离子内壳层三重激发态2s2p~2的结构和俄歇过程

采用基于全相对论框架的多组态Dirac-Fock方法,研究了类Li硼离子内壳层三重激发态2s2p~2的结构和俄歇退激发过程.为了充分考虑电子关联效应,将活动空间扩展到n=8壳层.详细讨论了电子关联效应对类Li硼离子内壳层三重激发态2s2p~2结构和俄歇退激发过程的影响.结果表明,在对类Li硼离子内壳层三重激发态2s2p~2进行理论研究时,有必要考虑来自n=8壳层的电子关联效应.本文模拟的类Li硼离子内壳层三重激发态2s2p~2的俄歇电子谱与实验符合好.     

类Li硼离子内壳层三重激发态2s2p2的结构和俄歇过程

采用基于全相对论框架的多组态Dirac-Fock方法,研究了类Li硼离子内壳层三重激发态2s2p2的结构和俄歇退激发过程。为了充分考虑电子关联效应,将活动空间扩展到n=8壳层。详细讨论了电子关联效应对类Li硼离子内壳层三重激发态2s2p2结构和俄歇退激发过程的影响。结果表明,在对类Li硼离子内壳层三重激发态2s2p2进行理论研究时,有必要考虑来自n=8壳层的电子关联效应。本文模拟的类Li硼离子内壳层三重激发态2s2p2的俄歇电子谱与实验符合好。