用MOCVD法在YSZ衬底上制备YBCO膜

用低压ＭＯＣＶＤ多源法在单晶ＹＳＺ和具有双轴取向ＩＢＡＤＹＳＺ的金属基带上沉积了ＹＢＣＯ膜,它们的Ｊｃ（７７．３Ｋ,０Ｔ）分别为～２×１０６Ａ／ｃｍ２和～７×１０４Ａ／ｃｍ２．分析了本试验中的Ｊｃ差别原因．在单晶ＹＳＺ上ＹＢＣＯ高Ｊｃ数值显示了用ＭＯＣＶＤ制备涂层膜导体的潜力     

C32型过渡金属硼化物的稳定性

Ⅳ－Ⅵ族过渡金属与硼组成Ｃ３２型的二硼化物ＭＢ２（Ｍ＝Ｔｉ,Ｚｒ,Ｈｆ,Ｖ,Ｎｂ,Ｔａ．Ｃｒ,Ｍｏ）,其Ｂ－Ｂ键呈六角形网．这类化合物具有耐热性好、熔点高、硬度大、抗化学浸蚀等一系列特性．因此,人们对这些化合物的稳定性很感兴趣,并从不同角度进行研究[１－３］．最近,Ｇ．Ｖ．Ｓａｍｓｏｎｏｖ等[２］指出Ｂ－Ｂ键对ＭＢ２化合物的稳定性起主导作用,并得出弹性模量和热膨胀系数与硼ｓＰ态占据的关系．此外?...     

系列异金属类立方烷原子族化合物的振动光谱

通过振动光谱和Ｘ－射线结构分析数据的结合,归属了系列具有「Ｍ３ＹＳ３Ｍ′」（Ｍ＝Ｍｏ,Ｗ;Ｙ＝Ｏ,Ｓ;Ｍ′＝Ｃｕ,Ｓｎ,Ｓｂ,Ｐｂ,Ｂｉ）簇芯的异金属四核类立方烷原子簇化合物的主要振动谱峰。讨论了五种结构类型的光谱特征和成键状态,Ｍ′的加入使ｖＭ－（μ３－Ｙ）和ＶＭ－ｓ频率下降。当Ｍ′为过渡金属,例如Ｃｕ时,Ｃｊ与「Ｍ３ＹＳ３」结合紧密造成了Ｃｕ－Ｓ共价键相当的ｖＣｕ－ｓ振动频率,而当Ｍ′为主族金属时,ＶＭ′－ｓ远小于相应共价键的振动频率值。文中还对ｖＭ－Ｍ振动进行若干论述。     

钼（钨）─铜─硫─二烷基二硫代甲酸根原子簇化合物的核磁共振研究

用１Ｈ、１３Ｃ、９５ＭｏＮＭＲ技术研究了一系列Ｍｏ（Ｗ）—ＣＯ—Ｓ一ｄｔｃ原子簇化合物，并用动态９５ＭｏＮＭＲ技术跟踪了ＭｏＯｎＳ４（ｎ＝０，２），ＣｕＣｌ，Ｒ２ｄｔｃ（Ｒ２＝Ｍｅ２，Ｅｔ２）几个反应，在此基础上推导了该系列化合物的形成机理．     

Bi2Sr2Ca(Cu1-xMnx)2Oy单晶的结构与超导电性

用自助熔剂法制备了Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ（Ｃｕ１－ｘＭｎｘ）２Ｏｙ（ｘ＝０．０１,０．０５,０．０８,０．１０）单晶。单晶的ｃ轴长度随Ｍｎ含量的增加而减小。Ｒ－Ｔ曲线测量表明,零电阻温度Ｔｃ随ｘ的增大面逐渐下降。对Ｍｎ掺杂量较高的一些单晶,发现其Ｒ－Ｔ曲线在１０５Ｋ左右有一陡降,表明Ｍｎ掺杂量较高的单晶中可能有微量的Ｂｉ２２２３相成分存在。     

