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本文讨论了平板式光子晶体能带结构的计算方法,并利用平面波展开法研究了聚苯乙烯材料制作的平板式光子晶体的能带结构与晶格类型、填充比两个主要结构参数之间的关系.计算给出了晶格类型及填充比发生变化时光子禁带的变化规律.研究发现,当填充比(r/a)介于0.1~0.5之间时,四边形晶格结构和六角形晶格结构奇模和偶模均存在光子带隙,蜂窝状晶格只有偶模存在光子带隙,而且只有当填充比r/a〉0.46时才出现光子带隙.本文所得结果对聚苯乙烯光子晶体的制作和进一步应用研究奠定了理论依据. 相似文献
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用Keafing的价力场(valence force field)模型和蒙特卡罗方法计算了GaAs/GaInNAsSb超晶格中键的分布、原子的精确位置以及应变.用折叠谱(foldedspectrummethod)合Williamson经验赝势法计算了GaAs/GaInNAsSb超晶格应变条件下的电子结构.讨论了N和Sb原子以及超晶格单分子层数对电子结构的影响.发现导带底电子态在N原子周围的局域化减小了光跃迁矩阵元,从而影响了该超晶格的发光性能.计算并讨论了超晶格的电子和空穴的有效质量. 相似文献
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讨论了半导体量子阱中量子限制Stark效应(QCSE)──垂直于量子阶层而的电场下吸收边的红移现象.由于这个效应,量子阱材料吸收边附近的光学常数受电场调制,其调制率比体村料大得多.利用吸收系数的变化可以制作光强度调制器和光开关,利用折射率的变化可以制作光相位调制器和光开关.这些器件因其工作电压低、调制率高、插入损耗小、功耗小,可以和其他光器件单片集成,在光通信和光信息处理技术中有实用价值.也讨论了半导体超晶格中Wannier-Stark局域化效应,它引起超晶格吸收边的兰移,这一效应也可用于制作光调制器和光开关. 相似文献
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本文讨论了平板式光子晶体能带结构的计算方法,并利用平面波展开法研究了聚苯乙烯材料制作的平板式光子晶体的能带结构与晶格类型、填充比两个主要结构参数之间的关系.计算给出了晶格类型及填充比发生变化时光子禁带的变化规律.研究发现,当填充比(r/a)介于0.1~0.5之间时,四边形晶格结构和六角形晶格结构奇模和偶模均存在光子带隙,蜂窝状晶格只有偶模存在光子带隙,而且只有当填充比r/a>0.46时才出现光子带隙.本文所得结果对聚苯乙烯光子晶体的制作和进一步应用研究奠定了理论依据. 相似文献
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基于组合杆的平衡条件,分别建立了晶格失配、热失配以及由两者共同导致的异质结构应变 和应力分布模型,并获得了异质结构的晶格失配应变、热失配应变、弯曲应变以及曲率半径 的分析解. 同时,运用所建的模型,计算了HgCdTe/CdZnTe异质结构的应变和应力分布.结果 表明:应力最大值均在界面处,而中性面仅是材料厚度和弹性参数的函数,与晶格失配、晶 格弛豫、热失配等参数无关,且该异质结构的曲率半径是衬底厚度的函数,随衬底厚度的减 小而减小,而要保证HgCdTe/CdZnTe器件在液氮温度下不发生断裂,衬底的厚度必须大于临界值.
