1.3μm InGaAsP/InP长寿命激光器

本交报道精心外延及光刻腐蚀,使外延片质量提高,器件的光电特性得到改善。最低闽值电流I_(th)=17mA,外微分效率η=25%(单面),最高连续激射温度为130℃,最大输出功率超过40mW。采用PbSn焊料改进制管工艺,提高了器件的可靠性。器件在25℃时的中值寿命为26万小时。     

1.3μm波长InGaAsP／InP脊形波导激光器

本文介绍用一次液相外延制备五层结构的晶体材料及自对准的工艺方法研制成功的１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ脊形波导（ＲＷＧ）结构的激光器。用有源区向上的装架方式，在２５℃时，激光器最小连续波（ＣＷ）阈值电流为２３ｍＡ，且均匀性较好；最大单面光电转换效率为０．１８ｍＷ／ｍＡ；在６５℃的环境温度下其最大发射功率仍大于１０ｍＷ；用标准单模光纤耦合，２５℃下阈值电流为２０ｍＡ的入纤光功率大于１．５ｍＷ。     

用于宽带光纤用户网的高速1.3μm InGaAsP/InP DH LED

本文设计并制作了带有集成透镜的高速1.3μm InGaAsP/InP DH LED.器件的调制带宽达425MHz,与梯度折射率多模光纤的耦合效率高达7.5％,适用于四次群以上的宽带光纤通讯系统,在未来的宽带ISDN中将发挥重要作用.     

1.3μm InGaAsP/InP DC-PBH型激光器件寿命试验

本文叙述了光纤通信中用作光源的半导体激光器寿命试验情况。实验是以DC-PBH型结构1.3μm激光管为对象,在高温下进行加速寿命试验,试验过程中均未出现偶然失效现象.其外推室温寿命MTTF值为2.6×10~5小时(σ=1.06),并给出了失效率λ(t)与时间t的关系曲线,以备通信系统工程设计查用。     

双段式PBC型1.3μm InGaAsP超辐射发光二极管

本文报导了１．３μｍ超辐射发光二极管的研究成果，室温下，驱动电流为１５０ｍＡ时，单管输出功率可达４．３ｍＷ，光谱半宽为２１ｎｍ。     

1.3μm InGaAsP／InP RWG型激光器的可靠性

通过对１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰＲＷＧ型激光器的加速老化寿命试验，证明了此种结构激光器的可靠性，它在环境温度为５０℃、１００ｍＡＣＷ及环境温度为８０℃、１００ｍＡＣＷ的条件下加速老化，经过３２２０ｈ的实际测试共计１９３２００器件小时，在测试过程中没有一支器件失效。在这样的条件下其５０℃下的外推寿命ＭＴＴＦ为２０万ｈ，其统计标准偏差为σ＝１．０１６；８０℃下的外推寿命ＭＴＴＦ为３．８万ｈ，其统计标准偏差为σ＝０．８０４，从而推算出该结构激光器的退化激活能Ｅａ＝０．５４３ｅＶ，其２５℃下的寿命ＭＴＴＦ为１０３万ｈ。     

用于1.55μm InGaAsP/InP DFB激光器的λ/4相移衍射光栅

采用全息二次曝光的方法,研制出用于 1.55μm InGaAsP/InP DFB激光器的,具有 λ/4相移的二级光栅,并通过扫描电镜(SEM)证明了相移的存在.本文分析了制备该种光栅的工艺原理,并提出了改善此种光栅质量的新方法.     

1.3μm InGaAsP低电流超辐射发光二极管组件

设计并制作了用于高精度光纤陀螺的1.3μm低电流超辐射发光二极管组件.采用隐埋异质结结构,实现了良好的电流限制和光限制,同时采用长腔结构来提高器件单程增益,从而获得了高的输出功率.组件具有工作电流小、输出功率高,以及光谱特性好等特点.测试结果表明,在70mA工作电流下,组件尾纤输出功率大于0.1mW,光谱宽度大于30nm.     

