微波ECR等离子体高速溅射装置的研制

研制了一台高速率溅射的ＥＣＲ等离子体沉积装置。采用微波真空波导及反常模式或输入技术，利用腔内双靶构成的电场镜，使高能γ电子在电场镜中振荡，从而获得高密度的等离子体。并且，导电膜能连续高速沉积，在２．７×１０＾－２Ｐａ的低气压下，铜膜的沉积速率可达１２０ｎｍ／ｍｉｎ。     

等离子体化学气相沉积技术的发展现状和展望

本文综述了等离子体化学气相沉积(PCVD)技术的发展现状,并从等离子体对化学气相沉积(CVD)过程的影响出发概述了 PCVD 技术在制备固态涂层或薄膜方面的一些典型应用.最后展望了 PCVD 技术的发展前景.     

射频等离子体化学气相沉积择优取向膜的研究

用射频等离子体沉积择优取向的ＴｉＮ膜，用Ｘ－衍射的方法分析影响取向的原因。     

等离子体辅助化学气相沉积法生长ZnO薄膜的研究

讨论了在不同基板温度下用等离子体辅助化学气相沉积法生长ZnO薄膜,用X射线衍射(XRD)分析仪、反射式高能电子衍射(RHEED)仪及X射线光电子能谱(XPS)分析ZnO薄膜的特征.分析结果显示,在基板温度为300 ℃,二乙基锌(DEZ)流量为50 mL/min条件下可得到优取向高晶化的ZnO薄膜.光学性能分析表明,ZnO薄膜是透明的,在可视区峰值透光率高达85%.     

等离子体化学气相沉积氮化镓薄膜特性研究

介绍了电子回旋共振低温等离子体化学气相沉积氮化镓薄膜工艺,并以高纯氮气N2和三甲基镓(TMG)为反应气源,在T=450℃条件下,在α-Al2O3(0001)面上低温生长了GaN薄膜。X射线分析显示GaN薄膜的(0002)峰位置为2θ=34.75°,半峰宽为18′。这一结果说明了ECR—PECVD法具有在低温下生长GaN薄膜的优势。     

微波等离子体化学气相沉积β-C_3N_4超硬膜的研究

采用微波等离子体化学气相沉积法（ＭＰＣＶＤ）,用高纯氮气（９９．９９９％ ）和甲烷（９９．９％ ）作反应气体,在多晶铂（Ｐｔ）基片上沉积Ｃ３Ｎ４ 薄膜。利用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）和扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）观察薄膜形貌表明,薄膜由针状晶体组成。Ｘ射线能谱（ＥＤＸ）分析了这种晶态Ｃ－Ｎ膜的化学成分。对不同样品不同区域的分析结果表明,Ｎ／Ｃ比接近于４／３。Ｘ射线衍射结构分析说明该膜主要由β－Ｃ３Ｎ４ 和α－Ｃ３Ｎ４ 组成。利用Ｎａｎｏ ｉｎｄｅｎｔｅｒ Ⅱ测得Ｃ３Ｎ４ 膜的体弹性模量Ｂ达到３４９ ＧＰａ,接近ｃ－ＢＮ（３６７ ＧＰａ）的体弹性模量,证明Ｃ３Ｎ４ 化合物是超硬材料家族中的一员。     

中频等离子体化学气相沉积法制备ZnO薄膜

ZnO是一种多功能材料,目前处于世界范围的研究热潮中。为了拓展和改善ZnO的应用,采用中频等离子体化学气相沉积法(MF-PCVD)制备了ZnO薄膜,并研究了衬底温度对晶型和成膜速率的影响．     

等离子化学气相沉积硬膜技术研究

用等离子体化学气相沉积（ＰＣＶＤ）技术制备了ＴｉＮ、ＴｉＣ、Ｔｉ（ＣＮ）和（ＴｉＳｉ）Ｎ膜及其组合的多层膜。ＰＣＶＤ具有很好的覆盖性，ＰＣＶＤ－ＴｉＮ具有很好的耐磨、蚀性，膜与基体结合良好，因而用ＰＣＶＤ法在高速钢刀具、模具及轴承上沉积ＴｉＮ可大大提高其使用寿命。ＰＣＶＤ－ＴｉＮ和Ｔｉ（ＣＮ）膜无明显柱状晶，其显微硬度高于ＴｉＮ亦可用于高速钢刀具、模具上提高其使用寿命。ＰＣＶＤ－（ＴｉＳｉ）Ｎ，晶     

等离子体中磁场的本性

天体磁场的起源问题是天体物理中十分重要的课题,现有的发电机理论还不足于对此做出完全的解释.对于天体而言,电流是产生磁场的唯一途径.基于基本的经典物理学,提出了等离子体中磁场产生的本质,并就太阳表面小尺度磁场的产生给出了定性解释.     

