内置负载开缝腔体谐振效应抑制方法研究

开缝腔体谐振特性放大了进入腔内的耦合能量,对内部电子设备构成严重威胁。文中建立内含金属 隔板、吸波体等负载的圆柱腔体模型,提出了在隔板上涂覆吸波材料以抑制谐振的新方式,研究了吸波体电磁特性 对谐振的影响。结果表明:隔板越靠近腔体前壁放置、板间距越大,对内部场影响越小,谐振点出现位置越接近空腔 固有模式;谐振点处屏蔽效能(Shielding Efficiency, SE)的提升是隔板和吸波材料综合作用的结果,隔板可迫使谐振 点迁移,吸波材料能改善谐振特性,并且涂覆磁性吸波材料性能更优;在隔板双面涂敷吸波材料抑制高次谐振效果 更好;适当增加隔板上涂覆材料厚度或提高材料相对磁导率,都能实现和全腔内壁涂覆相同的谐振抑制效果,效费 比也更高;场强分布因传播模式不同而不同,强电场区应放置电性吸波体才有效。     

开缝矩形腔屏蔽特性的研究

该文计算了在矩形腔上开有单缝时,缝长变化对所激励的屏蔽腔中最低模式的幅度和频率特性的影响。同时,采用时域-频域联合分析的方法,对屏蔽腔内观察点时域波形进行了分析,得到了不同频率分量在时域上的变化特性,以及缝长变化对它们的影响。     

吸波材料抑制电子设备机箱谐振的数值研究

本文首先介绍了吸波材料的吸收机理.同时应用有限元方法对贴有吸波材料的腔体进行了分析,并针对辐射情况,仿真了腔体在贴装吸波材料以后中心点的屏效,从中可以看出吸波材料对腔体谐振具有较好的抑制效果.     

开缝蜂窝结构电磁/力学综合性能设计

蜂窝吸波材料在特殊应用中需要功能孔径,开缝蜂窝吸波材料的电磁/力学性能研究可进一步拓展其应用领域。针对传统蜂窝吸波结构,设计了一种蜂窝开缝形式,并研究了不同开缝方式对蜂窝吸波材料电磁/力学性能的影响。研究开缝蜂窝吸波材料在不同开缝率情况下的位移-载荷关系特性,当开缝率在5.4%之内,开缝蜂窝力学性能变化较小;随着开缝率的增大,蜂窝的抗压能力明显降低。研究了开缝长度、宽度以及缝隙上下宽度不一致时,蜂窝在8～12 GHz单站RCS(Radar Cross Section)特性。对于水平极化(hh极化),8 GHz和10 GHz频率下,开缝后吸波性能有所增加;对于垂直极化(vv极化),8 GHz和12 GHz频率下,开缝后吸波性能变差,而10 GHz频率下,开缝后吸波性能变好。总体来说在8 GHz和10 GHz下,蜂窝开缝后在vv极化下的吸波性能均高于hh极化。     

金属腔体多耦合通道电磁特性研究

实际金属腔体常开有多个通道,使得腔内电磁环境变得复杂。以分析腔体多通道耦合电磁特性为出发点,建立平面波入射下矩形、圆柱腔体实例模型,引入对比系数作为评价手段,侧重研究孔缝、贯穿线缆两种耦合通道对腔内电磁场的影响,寻求共性规律。结果表明:腔外线缆长度变化不影响谐振点出现位置,随长度增加腔体屏蔽效能(SE)下降;腔内线缆随长度增加,谐振频率降低,两腔体具有如上共性结论。基于给定的模型及参数设定,通过比较系数可判断矩形腔体450 MHz 之前线缆耦合为主;贯穿线较长时, 510 MHz 之前圆柱腔体线缆耦合为主;贯穿线较短时,两个局部频点之外的其它频段孔缝耦合为主;涂覆磁损耗型吸波材料提升腔体SE 效果最好,且SE越低,提升效果越明显。     

开孔屏蔽体电磁泄漏的抑制方法

反射式屏蔽抑制电磁泄漏要求屏蔽体具有良好的导电连续性,对屏蔽体上开孔的形状、尺寸、排列有诸多限制;吸波材料对电磁波有吸收作用,可以用来克服反射式屏蔽的不足.文章通过介绍吸波材料和回廊结构对屏蔽体上开孔处电磁泄漏的抑制情况,提出了一种改进的回廊结构.     

