半导体中的深中心

一、杂质缺陷形成的深中心半导体中含有外来杂质或本身的缺陷．所有半导体材料及器件都要求对杂质缺陷有良好的控制．晶体的各种化学杂质,晶体中的原子空仕,间隙原子,半导体化合物中组成元素之间的反位缺陷以及它们之间的简单复合体（双空位、杂质与空位的结合等）都使晶格的周期性受到破坏,在晶体中造成一个原子尺寸大小的缺陷,称为点缺陷．此外,晶体缺陷还包括位错、层错、晶粒间界和杂质沉淀物．本文仅限于介绍几点缺?...     

双参考光半导体调频距离测量

利用半导体线性调频可以实现对距离的绝对测量，但半导体激光器的光频调制特性受环境温度变化的影响很大，限制了该方法的测量精度和稳定性，无法走出实验室。为了解决这一难题，本文提出一种采用双参考光的绝对测量方法。通过测量两个拍信号频率，消除了温度的影响，提高了测量精度。这种方法对促进距离绝对测量的实用化有重要的意义。     

半导体深能级波函数在Bloch空间的分布特征

在Koster-Slater格林函数以及中心原胞缺陷势近似的基础上第一次给出并讨论了Si,GaAs,GaP深能级波函数在Bloch空间的分布特征。并指出,对于一定能带数目的近似晶体模型,计算深能级波函数的收敛性比计算深能级能量的收敛性要快。 关键词：     

消除载流子分布的不均匀性的影响准确测量深中心俘获载流子的截面

Zylbersztejn指出在空间电荷区边界层中,由于势垒的存在而引起的载流子分布的不均匀性,对测量深中心对载流子的俘获截面的不良影响,并且提出一种消除这种影响的方法。可惜的是,他的方法只适用于在能级相当深的情况下,测量低温时载流子的俘获截面。本文在详细分析结电容瞬态动力过程的基础上,提出一种消除载流子分布不均匀(包括边界层中载流子分布不均匀和体内浅施主或浅受主浓度不均匀)的影响,准确测量俘获截面的方法,不受测量温度及样品中的能级情况的严重限制。这对于研究俘获截面与温度的关系以及进而研究俘获动力学机制是很 关键词：     

具有调制分布复合中心的非晶半导体超晶格中载流子的弛豫过程

本文提出一种具有调制分布的复合中心的连续时间无规行走(以下称CTRW)模型,用以求解非晶半导体超晶格中载流子被复合的动力学过程。对不同类型的时间分布函数,我们得到了载流子的存活几率,从中可以分析周期型势阱和调制型掺杂等因素对这种材料的宏观输运性质的影响。 关键词：     

砷化镓中深能级陷阱的测量

对N型砷化镓外延材料进行了瞬态电容和热激电容测量。在液相外延材料中一般检测不到电子陷阱的存在,但是在气相外延材料中,通常都能找到导带下0.82和0.43eV两个电子陷阱,它们的电子俘获截面分别为2.0×10^-13和1.5×10^-15cm²。 关键词：     

单片集成两段式双波长分布反馈半导体激光器

双波长激光器腔内模式竞争激烈,因此输出模式的稳定性是双波长激光器的关键参数。从降低双波长激光器中两个主模之间的功率差、提高边模抑制比出发,设计了集成反射区的两段式双波长分布反馈半导体激光器。利用传输矩阵法对激光器的光栅结构进行仿真,分析了反射区光栅对激光器的阈值、主模功率差等参数的影响。根据仿真优化的结果,制作了单片集成两段式双波长分布反馈半导体激光器芯片并进行了测试。测试结果表明两段式结构能够提高双波长激光器的稳定性和边模抑制比,减小两个主模的功率差。在稳定工作的情况下,两个主模功率差可达0.3 dB,边模抑制比大于35 dB。     

双波长自由载流子吸收技术测量半导体载流子体寿命和表面复合速率

提出了采用双波长自由载流子吸收技术同时测量半导体材料载流子体寿命和前表面复合速率的方法.通过数值模拟,定性分析了不同载流子体寿命和前表面复合速率对信号的影响,同时对测量参数的可接受范围和不确定度进行计算并与传统频率扫描自由载流子吸收方法测量结果进行比较.结果表明：提出的双波长自由载流子吸收方法可明显减小载流子体寿命和前表面复合速率的测量不确定度,提高参数测量精度;表面杂质和缺陷越多的样品,其前表面复合速率测量不确定度越小.进一步分析表明,此现象与不同波长激光抽运产生的过剩载流子浓度分布不同有关.     

激光自外差相干测量中分布反馈半导体激光器电流调谐非线性的补偿方法

半导体激光器的电流调谐非线性对自外差相干测量的精度影响很大.研究了分布反馈半导体(DFB) 激光器的电流调谐特性,据此提出一种数学模型补偿方法.利用已知光程差下的差拍频率,建立了动态调频 系数的数学模型.以此模型对DFB激光器的电流调谐非线性进行补偿,可以将差拍信号频率预测值的相对误差 减小约3%,提高了系统的测量精度.数学模型补偿方法简化了测量系统的结构,适用于高精度的电流调谐 激光在线测量系统.     

