微型环流器的电磁测量

本文概述了微型环流器的几项电磁测量方法及其实验结果。利用磁探头测量了等离子体柱的位移,对等离子体平衡和稳定性作了进一步的观测。利用等离子体反磁测量得到T_e+T_i为36—50电子伏,τE约为80微秒。利用自制的参数测量仪测量了具有时间分辨的等离子体电导率与欧姆加热功率。由电导率及静电探针测量得到T_e约为20电子伏。由静电探针测量得到n_e约为10~(13)厘米~(-3)。     

微型环流器孔栏的表面分析

微型环流器(简称微环)放电锻炼后,于不锈钢孔栏表面单极弧坑区取样,用二次离子质谱仪进行了表面分析。发现这样品于室温下自发热解吸的主要气体是甲烷(M/e=16)等;在它的表面二次离子谱中,发现质荷比小于16的碳氢污染已有所减少,孔栏基体金属铬铁钦及其氧化物、氢氧化物的计数则明显增加,证实了化学作用在托卡马克氢放电锻炼中的重要作用。在该样品的氢剖面分析中,发现氢粒子的透入深度已越2000(1=10~(-10)m)。在敷于不锈钢孔栏表面的铜样品的二次离子谱中,观察到铬和铁的计数明显增长,从而揭示出了单极弧区的某些特点。     

振镜法测量等离子体离子温度

 离子温度是托卡马克等离子体一个重要参数，介绍了一套振镜扫描装置，该装置主要由0.5m单色仪和安装在出射狭缝前的振动的石英镜片组成，时间分辨率小于10ms，系统测量误差小于20eV。测量了HT-6M托卡马克CV(227.1nm)谱线的线形，并由谱线的多普勒展宽得出欧姆加热和离子回旋共振加热（ICRH）下的离子温度，结果表明ICRH期间离子温度由200eV升高到300eV。这套装置广泛应用在中小型托卡马克上。     

振镜法测量等离子体离子温度

离子温度是托卡马克等离子体一个重要参数,介绍了一套振镜扫描装置,该装置主要由0.5m单色仪和安装在出射狭缝前的振动的石英镜片组成,时间分辨率小于10ms,系统测量误差小于20eV。测量了HT-6M托卡马克CV(227.1nm)谱线的线形,并由谱线的多普勒展宽得出欧姆加热和离子回旋共振加热（ICRH）下的离子温度,结果表明ICRH期间离子温度由200eV升高到300eV。这套装置广泛应用在中小型托卡马克上。     

快加热环流器等离子体的位形演变

本文讨论了环流器等离子体在快加热过程中位形演变的近似描述问题。对两类重要的通量守恒演变系列,即绝热压缩和非压缩快加热,具体计算了平衡解。假定等离子体截面形状有任意的小变形,但初态位形只有一个椭圆磁轴,所用近似方法基于对反环径比展开。结果表明,这一方法可以成功地描述绝热压缩演变系列;对非压缩快加热,在磁轴位移不很大时,所得结果与严格的二维通量守恒解是相符的。 关键词：     

高比压环流器等离子体位形的稳定性

本文用解析方法表示了高比压环流器的平衡位形,进而计算了局部理想磁流体判据,并着重讨论了低q运行的可能性。结果发现存在一大类具有这些特性的环流器平衡位形,有的位形其中心约束区域有很高的稳定性余度。对p′(ψ)剖面不同的位形以及不同位移函数的位形的稳定性做比较,发现大的位移及平坦的p′(ψ)剖面有更好的稳定性。 关键词：     

环流器聚变实验等离子体的品质参数空间

本文提出环流器聚变实验等离子体“品质参数空间”的概念,用来衡量环流器等离子体实验的进展。从这个观点出发,初步分析了“环流器一号”(HL-1)的第一批实验结果,指出在它的第二批实验中可以考虑的一些问题。     

高密度平面靶等离子体中激光驱动冲击波加速离子的能谱展宽

本文对超短超强激光脉冲辐照高密度等离子体产生的静电冲击波加速离子的能谱展宽机理进行了数值研究.着重讨论了三种冲击波加速离子的能谱展宽机理:能量沉积到离子中使得冲击波前沿不断减速,被加速离子与背景粒子的碰撞,以及高能离子到达靶背面时受到鞘层场进一步加速.还研究了驱动激光脉冲宽度对冲击波加速离子能谱宽度的影响. 关键词： 激光等离子体 冲击波加速 能谱展宽     

环流器等离子体高n气球模的第二稳定区

本文讨论了圆截面高比压等离子体关于高n气球模的稳定性,在高比压情况下,相应的极向磁场对气球模有相当强的驱动作用,从而严重影响了第二稳定区的结构,我们详细计算了不同剪切、不同压强梯度及不同极向场参数对气球模本征函数和本征频率的影响,这些结果比较完善地反映了圆截面环流器中理想磁流体气球模理论所预示的主要结论。 关键词：     

光谱法测量等离子体离子温度和旋转速度

分析多普勒展宽和多普勒频移的区别，讨论了弦积分的线形分布和高斯分布的差异，利用光谱多道分析仪测量了碳227．1nm谱线的线形分布，通过选点拟合得出辐射粒子的离子温度和旋转速度径向分布。     