不完全屏蔽腔体辐射耦合电场增强效应防护方法

针对武器装备机箱内部电磁辐射防护的技术需要,从不完全屏蔽腔体辐射耦合电场增强效应形成机理出发,对孔缝耦合及贯通导体耦合导致的屏蔽腔体内部局部电场增强效应防护方法进行了研究.仿真计算了屏蔽腔体内部加载吸波材料、腔体分区隔断以及贯通导体安装金属导管等防护方法对不完全屏蔽腔体电磁耦合的影响,研究结果表明:在屏蔽腔体内部加载吸波材料能够有效降低由于腔体谐振产生的电场增强效应,相同的吸波材料放置在强场位置防护效率会更高;采用分区隔断的屏蔽腔体能够提高腔体的谐振频率,大幅降低腔体内大部分位置的电磁耦合能力;贯通导体通过金属导管进入屏蔽腔体能够有效降低贯通导体的电磁耦合能力,削弱屏蔽腔体内部的电场增强效应,屏蔽腔体内部及外部的金属导管长度越长,其防护效果越明显.     

含贯通线及PCB板开孔腔体的电磁耦合研究

外界能量通过贯通线进入开孔屏蔽体,与PCB上MSL耦合而生成感应电流(Current),加剧了对敏感器件的耦合伤害。故建立含贯通线及PCB板开孔屏蔽腔模型,进行多角度耦合特性计算。在建模有效性验证后,利用有限元法探讨平面波激励下PCB不同模型、MSL上不同端接电阻、贯通线半径、贯通线与腔体壁相接及多贯通线等参数变化对Current的影响规律。结果表明:双介质模型的使用更接近实际PCB 结构对场的影响;两端接电阻取值相差不大条件下,可不考虑与MSL的阻抗匹配,取值也可不相等;Current 数值随贯通线半径的增加而增加;贯通线与腔体壁不同表面相接对应Current幅值要远高于非接触的情况,并会激出新的谐振点。多根贯通线及线间距改变时Current幅值都要高于单线的情况,尤以第一谐振之前更为明显,多线存在不会影响谐振点出现位置。     

吸波材料和电磁屏蔽材料的研究现状

阐述了吸波材料和电磁屏蔽材料的重要性和研究进展.分析了吸波材料和电磁屏蔽材料的作用机理,综述了常见吸波材料和电磁屏蔽材料的种类和特点,并介绍了吸波材料和电磁屏蔽材料的研究和发展趋势.     

吸波材料研究现状以及多层吸波材料反射损失计算

随着科学技术的不断进步,电气电子设备已经普及到社会的各个角落,电磁干扰(EMI)问题越来越突出,电子设备的电磁兼容已经被广泛关注。电磁屏蔽作为抑制电磁干扰的一个重要手段,在绝大多数的电子设备中得以应用。吸波材料对电磁波有吸收作用,可以用来克服反射式屏蔽的不足。本文首先介绍了吸波材料的吸波机理,对当今研究的纳米吸波材料进行了描述,最后给出了多层吸波材料反射损失的计算方法。     