可调谐半导体激光吸收光谱技术光信号相关法氨气浓度流速同时测量

利用可调谐半导体激光吸收光谱技术结合光信号相关技术可以实现气体浓度和流速的同时在线测量。文章首先介绍了气体浓度与流速测量的基本原理,然后对在近红外通讯波段附近的NH₃吸收谱线进行分析,并从中选取适合测量的目标谱线,并进行了相应的计算分析。在常温常压下内径为0.016 m长度为1 m的管道内,利用流量计配制出不同浓度以及不同流速的NH₃和N₂混合气体进行相关的试验。利用线宽为15 MHz,可连续调谐范围为1 cm-1的激光二极管对位于6 548.7 cm-1处的NH₃吸收谱线进行快速扫描,采用直接吸收计算的方法测量得到实时气体吸收信号并计算出气体浓度。同时利用非介入式的光信号相关法,通过布置在管道上下游两个探测器探测到的NH₃浓度信号间的相关性,计算得到NH₃气体从上游到下游的渡越时间,进而计算出气体流速。计算得到的NH₃气体浓度值和流速值与流量计标定值之间相比,其相对误差分别在7%和10%之内。测量系统响应迅速,抗干扰能力强,测量结果重复性好,适用于恶劣的现场测量环境,具有很广的工业应用前景。     

自相关法测量激光超短脉冲时域分布的解相关

本文论述一种从典型的自相关法测量得到激光超短脉冲时域分布的有效方法,这种方法不必进行另外的光谱测试及假定脉冲形状。     

大功率半导体激光器发展及相关技术概述

激光被称为"最快的刀"、"最准的尺"、"最亮的光",与原子能、计算机、半导体并称为20世纪新四大发明.大功率半导体激光器在工业加工、医疗美容、光纤通信、无人驾驶、智能机器人等方面有着广泛的应用.如何实现大功率半导体激光光源,一直以来都是国际的研究前沿和学科热点.为此,简述了大功率半导体激光器的发展历史,综述了大功率半导...     

光调制技术测量半导体激光器固有高频响应

采用一种新的全光纤连接的半导体激光器光调制技术,实现了对高速半导体激光器同有响应的直接测量。利用速率方程能够对光调制的动态响应过程进行准确的描述。基于对抽运源和探测器的频率响应对光调制数据准确性影响的分析．通过将网络分析仪校正到同轴端．然后用直接扣除法和相互扣除法,在网络分析仪外部对测量数据进行了修正。两种修正方法得到了一致的结果．并且同已有的理论和实验结果相符合。改进后的光调制技术和两种修正数据的方法不但提高了数据的精确性,而且扩展了测量的频率范围。     

用触针下分布电阻的光电导衰退来测量半导体中少数载流子的寿命

本文提出了一种新的测量半导体材料中少数载流子寿命的方法。这方法是测量触针下分布电阻的光电导衰退。这方法具有下列优点:(1)样品不需要切成一定形状;(2)在样品上不需要做固定电极;(3)可以检验不均匀的材料;(4)不需要一定的表面处理;(5)仪器简单,操作方便;(6)有一定的准确度。文中对表面复合速度以及光线在样品中的吸收深度的影响进行了理论分析;同时对Ge和Si样品的实验数据进行了讨论。用这方法测得的寿命基本上与其他方法的结果符合。 关键词：     

窄禁带半导体材料中共振缺陷态测量

运用量子电容谱测量技术，在窄禁带半导体材料InSb和HgCdTe价带和导带中分别发现了两个共振缺陷态．根据建立的实验模型研究了这些共振缺陷态的特性 关键词：     

彩色栅线动态三维测量中自适应相关匹配技术

彩色栅线结构光三维测量可仅靠左右摄像机单幅图像完成像素级相位匹配,能够实现运动或者变形物体型面重构,但其测量精度有待进一步提高.在依据相位进行粗匹配的基础上,采用立体视觉数字相关技术在左右图像局部区域进行更细致的匹配.计算相关系数时,依据彩色栅线各个周期的色彩变化特性白适应调整不同颜色通道的权重,依据不同视点表面变形特性自适应调整左右相关窗口的尺寸.在极线方向上双线性插值进行亚像素匹配.实验结果证明自适应数字相关匹配技术在保证彩色栅线动态检测,分辨率高优点的同时,可有效改善测量精度至0.1 mm,扩大测量适用范围.     

用四探针技术测量半导体薄层电阻的新方案

本文介绍用四探针技术测量半导体薄层电阻的新方案。其特点是,不论对无穷大薄层还是有限尺寸小样品,都不要求探针之间的距离相等,测量结果与探针间距无关,消除了针距不等引起的误差;同时,对于矩形或圆形小样品,不需要另加边界修正,因而也不必知道样品几何尺寸,只从电测量中即可求出电阻值。 关键词：     

双波长输出He—Ne激光器测量氦等离子体中电子密度时空分布

用3.39μm和0.63μm同时振荡的双波长He-Ne激光器,首次测量了脉冲氦等离子体中电子密度(10~(14)～10~(15)cm~(-3)的时间和径向空间分布.     

中远红外傅里叶变换发光测量中双调制技术的实现与优化

对常规傅里叶变换发光测量方法进行改进,张入双调制技术,在迈克耳孙干涉仪一级调制的基础上,引入更高频率调制－锁相测量手段,通过这一测量方法的引入,并通过对调制频率和带通滤波器等测量参数的优化,基本消除了室温背景的黑体辐射在4μm－5μm以上区域对光致发光测量带来的严重干扰,在10μm长波红外波段得到了无室温背景黑体辐射影响的光致发光光谱,从而将光致发光测量推至5μm以上长波红外波段。