Si中D_(3d)对称性态密度分布和缺陷对电子结构

本文考虑了晶体中总的电子态密度在低对称性下用点群不可约表示基函数分解的问题,并给出了Si中用D_(3d)群不可约表示基函数分解最近邻两原子总态密度的计算结果。结合在位势近似Koster-Slater格林函数方法,文中将计算结果用于Si中双空位和硫属元素杂质对(S_2~0,Se_2~0和Te_2~0)缺陷态电子结构的讨论。讨论得到的结果是:与点缺陷和缺陷对的深缺陷态对称性相匹配的部分态密度的分布是相似的;在态密度对缺陷能级的驱赶作用下,S_2~0等的A~s能级在A~s能级之上,双空位的E_g能级在E_u能级之上,这种情况与通常双原子分子成反键能级位置完全相反;所讨论的缺陷对的波函数在Bloch空间的分布情况与对应的点缺陷类似。     

T1u×hg Jahn-Teller系统：D3d势阱中的频率分解与能级分裂

在C60分子中，未被填充的最低电子态具有T1u对称性，因此，对中性的C60而言，不论是通过分子内部激发，或是外部掺杂，都易被一个电子占据而形成Jahn-Teller（JT）活跃电子态.此态与五重简并的hg声子态耦合，构成所谓的T1u-hg -JT系统.在这一JT系统中，当只考虑电声的线性耦合时，其绝热势能面是一个槽形.但在实际的系统中，二阶电声耦合是存在的，理论研究表明，原来的势槽将被这二阶非线性耦合弯曲成D3d或D5d对称性的势阱.声子振动态在阱中将显示各向异性效应，使得声子沿不同的方向有不同的振动频率，进而影响势阱中的能级分布、势阱间的重叠积分，以及整个系统的隧道能级分裂等.对D3d势阱中各向异性效应进行了研究，利用幺正平移、?pik Pryce和标度变换等方法计算了系统势阱中的能级，以及阱中的振动频率，研究了势阱中的能级间隔以及微绕修正能量的变化，并由此导出了这些物理量在仅有线性耦合的势槽中变化的情形. 关键词： C60 Jahn-Teller效应 各向异性 电声耦合     

含铀化合物UAl3和USn3电子结构的密度泛函研究

用第一性原理的全势能LMTO密度泛函能带计算方法研究了具有简单立方Cu₃Au 结构的含U化 合物UX₃(X=Al, Sn)的电子结构.对于重原子U的相对论效应，除了用标量相对论 加以修正 外，还加入了自旋-轨道耦合的修正.研究结果定性地说明了由于不同的交换关联电子势场的 作用，在这两种结构相同的含U合金中，U的5f电子态具有完全不同的性质，即在UAl_{3< /sub>和US n3中U的5f态分别表现为巡游扩展态和局域态行为，通过St 关键词： 铀化合物 电子态 密度泛函理论 自旋-轨道耦合}     

Si中B-空位复合缺陷的电子结构

本文对Si中B-空位(BV)缺陷的电子结构,提出一个“五个空杂化轨道”的简化理论模型。用紧束缚的Koster-Slater格林函数方法,算得的空位最近邻原子的超精细相互作用常数,以及电子波函数在远离空位的几率分布都同电子-核子双共振实验结果相符合。理论确定的深能级位置同深能级瞬态谱的实验值相比拟。协调了现有BV°缺陷的实验资料,支持了B原子位于空位的次近邻,BV°缺陷处于B^-V⁺电荷态的结论。 关键词：     

室温下LaCoO3电子结构的密度泛函研究

钙钛矿,LaCoO₃,密度泛函     

PbWO4电子结构的密度泛函计算

采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法模拟计算了PbWO₄晶体的本征能级结构.发现价带主要由O2p轨道组成,含有部分W5d轨道;导带主要由W5d和O2p的轨道组成.发现导带底由Pb6p_1/2的狭窄能级占有.禁带宽度和价带宽度分别约为4.8和4eV.计算结果很好地解释了实验得到的反射谱,并从理论上分析了PbWO₄晶体蓝光的发光模型. 关键词： 密度泛函 电子结构 4')" href="#">PbWO₄     

Si基外延Ru2Si3电子结构及光学性质研究

采用基于第一性原理的赝势平面波方法,对异质外延关系为Ru₂Si₃ （100）//Si（001）,取向关系为Ru₂Si₃［010］//Si［110］正交相的Ru₂Si₃平衡体系下的能带结构、态密度和光学性质等进行了理论计算.计算结果表明：当晶格常数a取值为1093 nm时,正交相Ru₂Si₃处于稳定状态并且是具有带隙值 关键词： 外延 第一性原理 电子结构 光学性质     