过滤管道磁场对改进弧沉积系统弧放电和传输效率的影响

在 90°磁过滤管道和MEVVA源阴极之间加一 30～ 60V的正偏压 ,可使磁过滤管道起到阴极弧放电第二阳极的作用 .在此情况下对磁过滤管道磁场对MEVVA源阳极 阴极以及磁过滤管道 阴极 2个回路弧放电以及磁过滤管道等离子体传输效率的影响进行了实验研究 .研究表明 ,磁过滤磁场升高 ,磁过滤管道和阴极之间的弧放电规模降低 ,系统的等离子体传输效率升高 ,但对MEVVA源阳极和阴极之间的弧放电规模影响不大 .     

计算机控制的PCVD系统

对ＬＬ－ＰＣＶＤ（真空负载保护等离子体化学气相沉积系统）进行了计算机控制的改进，改进后的设备在沉积过程中各路源气体可进行自动控制。在改进后的设备上采用逐层生长法制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ薄膜。讨论了关键的技术问题     

激光热解沉积微透镜中衬底温度场的研究

激光化学汽相沉积（ＬＣＶＤ）能在激光波长级区域内实现选择性沉积，再利用高斯光束的特性，可以实现在石英衬底上沉积球形剖面介质膜用作做透镜。其沉积生成形状与沉积速率有关，而沉积速率又与衬底温度及其分布有关。本文通过数学推导与计算机处理，详细描述了激光诱导石英衬底的温度分布，并通过高斯光束光斑扩束方法测量石英衬底表面温度分布。理论与实验相符，从而摸索了改善石英衬底温度分布以实现直接沉积微透镜的要求。     

等离子气相沉积金刚石的试验研究

利用直流等离子体化学气相沉积方法，以较高的沉积速率（＞ｌ００μｍ／ｈ）生成了金刚石。所用原料气体为酒精或石油液化气、氢气以及氢气，沉积基片为铜片。整个沉积过程在３００Ｔｏｒｒ左右压力下进行。利用ｘ射线衍射及喇曼散射谱检测证明所获得的金刚石具有高的质量。利用该方法强化刀具表面在采矿等行业有良好的应用前景。     

光磁共振实验中水平磁场及扫场水平分量的测定

对光泵磁共振实验中水平方向的磁场进行了讨论,指出了在进行光抽运信号观察时所用方波扫场含有一稳恒直流分量,并对这一直流分量进行了测定.同时对用光抽运法测得的地磁场进行了分析,指出不能用水平磁场线圈产生的磁场来估算地磁场水平分量的大小.     

电子束蒸发镀膜反应室内的等离子体空间分布

利用Langmuir探针诊断方法,得到了放电气压0.1Pa、射频13．56MHz、功率200W、加速栅压-200V和减速栅压 85V条件下,电子束蒸发镀膜反应室内的等离子体空间密度分布,以及不同放电气压和不同偏压下反应室内的等离子体密度分布．通过对反应室中等离子体空间分布的分析,得到离子密度均匀区域、合适的反应气压和合适的加速栅电压、减速栅电压范围．     

便携式磁场异常监测系统设计

本文设计了一种便携式地磁场异常监测系统,介绍了监测系统的硬件设计过程,包括串口电路、时钟电路、报警电路、液晶电路等,以及监测系统的软件设计流程。该系统电路简单,成本低廉,可分布于各监测点对地磁场进行监测,通过串口将ROM中的数据发送给PC,在基于地磁场的地震监测与预报领域,有着广泛的应用前景。     

有机介质等离子体增强CVD复合表面改性研究

作者用有机介质代替 TiCl_4进行 PCVD 工艺条件的试验,并以高速钢和工业纯铁为基体材料,研究了经 PCVD 改性后的表层化学成分及相结构。最后提出了涂渗层厚度与时间的关系。