高密度激发下CdS单晶的自由激子发光

本文首次在77K温度的电致发光光谱上,观测到了自由激子和自由激子(Ex-Ex)散射的发射带P。根据半经典理论,得到CdS单晶在高激发密度下的激子有效温度高于晶格温度。并且在77K温度下,通过氮分子激光器3371Å谱线的激发,观察到了Ex-Ex散射的P带的受激发射现象。     

CdS内激子的及非激子的强激发发光

在CdS等直接带材料中研究强激发的情况要比在Ge,Si等间接带材料中的同类研究远为富有启发。这是因为为了达到例如激子的可测出的非平衡浓度必须利用较高的泵浦能级。在通常的汽相生长CdS晶体中,在束缚激子线内产生激光,一般都出现自由激子浓度的积累,所以经常是连一个能形成激子的能级也达不到。     

正向电压激发下CdS MIS发光二极管中的自由激子发光

在44~77K温度范围内.在正向电压激发下的Cds MIS二极管中,观测到了发射0、1或2个纵光学(O、1LO或2LO)声子的自由激子的辐射衰减.根据激子的动能分布,讨论了1LO和2LO声子协助的伴线的形状和温度依赖.这里激子的有效温度等于晶格温度.     

高密度激发下ZnTe晶体中与自由激子有关的发射

在77—300K温度范围内,用N2分子激光器的3371Å谱线激发未故意掺杂的p型ZnTe晶体,得到了与自由激子有关的发射。发现随着激发密度的增加,其发光光谱的峰值位置红移而谱带的半宽度展宽,这些结果可以用Ex—e和Ex—Ex的相互作用来解释。     

正向高密度脉冲电流激发下ZnSe MIS二极管中的自由激子发光

本文测量了在77K和正向脉冲电流密度为50～500mA/mm2的激发下,ZnSe MIS二极管的电致发光光谱.首次在高电流密度激发下的ZnSe晶体的电致发光光谱上,观测到自由激子与自由激子间(Ex-Ex)的散射.本中根据自由激子的动能分布,讨论了2LO声子协助的自由激子伴线的形状,发现当激发电流密度增高时,自由激子的有效温度大于晶格温度,这可归结为激子与激子间的非弹性散射.     

在共振激发下ZnTe和ZnSe的拉曼散射和激子发光的弛豫过程

根据次级发射和发光之间的光偏振相关性,研究了ZnTe和ZnSe中电磁激子(Polariton)的粒子数减少和消位相弛豫。根据弛豫速率来区分光散射过程和发光过程。多重LO-声子发射线是申相干过程即拉曼散射引起的,而不是由电磁激子发光引起的。     

半导体中激子-激子碰撞引起的自发发光和受激发光

计算了辐射俄歇型激子-激子散射过程的发射光谱,在这个过程中两个激子被湮灭,留下一个发光光子和一个自由电子-空穴对。 取激子间距的适当权重的δ-函数作为两个激子之间的有效相互作用势能。不同温度下的自发发射光谱的数字计算能很好地解释在N_2激光器激发下GaAs发射带的光谱形状。     

Ⅲ-Ⅴ族化合物中氮束缚激子发光的动力学研究

用发光动力学的分析方法,研究了Ⅲ—Ⅴ族化合物中N束缚激子的发光强度与温度的关系,得到的理论公式与实验结果符合得较好。我们的分析指出,由于无辐射能量传递的存在,束缚激子的△J=2跃迁的发光效率低于△J=1跃迁的发光效率,致使低温(T<50K)下束缚激子的发光强度可能随温度的下降而变弱。另外,N杂质对自由激子再俘获的可能性的大小直接影响束缚激子发光的热猝灭过程:束缚激子可能因热离解成自由激子或自由的电子和空穴。我们找到了区分这两类情况的条件。     

电场作用下高分子中自陷束缚激子的极化

用同时计入电场、对称破缺项t_e和电子-晶格相互作用的紧束缚模型研究了电场作用下高分子中的自陷束缚激子.发现电场使高分子中自陷束缚激子内电荷发生转移，出现极化.极化程度随场强增加，也与t_e有关.并发现t_e≤0.1 eV时，双激子态表现出反向极化特性，这一特性可根据极化的量子力学理论得到理解：对高分子的自陷束缚激子，其禁带中央附近存在两个靠得很近的定域电子态即上定域态和下定域态，用微扰论说明了上定域态是反向极化而下定域态为正向极化；双激子态即上     

电流激发下ZnSxSe1-xMIS二极管中的自由激子发光

在77K下,研究了ZnSxSe1-xMIS二极管在正向直流激发下的激子发光行为.首次在直流电流密度(20-35mA/mm2)下,在高质量ZnSe(x=0)和ZnSxSe1-x(x=0.22)MIS二极管中观测到两个新发射带,对于ZnSe单晶,谱带峰值分别为447.9nm和450.0nm,对于ZnS0.22Se0.78单晶,谱带峰值分别为426.3nm和428.7nm.这一现象在通常的ZnSxSe1-x晶体中观测不到,仅在高质量ZnSxSe1-x单晶中检测到.文中根据它们的发光特征,把两个谱带的起因归于不同的激子散射.     