GaP中替代缺陷对的A1对称性深能级波函数

本文在Koster-Slater格林函数方法和在位(onsite)势近似的基础上,提出了一个计算替代杂质对的完整方法,并成功地应用于GaP中O替代杂质对。第一次给出了O-Zn和O-Cd对的波函数。我们发现波函数主要集中在O周围4个格点并指向O的化学键上。然而在这4个键上,波函数的分量并不相等,在O—杂质键上的分量要比其它键上的值小。杂质的排斥势越大,则分量值的不平衡越明显。而波函数的其余部分较为平坦地分布在一相当大的空间内。 关键词： GaP     

对氯氟苯S0, S1和D0态的实验与理论研究

本文采用共振增强多光子电离和慢电子速度成像技术研究了对氯氟苯(p-ClFPh)在中性第一激发态和阳离子基态下的几何结构和振动频率. 给出了对氯氟苯S₀态的红外光谱和S₁←S₀跃迁的吸收光谱. 基于单色、双色共振增强双光子电离技术,得到了对氯氟苯的跃迁激发能是36302±4 cm^-1. 通过阈值电离测量,外推得到对氯氟苯的绝热电离能为72937±8 cm^-1. 此外,通过Franck-Condon模拟,确定了S₁和D₀态的主要振动模式,并分析了对氯氟苯分子S₀&S₁和S₁&D₀跃迁过程中的Duschinsky振动模式混合效应.     

缺陷态对Y掺杂BaZrO3的质子导电性的影响

核能是一种新型能源, 其开发和利用对氢同位素分离和纯化提出了迫切要求. BaZrO₃基钙钛矿氧化物是一种有效分离纯化氢同位素的材料, 本文采用高温固相法制备了BaZr_1-xY_xO_3-δ (0≤ x ≤0.3)系列样品, 射线衍射光谱分析表明Y的最大掺杂浓度在0.24-0.26之间. 在600 ℃干燥氢气气氛下, 由电化学阻抗谱测试可知, 掺20 mol%Y 的BaZr_1-xY_xO_3-δ样品电导率可达σ =0.00150 S/m, 较BaZrO₃基质材料的电导率高接近两个数量级. 利用热释光谱和发射光谱研究了系列样品缺陷类型, 结果表明BaZrO₃基质材料存在两种对质子传导有利的氧空位(V_o^..); 当掺入Y 后, 除氧空位之外, 样品还出现了带负电的质子俘获型缺陷Y_Zr', 且 Y_Zr'缺陷的数量随着Y掺杂浓度增加而增多; 同时出现了缺陷陷阱深度变浅导致对质子捕获能力降低的现象, 有利于提高质子导电性. 本文通过发射光谱和热释光谱相结合, 有效地研究了BaZr_1-xY_xO_3-δ材料的缺陷类型.     

Si中S0/Se0,S0/Te0和Se0/Te0对的电子结构

利用紧束缚近似下的格林函数方法,讨论了Si中硫属元素混对杂质(即S⁰/Se⁰,S⁰/Te⁰和Se⁰/Te⁰)基态的电子结构。混对杂质在Si禁带中引入两个A₁能级,其中成键性的A₁能级位置在反键性的A₁能级之上。数值计算得到的混对杂质能级与实验符合得相当好。理论分析表明,在Si中测到的那些未定的比最近邻混对杂质能级更浅的能级(S⁰/Se⁰(X₁),S⁰/Te⁰(X₁),Se⁰/Te⁰(X₁)…)不是由非最近邻位型的混对杂质引入的。本文还指出了一个极性分子放入Si晶体中,两个不同原子间s波函数的转移方向与通常极性分子相反,并讨论其物理原因。 关键词：     

Si中S0对、Se0对和Te0对的电子结构

利用紧束缚近似下的格林函数方法,讨论了Si中(S⁰)₂,(Se⁰)₂及(Te⁰)₂基态的能级和波函数。分析了几种不同的观点。(S⁰)₂,(Se⁰)₂及(Te⁰)₂均在禁带中引入一个对称性的A_1g能级和一个反对称性的A_2u能级,二者都是填满的。现有实验观测到的是较高的A_1g能级。从理论上指出了对称性的A_1g能级反而高于反对称性的能级的原因。而Si中(Se₂)⁺的g因子测量值和(S₂)⁺,(Se₂)⁺的ESR实验结果也支持本文的观点。 关键词：     

D3d distortion in CsUF6

A slight D_3d distortion on the octahedral UF₆^? complex splits the Γ^'₈ and Γ₈ octahedral levels into four doublets. These doublets and other electronic levels of the CsUF₆ ground configuration have been identified according to their vibronic side-bands. In the calculation of the crystal field Hamiltonian, the amount of D_3d distortion on the UF₆^? octahedron is treated as the parameter, Δ. The interactions of the 5f electron of the UF₆^? complex contains five parameters: ξ_5f, B₂⁰, B₄⁰, B₆⁰ and Δ. The calculated energy spectrum and the g-tensor of the ground state show good agreement with the experimental measurements.     