VFTO 空间场对腔体耦合试验研究*

采用基于时域有限差分法(FDTD)的电磁仿真软件,建立了在VFTO空间辐射场下的二次设备外壳仿真模型,分析了该外壳内不同开孔及孔阵部位耦合场特性。然后通过现场测试,研究了在1000k V GIS变电站中,VFTO空间场辐射下的二次设备内耦合场特性。结果表明:二次设备外壳上的孔阵及缝隙阵对VFTO空间场辐射有明显的抑制作用,且耦合场在腔体内的持续时间要明显大于VFTO空间场在自由空间中的持续时间;二次设备内的PCB板对腔体内的耦合场有一定的抑制作用,因而当腔体内存在PCB时,腔体内耦合场幅值将比空腔时要小,同时由于介质板对高频振荡的抑制作用,耦合场的持续振荡时间也会有所缩短,且发现腔体内的PCB会改变原有空腔内耦合场的主频分布。     

谐振腔方式增强拉曼效应的研究

拉曼效应因其拉曼散射强度低,用于物质的定量分析时,灵敏度过低的缺点使其在广泛应用时受到阻碍,需要寻找方法实现拉曼增强。设计从谐振腔基本理论出发,重点分析了谐振腔腔长与拉曼散射强度的关系,通过腔与腔之间的模式匹配来减小腔内的激光损耗,最终实现拉曼光的增强。实验结果显示,谐振腔样品池内的拉曼信号显著增强,验证了谐振腔方式增强拉曼效应方法的可行性。     

时隙式随机争用多址系统分析方法研究

本文给出一种新的平均周期分析方法,并对时隙式随机争用多址系统进行了分析,得到了系统的信息分组发送成功的平均长度公式、信息分组发生碰撞的平均长度公式和空闲时隙的平均长度公式,并在讨论了系统的冲突分解特性后,给出了系统的吞吐量。     

非等同两原子与双模光场相互作用的腔场谱

研究了非等同两原子与双模腔场模型的腔场谱,分析了谱结构随原子与腔场相对耦合常数的变化规律。结果发现,相对耦合常数对真空场、弱场、强场谱结构都有不同程度的影响;通过改变一模的光强可以改变另一模腔场谱的频率,也可以改变相对耦合常数同时改变两模腔场谱的频率。     

玻璃微球荧光的腔量子电动力学增强效应

报道了腔量子电动力学效应对高钡玻璃微球荧光光谱的影响,利用Mie散射的共振峰位计算公式,对测量的光谱进行了分析,估算了自发辐射速率的量子电动力学效应的增强因子,实验证实其增强幅度超过676倍。     

用悬垂液滴制作非圆对称光学谐振腔

报道了一种用悬垂液滴通过可变电场(VEF)制作二维非圆对称液相光学谐振腔的理论和方法。悬垂液滴的赤道平面是一个二维的理想圆对称腔体,将此液滴置于一对透明电极中央,通过静电场对极化后液滴介质的静电力作用,有效地改变了液滴赤道平面的形状,形成一系列形状参数可调的非圆对称液相光学谐振腔。     

缝隙波导谐振阵最大带宽分析方法研究

文中基于波导并联缝隙的RLC 串联等效电路,建立了谐振阵阻抗带宽的通用分析方法,对单一过载和 过载匹配两种设计条件下谐振阵的最大带宽进行了研究,给出了最优带宽拟合公式并确定了相应匹配条件下的导纳特 性,系统解决了谐振阵阻抗带宽的设计边界与设计方向问题。最后结合缝隙等效电路,提出了一种新颖的导纳特性调 整方法,通过引入平行隔栅控制缝隙导纳的电容特性,利用过载匹配技术实现了8 单元中心馈电谐振阵的最大带宽设 计。全波仿真结果显示,VSWR≤1. 5 时的最大带宽可达到16. 2%,相应的电容参数C 为4. 9 pF,该结果与拟合公式得 到的电容参数C 及最大带宽计算数据较为一致,并且缝隙归一化导纳特性的全波仿真数据与等效电路优化出的最佳 导纳特性的吻合性非常好。最后设计了一个8×8 试验阵并展开了测试,该试验阵VSWR≤1. 5 时的工作带宽为16. 4%, 与全波仿真结果及等效电路分析结果均较为一致,证明了文中提出的谐振阵的带宽分析方法是准确可行的。