MULTIPOLE GLANT RESONANCES IN HIGHLY EXCITED NUCLEI

The isoscalar giant surface resonance and giant dipole resonance in highly excited nuclei are discussed.Excitation energies of the giant modes in ²⁰⁸Pb are calculated in a simplified model,using the concept of energy weighted sum rule (EWSR),and the extended Thomas-Fermi approximation at the finite temperature is employed to describe the finite temperature equilibrium state.It is shown that EWSR and the enrgy of the resonance depend only weakly on temperature in the system.This weak dependence is analysed.     

钡原子高激发态的研究

采用多步激发方式研究了钡原子高激发态光谱特性和组态相互作用，并运用多通道量子亏损理论对实验数据进行了初步分析。通过自电离探测方式可对束缚Ｒｙｄｂｅｒｇ系列和自电离Ｒｙｄｂｅｒｇ系列同时进行研究，显示了多方面的优点     

环境辐射对原子高激发能级Stark态寿命的影响

在外电场中用激光两步激发使Na原子在待测Stark态（n=17，m=0）上实现布居．用延迟脉冲场电离方法测量了部分Stark态的寿命及环境黑体辐射对其实际寿命的影响，并与理论计算值作了比较．实验和计算表明：对n=17的Stark簇各能态，室温下环境黑体辐射引起的受激跃迁对其寿命的影响与自发辐射跃迁已达同一数量级．寿命越长的Stark态，黑体辐射的影响程度越大，这一因素连同Stark混合效应均使同一Stark簇内各能态实际寿命的差异变小． 关键词：     

用偏振光分步激发技术测定原子高激发态光谱

本文报道我们使用偏振光技术和分步激发方法对Sr原子高激发态进行的一些测量。实验表明,偏振光技术在识别原子高激发态光谱中有重要意义。     

高激发态钠原子的量子拍实验的某些分析

本文推导了一个量子拍实验中观察量的解析表式,与实验对比可得n²D态钠原子的精细裂距,其它特征也与实验符合。同时还讨论了上述高激发态钠原子在弱电场中的能态变化特性,指出了观察此特性的可能实验方法。 关键词：     

参量激励型孤子的研究进展

简述了参量激励型水波孤子的最新研究结果，其中包括孤子－孤子的相互作用，稳定单孤子链的极性排列规则，以及孤子链的有序时空振荡等．数值研究表明，实验现象可由带阻尼的参量驱动非线性薛定谔方程描述和解释．     

Er3+掺杂ZBLAN非晶的激发态频率上转换

非晶ZBLAN光纤玻璃中掺杂稀土离子Er³⁺的上转换发光的研究表明,在室温、大功率半导体激光器的激发下,Er³⁺的荧光主要是通过单离子步进双光子过程发生的,而其多光子过程虽然非常微弱,但在强的半导体激光的照射下也可产生.通过对这两种不同过程的实验测量,可以为进一步深入地研究上转换机制提供新的依据.     

高离化态氖的类H、类He离子激发光谱的研究

利用束箔技术研究由重离子加速器提供的４７ＭｅＶ能量的Ｎｅ离子，穿过厚度为３９μｇ／ｃｍ２的碳箔而产生高离化态类Ｈ（ＮｅＸ）、类Ｈｅ（ＮｅⅨ）离子激发谱的情况。     

A NONLINEAR MODEL FOR HIGHLY EXCITED VIBRATIONAL ENERGY LEVELS OF SILANE

The highly excited vibrational energy levels of SiH stretches of silane SiH₄ in the electronic ground state are calculated using a three-parameter nonlinear model, i.e., the quantized discrete self-trapping equation. The obtained results are in good agreements with the experimental data and with those obtained from local mode calculations of others. We note that SiH₄ molecule is a typical molecule close to the local mode limit, and that when n≥3, the molecule could be thought of as vibrating with the four SiH stretching quanta trapped into a single SiH bond.     

一些三价稀土离子在碘氧化镧中的发光

本文报导了碘氧化镧的合成和一些稀土离子在其中的发光.碘氧化镧是一具有低声子能量的基质,发光光谱表明一些稀土离子如Er3+等的较高激发态的辐射跃迁可以被观察到.碘氧化镧在240nm处有一较强吸收,并能把能量传递给其它稀土发光中心,这是基质敏化的一个较好例子.而Eu3+在这基质中发光很弱,对此作了简单讨论.