1.3μm InGaAsP／InP全金属化耦合封装侧面发光二极管

本文报导1.3μm InGaAsP/InP内条限制部分注入全金属化耦合封装侧面发光二极管的结构、制作及器件特性。在100mA工作电流下,器件尾纤出纤功率典型值40μW,最大超过60μW,光谱宽度70nm,上升/下降时间小于2.5ns。该器件是中短距离,中小容量光纤通信系统和光测量系统的理想光源。     

1.3 μm InGaAsP低电流超辐射发光二极管组件

设计并制作了用于高精度光纤陀螺的 1.3μm低电流超辐射发光二极管组件。采用隐埋异质结结构 ,实现了良好的电流限制和光限制 ,同时采用长腔结构来提高器件单程增益 ,从而获得了高的输出功率。组件具有工作电流小、输出功率高 ,以及光谱特性好等特点。测试结果表明 ,在 70mA工作电流下 ,组件尾纤输出功率大于 0 .1mW ,光谱宽度大于 30nm。     

InGaAsP/InP外延薄膜折射率与厚度测量

本文报道一种应用波导耦合光栅测量InGaAsP/InP外延薄膜折射率与厚度的方法。该法测量精度高,具有非破坏性与工艺实时性优点。外延薄膜折射率与厚度测量精度分别可达到±2×10~(-3)与±1×10~(-2)μm,这完全满足DFB与DBR等一类半导体激光器以及有源导波光学器件的设计需要。     

1.55μm InGaAsP/InP超辐射发光二极管组件

1.55μm InGaAsP/InP 超辐射发光二极管组件是为高精度光纤陀螺研制的光源.组件采用标准14针双列直插式管壳,熊猫型保偏光纤对准耦合,激光焊接,全金属化耦合封装.为了获得高输出功率,宽发射光谱,抑制受激振荡,采用了倾斜条形波导结构.组件尾纤输出功率大于0.1mW,光谱宽度大于15nm,工作电流小于150 mA.     

长波长1.3μmInGaAsP／InP外腔主动锁模半导体激光器

利用外腔主动锁模技术,得到了9ps脉宽的1.3μm InGaAsP/InP半导体激光超短脉冲。在外腔中加入法珀标准具后,获得了可调谐变换极限的锁模脉冲。     

InGaAsP/InP准平面异质结双极晶体管及其与光器件的集成

本文采用计算机辅助分析等方法,讨论了InGaAs/InP异质结双极晶体管(HBT)结构参数与其性能的关系.在此基础上,提出了一种准平面、双集电区HBT,及其相应的制作工艺.初步测试了器件的性能,就其与材料质量的关系作了讨论.文章还提出和制作了一种采用这种HBT为电子器件的光电子集成电路(OEIC).     

InP／InGaAsP1.3μm弯曲波导吸收区超辐射发光二极管的计算机辅助分析

本文用束传播法对具有弯曲波导吸收区的超辐射发光二极管进行了计算机辅助分析,研究了有源层厚度、波导宽度、吸收区长度、弯曲波导曲率半径对器件性能的影响。研究结果表明,对于该器件,存在最佳结构参数,使得吸收区对光激射的抑制作用最好。     

1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光二极管的研究

<正> 一、引言由于石英光纤在1.3μm处于零色散点附近而且损耗极小,因此长波长光纤通信越来越受到人们的重视。用波长1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光二极管的光通信系统提供的数据容量为AlGaAs/GaAs双异质结发光二极管光通信系统的十倍,数据率可达2.5KMbit/s,在传输距离上可与AlGaAs/GaAs双异质结激光器相比,InGaAsP/InP双异质结发光二极管同时还具有稳定可靠、驱动简单、价格便宜等优点。因此长波长光纤通信系统的实用化,首先着眼于采用InGaAsP/InP双异质结发光二极管作为光源。本文着重介绍功率型发光二极管的研究。我们首先着眼于功率效率的提高,这就要求外     

InGaAsP／InP激光器非平面液相外延生长的研究

本文叙述了用于制作 InGaAsP/InP 半导体激光器的非平面液相外延工艺。讨论了各种因素对非平面液相外延生长的影响。在 InP 衬底上和刻有沟槽的 InGa-AsP/InP 外延片上成功地生长出了高质量外延层。用该外延片制作的激光器在室温连续工作条件下典型阈值电流30mA,典型输出功率为10mW。最高激射温度为115℃。