GaAs双光束耦合中的普克尔效应

本文报道在GaAs晶体中用1.15μm红外He—Ne激光进行相对传播的双光束耦合的实验研究,测量了透射光束偏振面的旋转角(?)与两束光强比β_0的关系,这些现象可归结于光感空间电荷电场引起的线性电光效应(普克尔效应)所造成。     

GaAs光折变晶体中的双光束正交偏振耦合

本文报道利用红外1.15μm He-Ne激光在光析变晶体GaAs:Cr中进行双光束耦合的理论和实验研究,在双光束同向传播耦合时,我们推得了耦合方程的解,在GaAs立方晶体的电磁波耦合中分别仔细考虑了垂直与平行于入射面的偏振情况。     

外电场作用下红外光折变GaAs的双光束耦合增强效应

报道了立方晶体GaAs:Cr在外电场作用下的红外光折交增强效应,着重分析双光束耦合过程中空间电荷电场幅度和位相的空间分布变化情况。计算结果很好地解释了实验测量结果。     

红外光折变GaAs中的双光束耦合

报道用1.15μm红外He-Ne激光器在光折变晶体GaAs:Cr中进行相对传播双光束耦合的实验研究,给出了衍射效率和增益系数随二束光的总光强和二束光的光强比变化的实验结果。     

GaAs／AlGaAs非对称耦合双量子阱界面混合效应荧光谱研究

用分子束外延系统生长了GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱（ACDQW）,用组合注入的方法,在同一块衬底上获得了不同注入离子和不同注入剂量的耦合量子阱单元,没有经过快速热退火过程,在常温下测量了不同单元的显微光荧光谱,发现了带间跃迁能量最大变化范围接近100meV,组合注入所导致的能量移动要大于单独注入导致的能量移动。     

GaAs MESFET的背栅效应研究

本文着重研究了分立GaAc耗尽型MESFET背栅效应的光敏性和尺寸效应。本文还采用一种实验方法——器件在光照下,观察栅压的调制作用,解释了背栅效应机理。不同栅压下,背栅效应的大小不同,零栅压下的背栅效应比负栅偏压下的背栅效应更小。发现衬底峰值电流与背栅效应有密切关系。     

双掺杂Zn,Fe：LiNbO3晶体的二波耦合效应的研究

在固液同成分ＬｉＮｂＯ３中，同时掺入６％ＺｎＯ（摩尔比）和０．０５％Ｆｅ２Ｏ３（摩尔比），用提拉法生长了双掺杂Ｚｎ，Ｆｅ，ＬｉＮｂＯ３晶体，这是一种性能优良的光折变晶体材料。文章用二波耦合技术研究了晶体的耦合增益和衍射效率，Ｚｎ，Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３的光致折射率变化值达１０＾－５，且响应速率达到秒量级，这是双掺Ｚｎ，Ｆｅ两种杂质共同作用的结果。     

光擦除双光束耦合的温度特性

建立了光擦了作双光束耦合理论的简单模型，引入了响应强度概念及描述参量，数值计算了响应强度的温度特性，对Ｃｅ：ＫＮＳＢＮ晶体给出了光擦除双光束耦合温度特性的实验结果。     

半绝缘GaAs中EL2能级低温精细结构和光猝灭效应

本研究采用近红外光谱法和低温测量技术,获得了EL2能级的心内跃迁特征光谱和包括6个小峰的精细结构。探讨了心内跃迁与横向声学(TA)声子的耦合机理,系统观察了它的光猝灭效应,提出亚稳态模型,得出了由10K升温过程EL2能级近红外吸收与温度的依赖关系,确定了115K为亚稳态恢复至稳态的最低温度转变点。由实验结果提供的EL2能级内部结构的信息,提出EL2能级的理论模型。     

140GHZ GaAs体效应谐波振荡器

本文介绍了采用国产GaAs Gunn二极管的工作频率在120～140GHz的谐波振荡器,其在120GHz与139GHz下的功率输出分别为13.5mW和3.5mW。     

一维耦合腔光学二极管

针对带有Kerr缺陷的一维耦合腔光波导,利用非线性传输矩阵方法研究了该结构的光学二极管特性.同时分析了低频带边模的线性性质.结果表明,虽然透射率与光的传播方向无关,但由于存在缺陷,不同方向上的入射光具有各自的局域特性.在缺陷层内,正方向上(从左到右)的入射光的场分布远远大于反方向(从右到左).由于不同方向入射光所激发的...     