Si3N4Si量子点电子结构的理论研究

采用经表面优化的对称球形团簇作Ｓｉ₃Ｎ₄，Ｓｉ晶态量子点的模型，利用紧束缚近似和ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法研究了它们的电子结构，给出了导带底和价带顶位置随量子点尺寸的变化。得到了３２８原子Ｓｉ₃Ｎ₄量子点、３２３原子Ｓｉ量子点的中心原子局域态密度及平均态密度，并讨论了态密度和光谱结构的关系，中心原子局域态密度能较好地描述量子点的光谱，这一点得到了实验结果的证实。 关键词：     

硅中替位式和间隙式IB族杂质的电子态

我们对硅中IB族杂质Cu,Ag和Au的单粒子电子结构用自洽的Xα-SW法作了计算。用集团XSi₄Si′₁₂和XSi₁₀Si′₁₆分别模拟替位式和四面体间隙式杂质X所局域微扰的硅晶体。这两类集团已广泛地得到采用,我们已经成功地用它研究硅中4d过渡金属杂质的性质。计算得到;替位杂质在带隙中导致一个t₂能级,它几乎不具有d性质而是类悬挂键的。间隙杂质在带隙中导致一个a₁能级,对于Si:Au,此能级位置接近导带底,轨道是非常离域的。此外,还得到一个位于价带底之下类s的超深能级。对硅中1B族杂质的电子性质的趋势作了详细讨论。 关键词：     

A DISCRETE VARIATIONAL METHOD STUDY ON THE ELECTRONIC STRUCTURES OF CaMnO3 AND LaMnO3

The electronic structures of the perovskite oxides, LaMnO₃ and CaMnO₃, with various magnetic structures are studied using the first-principles discrete variational (DV) cluster method based on ab initio local-spin-density approximation (LSDA). The ground states of different magnetic phases (including ferromagnetic (FM), A-type antiferromagnetic (A-AFM), and G-type antiferromagnetic (G-AFM)) have been described in this work. The cubic CaMnO₃ with observed G-AFM magnetic order is found to have a 0.1 eV calculated gap. Both FM CaMnO₃ and LaMnO₃ have "half-metallic" character, which is in agreement with other works. LaMnO₃ with both A-type and G-type antiferromagnetic order have metallic band structures. Part of Jahn-Teller (JT) distortion (Q₂ type) has been taken into consideration for A-AFM LaMnO₃. Under Q₂ type JT distortion, the occupied and unoccupied states of O 2p and Mn 3d states move farther away from the Fermi energy. It is also found that the distortion can further stabilize the structure. The density of states and the binding energy of the distorted A-AFM LaMnO₃ are given in this paper.     

稀土金属Sm/Si(100)2×1界面形成电子结构的同步辐射光电子能谱研究

利用同步辐射芯能级和价带光电子能谱研究了室温下Ｓｍ／Ｓｉ（１００）２×１界面的形成与电子结构．实验结果表明，膜生长有几个不同阶段，分别为Ｓｍ原子聚集（Θ＜０.５ＭＬ）、反应扩散（０.５ＭＬ≤Θ≤４—６ＭＬ）和金属Ｓｍ膜生长．与Ｓｉ（１１１）７×７相比，Ｓｍ在Ｓｉ（１００）２×１的界面反应和扩散都得到加强．结合理论模型，讨论了该界面的形成与界面结构     

GaAs1-xPx中3d过渡金属杂质的电子结构

本文推广了Vogl等人的理论方法,将其用于对GaAs_1-xP_x中3d过渡金属杂质电子结构的研究。文中就不同的合金成份x,预言了不同3d杂质的受主能级、施主能级、局域电荷和自旋密度。理论预言与实验数据符合,并且揭示了它们的主要化学趋势。文中还就与理论和实验结果变化趋势有关的物理机制进行了讨论。 关键词：     

Zn局域替代YBa2Cu3O7中的Cu引起的电子结构变化

本文用Recursion方法研究Zn局域替代Ba₂Cu₃O₇中的Cu(2)引起的电子结构变化。研究表明,Zn的替代对替代晶位及其近邻的电子结构性质有重要影响。这些性质包括分波态密度、成键态的类别和强弱、晶位上原子的原子价等。计算结果的分析指出,Zn替代将导致电荷发生迁移,使CuO₂层层内的空穴减少。我们认为,电荷分布发生的这种变化是Zn低浓度替代时YBa₂Cu₃O_{7 关键词：}