用同电离态离子的光谱线对测量等离子体离子温度

 利用压电晶体驱动Fabry-perot干涉仪并选择合适的板距,通过测量托卡马克等离子体同电离态杂质离子光谱线对的叠加轮廓分布,给出对应的离子温度。该方法的优点是光谱分辨率高,待测谱线有更广泛的选择范围。     

用同电离态离子的光谱线对测量等离子体离子温度

利用压电晶体驱动Fabry-perot干涉仪并选择合适的板距,通过测量托卡马克等离子体同电离态杂质离子光谱线对的叠加轮廓分布,给出对应的离子温度。该方法的优点是光谱分辨率高,待测谱线有更广泛的选择范围。     

由磁测量确定环流器等离子体截面形状的方法

一、引言在环流器实验中,等离子体柱截面形状和位置是位形基本参数。尤其对非圆截面和放电期间截面变化的装置,为调节、控制成形、分析等离子体内外电流分布变化引起的位形和稳定性改变,边界磁面形状位置是不可缺少的信息。本文用给定极向磁场,由拟合计算的方法来确定等离子体边界。     

HL—1M装置等离子体离子温度测量

在ＨＬ－１Ｍ托卡马克装置上，利用８通道中性粒子能谱仪测量的等离子体离子温度。在等离子体电流和密变化、激光吹气、弹丸注入，超声分子束注入和低混杂波加热等实验条件下，观测了Ｔｉ的变化。     

等离子体离子温度和角向旋转速度的测量

 利用多道光学分析仪测量了HT6M托卡马克CV227.1nm谱线线形分布,通过选点拟合得到了等离子体离子温度和旋转速度。     

等离子体离子温度和角向旋转速度的测量

利用多道光学分析仪测量了HT6M托卡马克CV227.1nm谱线线形分布,通过选点拟合得到了等离子体离子温度和旋转速度。     

普林斯顿托卡马克如何创造了等离子体离子温度的世界纪录

在美国普林斯顿实验室,建有一个大的托卡马克,名字为TFTR装置.1986年6月在这个装置上的等离子体得到了很好的约束,称之为“提高型约束”.引人注目的是在这种约束状态下,等离子体的离子温度达到了20 KeV(略大于2亿K).这是托卡马克等离子体离子温度的最新世界纪录. TFTR装置的主要参数如下:大半径2.5m,小半径0.45-0.9m,最大环形磁场5.2T.这台装置是在1982年开始运行的.原计划是首先达到点火的水平,然后在八十年代末以氘-氚运行,在能量自持的情况下,希望有小量的正功率输出.对于氘-氚反应,能量自持要求下面两个条件:(1)很高的离子温度,要…     

金属的正电子双多普勒展宽谱研究

研制了一套数字化的正电子湮没双多普勒展宽谱测量系统,用它测量了10个样品的双多普勒展宽谱,得到了一些有意义的结果.这些结果展示了一些金属单质材料的双多普勒展宽谱随着电子结构变化而发生的变化.本文简略介绍了双多普勒展宽谱仪,实验数据处理,以及这些金属单质材料的数据和分析结果.     

环流器等离子体压强分布关于理想磁流体气球模的最佳化

大家知道,环流器等离子体关于气球模的稳定性条件对等离子体比压值给出了最严厉的限制,对圆戳面环流器,典型的按体积平均比压值仅为(1—2)％,远低于反应堆的设计要求。许多人已对提高这一临界比压值的各种可能性进行过讨论,最近的研究指出,动力效应对于气球模不稳定性的阈值影响甚微,不过可使不稳定性的增长率降低很多。可是,我们曾发现,可以存在比压值很高的平衡位形,它们对于局部Mercier模是稳定的。这类平衡位形的特点是其q-剖面由等离子体中心向边缘下降。本文目的为验证这类位形相对于最危险的磁流体模式,即气球模的稳定性。     

符合多普勒展宽谱的源修正研究

测量了Ti,Ni,Cu,Al以及Si的符合多普勒展宽谱。对于Ni的多普勒展宽谱,采用最小二乘法拟合得出其中的源强度。给出了源修正前后湮没量子在Si中的多普勒展宽谱,讨论了源成分的影响。用高斯-抛物线模型拟合多普勒展宽谱,将多普勒展宽谱中自由电子的湮没贡献和束缚电子的湮没贡献分开,进而探讨了只对束缚电子的湮没贡献做源修正的方法。In the present work, Coincidence Doppler Broadening （CDB） measurements have been performed for five elements i.e. Ti, Ni, Cu, Al and Si. As to the CDB spectra of Ni, we obtained the annihilation fraction of positron-electron pairs in the source by least square fitting. After source correction, spectra for Si are also given to indicate the influence of source components. CDB spectra were simulated with Gauss-Parabola model to separate annihilation contribution of core electrons from outermost electrons. Furthermore, a new source correction method, i.e. source correction will be done only in the contribution of core electron, has been presented