关键词:
异质结构
应变分布模型
应力分布模型
晶格失配 相似文献
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采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对闪锌矿结构CdS和CdS:M(M=Ti,Co)几何结构、电荷分布、能带结构和电子态密度等进行了系统研究.几何结构研究对晶格参量进行了优化计算,Co和Ti原子掺入CdS后晶格常数均减小,晶格发生局部畸变.电荷密度计算表明,对于掺Co体系,近邻的S原子电荷分布变化明显,即有更多电子转移到S原子,同时次近邻Cd原子周围的电子分布也受到影响;对于Ti体系,邻近S原子电荷分布变化不明显,次近邻Cd原子周围电荷也没有重新分布.能带结构和态密度分析表明,由于Co3d和Ti3d电子的引入,CdS:Co成为铁磁半导体,而CdS:Ti为简并半导体. 相似文献
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用linear mufin tin orbital能带方法,计算Si衬底上(ZnS)n/(ZnSe)n(001)超晶格的能带结构,计算中采用外加调整势进行带隙修正.在得到较准确的能带结构和波函数的基础上,计算该超晶格系统的光学介电函数虚部ε2(ω).结果表明,该超晶格系统的光学性质结合了ZnS和ZnSe体材料光学性质的特点,在相当宽的能量范围内有较好的光谱响应.并且该超晶格系统是直接带隙材料,在光电器件应用中有很大潜力.
关键词: 相似文献
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采用基于密度泛函理论的第一性原理,对Zn(1-x)CoxTe基态的能量、几何结构、电子结构和光学性质等进行了系统的研究.几何结构研究对晶格参量进行了优化计算,Co原子掺入ZnTe后晶格常量减小,晶格发生局部畸变;电子结构的研究表明,Co3d电子的引入导致带隙宽度变窄;计算了Zn(1-x)CoxTe的光学性质,给出了其吸收系数及介电函数的实部ε1、虚部ε2.掺Co导致吸收峰在长波区域减弱且进一步向长波方向扩展. 相似文献
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对用分子束外延(MBE)和溅射方法制备的Co/Cu多层膜样品分别进行了结构及磁性研究.X射线分析表明两者均有良好的调制周期性,并且前者形成外延单晶结构,铁磁共振研究表明了面内六次各向异性对称的存在,说明此超晶格具有完整的面内二维结构.磁电阻测量发现,溅射制备的多层膜具有较高的磁电阻值并明显地随Cu层厚度而振荡,相应的室温磁电阻峰值分别为27%,24%,14%;而MBE制备的超晶格的磁电阻较小,其第二峰的数值只有7%.MBE超晶格界面处可能具有超顺磁性,对磁电阻和磁化强度的不同的外场依赖关系有一定的影响.
关键词: 相似文献
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半导体纳米结构是纳米材料的一个重要组成部分,纳米结构的电子和光子器件将成为下一代微电子和光电子器件的核心.半导体纳米结构有多种多样,如自组织量子点、纳米晶体、硅团簇、量子结构等,它们可以制成各种纳米电子学器件.根据以上几类半导体纳米结构,文章介绍的获奖项目提出了研究半导体纳米结构电子结构的四个理论,并利用这些理论研究了它们的电子态和物理性质,发现了许多新的效应.这些理论包括:一维量子波导理论、孤立量子线、量子点的有效质量理论、异质结构的空穴有效质量理论、经验赝势同质结模型.专著〈半导体超晶格物理〉全面系统地介绍了超晶格物理的概念、原理、理论和实验结果,主要总结了获奖项目参加者所在的研究组在超晶格物理研究方面所取得的成果. 相似文献
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使用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法,研究了Nb二维单层原子薄片的结构稳定性和电子结构性质.对其所有的二维晶格结构的计算表明,由于Jahn-Teller效应,对称性较高的正方和六角晶格都是不稳定的二维结构.而稳定的二维结构是由对称性较高的六角晶格畸变后形成的对称性较差的斜方和中心长方结构.Nb单层原子薄片不能形成长方晶格结构.通过计算电子结构和Jahn-Teller效应,进一步讨论了这些结构的相对稳定性以及各二维晶格结构的电子能带和态密度等性质.
关键词:
Nb原子薄片
Jahn-Teller效应
电子结构
从头计算 相似文献
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面心和体心立方金属的晶格振动 总被引:2,自引:0,他引:2
本文讨论了实际固体材料的晶格振动问题,提出了实际固体材料中晶格波色散关系和偏振矢量的求法,给出了固体物理中晶格振动问题的一种新的简单的讨论方法.对单式面心和体心立方晶格的振动给出了详细的解析过程,在一些特殊晶向上,给出了晶格波的色散关系和偏振矢量的解析表达结果. 相似文献