GaAs衬底上生长的GaInP_2外延单晶薄膜的杂质污染研究

各种外延技术已被用来在ＧａＡｓ衬底上生长ＧａｘＩｎ１－ｘＰ外延单晶薄膜（ＧａＩｎＰ２／ＧａＡｓ）．很多文献认为,在ＧａＩｎＰ２／ＧａＡｓ生长过程中会被Ｃ杂质污染．我们用高灵敏的ＣＡＭＥＣＡＩＭＳ４Ｆ型二次离子质谱仪直接测量的结果表明,污染ＧａＩｎＰ２／ＧａＡｓ的微量杂质是Ｓｉ,而不是Ｃ．由ＧａＩｎＰ２／ＧａＡｓ在１．１７ｅＶ附近的光致发光峰的峰值随激发强度的变化形状表明了它应属于施主－受主对复合发光．进一步分析表明,施主为处在Ｇａ格位上的Ｓｉ杂质（ＳｉＧａ）,受主为Ｇａ空位（ＶＧａ）．     

[Fe（bpy）3]（ClO4）3与Na2SO3在室温下的固相氧化还原反应

本文研究室温下〔Ｆｅ（ｂｐｙ）３〕（ＣｌＯ４）３．３Ｈ２Ｏ与Ｎａ２ＳＯ３发生的固－固相氧化还原反应。用Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱、ＸＲＤ、ＩＲ、元素分析和磁化率测定等手段表征了反应２４ｈ后的固相产物，并采用反应截面移动法研究了等温因相反应动力学、结果表明，室温下该反应速度较快，反应进行完全。     

MOCVD系统外延生长Ⅲ－Ⅴ族化合物时Ⅴ／Ⅲ比的计算偏差

本文分析了在生长Ⅲ－Ⅴ族半导体时ＭＯＣＶＤ系统中反应气体的输运过程，认为进入反应室的Ⅲ族元素有机金属反应气体的数量是与ＭＯＣＶＤ管道系统的结构以及反应气体的扩散系数有关的，并从理论上导出了计算公式．由于ＭＯＣＶＤ系统中Ⅲ族元素反应气体的输运特点，实际的Ⅴ／Ⅲ比通小于根据目前方法所计算出的数值．此结果不仅说明生长时的Ⅴ／Ⅲ比高于固态组份比的一种原因，同时也可以解释为什么在生长同种材料时，不同研究者所报导的Ⅴ／Ⅲ比不同．这一结果有利于找出生长时的Ⅴ／Ⅲ比与固态组份间的确定关系．     

砷化镓光电发射的初步研究

一、前言最近,Ⅲ－Ⅴ族化合物作为光电发射体引起人们的重视．早在１９６５年,舍尔（Ｊ．Ｊ．Ｓｃｈｅｅｒ）和拉尔（ＪＶａｎ．Ｌａａｒ）［１］发表了一种ＧａＡｓ－Ｃｓ新型光电发射材料,在超高真空下劈裂一块ｐ型重掺ＣａＡｓ单晶并进行艳化处理,其灵敏度达到５００微安／流明．在詹姆士（Ｌ,Ｗ．Ｊａｍｅｓ）［２］等人的实验中,另加了氧铯层,结果比单独用铯所得的效率高．上述实验证明Ｐ型ＧａＡｓ－Ｃｓ和ＧａＡ?...     

光泵浦ZnCdSe／ZnSe单量子阱蓝绿受激发射的研究

报道了常压金属有机化学汽相淀积（ＭＯＣＶＤ）制备的Ｚｎ０．７Ｃｄ０．３Ｓｅ／ＺｎＳｅ单量子阱的光泵浦受激发射性质。在７７Ｋ下观测到了ｎ＝２的重空穴激子发光峰和ｎ＝１的重空穴激子吸收峰。在７７Ｋ脉冲激光泵浦下受激发射阈值功率密度为１１６ｋｗ／ｃｍ２。认为受激发射机理可能是激子局域态的空间填充。     