Fe：LiNbO3晶体的生长及其多波耦合效应

报道了Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体的生长。测试了晶体的放大率，指数增益系数，衍射效率相位共轭反射率和响应时间；对Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体的光折变机理进行探讨。     

B廓了在n（Si）—GaAs层中的化学补偿效应

Ｂ注入ｎ（Ｓｉ）－ＧａＡｓ层，经高温退火在ＧａＡｓ晶格恢复过程中，Ｂ将占据ＧａＡｓ晶格中一定位置成为替位Ｂ，当Ｂ取代Ａｓ位，则形成双受主ＢＡｓ，，当Ｂ取代Ｇａ位，并形成络合物ＢＧａＹＡｓ，将促使Ｓｉ占Ａｓ位，形成受主ＳｉＡｓ和受主络合物ＢｇａＳｉＡｓ，由于所产生的受主与ｎ层中施主ＳｉＧａ的补偿，减少了ｎ 的载流子浓度，即Ｂ的化学补偿效应，本采用霍测量及光致光发测量对Ｂ的补偿行为进行分析。     

GaAs/AlGaAs 非对称耦合双量子阱界面混合效应光荧光谱研究

用分子束外延系统生 长了GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱(ACDQW),用组合注入的方法,在同一块衬底上获得了不 同注入离子和不同注入剂量的耦合量子阱单元,没有经过快速热退火过程,在常温下测量了不 同单元的显微光荧光谱,发现子带间跃迁能量最大变化范围接近100meV,组合注入所导致的能 量移动要大于单独注入导致的能量移动.     

GaAs和量子阱材料倍频效应的初步研究

采用调 Q YAG 激光器研究了半导体材料 GaAs,GaAs:Cr,InGaAs/GaAs 单量子阱(SQW)的倍频效应及其规律。测量了信号大小与晶体对称轴取向及入射、出射光偏振方向的关系。研究表明:材料表层结构的变化对于反射型倍频效应有很大影响。     

GaAs/AlGaAs双量子阱实空间转移效应模拟与实验

用投掷法和有限元差分法计算了单周期调制掺杂GaAs/AlGaAs双量子阱的能带结构,得到基态能级与第一激发态的能级差为43.3 meV,并由此推算得到产生载流子横向转移效应的电场强度为1.2~1.8 k V/cm之间.采用MBE技术生长了所涉及的双量子阱结构,通过优化退火条件,获得了较理想的金属—半导体接触条件.在此基础上,测得在电场强度为1.5 k V/cm时,电流—电压曲线呈现出负阻特性.该电场强度区别于GaAs耿氏效应的电场强度,由此判定,产生微分负阻的机理是电子由高迁移率导电层到低迁移率导电层的横向转移所致,即实空间转移.     

低温分子束外延GaAs薄膜的研究

我们利用分子束外延方法生长了低温ＧａＡｓ薄膜，并应用Ｘ射线双晶衍射、ＴＥＭ等手段对其进行了初步研究．发现原生样品和树底之间存在晶格失配．随着退火温度的上升，晶格失配逐渐消失．ＴＥＭ观察到６００，７００，８５０℃退火后的样品中存在大量的砷沉淀物．沉淀物大致呈球形．砷沉淀物的直径随着退火温度的上升而线性地增大，而密度却随退火温度的上升指数地下降．     

在Ce：KNSBN晶体中双光束耦合的光束整形

本文的工作是利用在光折变晶体Ｃｅ：ＫＮＳＢＮ中，其光生载流子的迁移机制在空间电荷场形成过程中是以扩散为主的特性，使得能量从变形的泵浦光转移到信号光上去，而无相位转移，从而实现泵浦光的整形。