LaH分子的X1∑+态的势能函数

应用原子分析反应静力学原理导出ＬａＨ分子的电子状态和可能的离解极限,考虑相对论紧致有效势ＰＣＥＰ（Ｒｅｌａｔｉｖｉｓｔｉｃ Ｃｏｍｐａｃｔ Ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ Ｐｏｔｅｎｔｉａｌ）近似下,用ＱＣＩＳＤ方法计算了ＬａＨ分子基态Ｘ＾１Σ＾＋的平衡几何Ｒｅ和离解能Ｄｅ为２．１２５Ａ和２．６２３ｅＶ,并在计算出来的一系列背地里点势能基础上,用正规方程组拟合Ｍｕｒｒｅｌｌ－Ｓｏｒｂｉｅ（Ｍ－Ｓ）势能函数,得     

Si(Li)谱仪测量X射线荧光谱中CrK_β谱线化学位移的探索

采用放射源２４１Ａｍ５９．６ｋｅＶγ射线分别激发金属Ｃｒ、Ｃｒ２Ｏ３和Ｋ２ＣｒＯ４，用Ｓｉ（Ｌｉ）谱仪比较测量其Ｋｘ射线的能量。实验表明Ｋ２ＣｒＯ４中ＣｒＫβ能峰相对于金属Ｃｒ有２．１２±０．２７ｅＶ的位移。     

Si（Li）谱仪测定X射线荧光谱中CrKβ谱线化学位移的探索

采用放射源＾２４１Ａｍ５９．６ｋｅＶγ射线分别激发金属Ｃｒ、Ｃｒ２Ｏ３和Ｋ２ＣｒＯ４，用Ｓｉ（Ｌｉ）谱仪比较测量其Ｋｘ射线的能量。实验表明Ｋ２ＣｒＯ４和ＣｒＫβ能峰相对于金属Ｃｒ有２．１２±０．２７ｅＶ的位移。     

沙蚕磷草酸盐的合成与光谱表征

用１－二甲氨基－２,３－二氯丙烷和Ｏ,Ｏ－二甲基－二硫代磷酸盐反应合成了一种新的有机磷杀虫剂沙蚕磷,还制备了它的草酸盐。用１Ｈ、１３Ｃ核磁共振波谱、红外光谱及质谱法表征了沙蚕磷草酸盐的分子结构,结果表明反应产物是１,３－二取代产物。沙蚕磷的分子结构为（ＣＨ３）２Ｎ＋ＨＣＨ［ＣＨ２ＳＰ（Ｓ）（ＯＣＨ３）２］２Ｃ２Ｏ４Ｈ－［Ｏ,Ｏ,Ｏ′,Ｏ′－四甲基－Ｓ,Ｓ′－（２－Ｎ,Ｎ－二甲氨基丙撑）－双－二硫代磷酸酯草酸盐］。     

Br^—2,Cl^—2.诱导氧化磷酰化甲硫氨酸水溶液的脉冲辐解研究

采用脉冲辐解动态吸收光谱法研究了Ｂｒ＾－２和Ｃｌ＾－２自由在诱导氧化Ｎ－二异丙基磷酰化甲硫氨酸（ＮＤＭ）水溶液的过程，结果表明：Ｂｒ＾－２和Ｃｌ＾－２进攻ＮＤＭ中的硫原子形成含硫三电子键ＮＤＭ（Ｓ∴Ｘ）（Ｘ＝Ｂｒ，Ｃｌ）它们分别在４００ｎｍ和３９０ｎｍ处有最大吸收峰，形成和衰变均呈一级反应，测定了不同条件下氧化反应的速率常数，推导了反应机理，并从分子结构观点与甲硫氨酸水溶液的Ｂｒ＾－２．Ｃｌ＾－２     

XeCl激光诱发SF6气体击穿及高压开关触发特性的研究

给出了ＸｅＣｌ激光诱发ＳＦ６气体击穿及高压开关触发特性的研究结果。ＳＦ６气体击穿所需要的ＸｅＣｌ激光的功率密度很强地随气体压强而变，在ＳＦ６气体压强为０．０２ＭＰａ时，击穿功率密度为４．６ＧＷ／ｃｍ＾２，当压强为０．０４８ＭＰａ时，击穿阈值达最小值为３．２ＧＷ／ｃｍ＾２，而在高气压情况（气压大０．０２ＭＰａ），其所需功率密度触发特性：对自由击穿电压Ｖａｂ≈６０ＫＶ的小型开关，在充电电压Ｖｃｈ＝０．     

高质量GaN外延薄膜的生长

综述了高质量ＧａＮ外延薄膜的生长研究工作的最新重要进展．主要采用的新工艺为：在较低温度下生长ＧａＮ缓冲层后再高温生长ＧａＮ外延薄膜,双气流金属有机化合物气相沉积（ＭＯＣＶＤ）,以及用开有窗口的ＳｉＯ２膜截断穿过位错后横向覆盖外延生长（ｅｐｉｔａｘｉａｌｙｌａｔｅｒａｌｏｖｅｒｇｒｏｗｔｈ）．Ｘ射线衍射和高分辨电镜研究证实,上述工艺使ＧａＮ外延薄膜质量得到显著提高．利用这种薄膜研制成的蓝色激光管即将投放市场．     

衬底对YBa2Cu3O7-δ单晶超导膜荧光光谱的影响

本文报道的在Ｚｒ（Ｙ）Ｏ２和ＬａＡＩＯ３两种衬底上制备的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ单晶膜的荧光光谱。样品用原位中空柱状阴极直流磁控溅射法制备。结果表明,随衬底材料的不同呈现不同的荧光光谱分布。沉积在Ａｒ（Ｙ）Ｏ２上的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ膜的主峰位于２．８５ｅＶ,而沉积在单晶ＬａＡＩＯ３衬底上ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ膜的主峰位于２．１２ｅＶ处,前者由３．０ｅＶ和２．８０ｅＶ两个峰组成,改变激发能可以使它们分离;升高衬底温度出现低能峰,后者为单峰,峰值位置不胡激发能的变化而改变,地结果进行了讨论。     

一甲基硫脲与支持电解质的阴离子在银电极上共吸附的拉曼光谱研究

本文用电化学现场表面增强拉曼散射光谱（ＳＥＲＳ）技术研究了ＭＴＵ在ＨＣｌＯ４、Ｈ２ＳＯ４和ＨＮＯ３介质中分别与一种或两种无机阴离子的共吸附行为，发现ＣｌＯ－４、ＳＯ２－４和ＮＯ－３等弱吸附无机阴离子均能被ＭＴＵ诱导物理吸附在其质子化了的氨基（ＮＨ＋３）上，这三种无机阴离子被ＭＴＵ诱导物理吸附的强弱顺序是：在电极电位位于－０．２Ｖ～－０．７Ｖ区间时，ＳＯ２－４＞ＣｌＯ－４＞ＮＯ－３，在电位位于－０．８Ｖ～－１．２Ｖ区间时，ＣｌＯ－４＞ＳＯ２－４＞ＮＯ－３。     

新型钼（钨）—铁—硫簇合物的穆斯堡尔和晶体结构研究

本实验测定了新型钼（钨）－铁－硫簇合物（１）（Ｅｔ４Ｎ）［ＭｏＦｅ２（μ３－Ｓ）２（ＣＯ）８（Ｓ２ＣＮＥｔ２）和（２）（Ｅｔ４Ｎ）［ＷＦｅ２（μ３－Ｓ）２（ＣＯ）８（Ｓ２ＣＮＥｔ２］的穆斯堡尔谱和晶体结构。它们分子中的两个铁原子是等价的，所以都只的一组对称的四极分裂双峰。这个结果与单晶结构分析一致。经计算机拟合后的穆斯堡尔参数（７７Ｋ时）为：对于（１），化学位移δ＝０．０８±０．００４ｍｍ／ｓ，四