离子注入后检测设备的掺杂均匀性和剂量精度的方法

测定离子注入后掺杂总数的方法可分为二大类。一类是对注入层进行直接分析;另一类是借助于对物理性能和器件参数的测量而间接地测定其掺杂数量。对这些方法作了简要的评述后,报导了对离子注入的剂量精度和均匀性的一次国际性的调研结果:它是用直径为76mm的硅片,注入硼离子,并在一组规范的条件下进行了退火,用四探针法对被调研的注入后的每一块硅片上的118个点进行了薄层电阻值的自动测量。调研中的85台离子注入机所测的方块电阻的总平均值为169.7Ω/□,相对它的标准偏差为8.1Ω/□,这表明了工业用离子注入机存在的定标范围。等值薄层电阻轮廊图曾用于鉴别均匀性问题,它提供了一个易于解积的图示方法。在一个硅片内薄层电阻值的非均匀性(一个标准偏差)变化范围是0.37％到4.76％,其中值为0.72％。     

离子注入剂量的均匀性检测和校正

介绍了离子注入机中注入剂量的均匀性检测和校正,着重阐述了均匀性的检测原理、均匀性计算公式、均匀性检测和校正流程及算法。     

光热探针检测半导体离子注入剂量与均匀性

本文主要介绍光热探针技术的原理及其在半导体离子注入测试和监控中的应用。     

新型四探针法测量离子注入精度与均匀性

1 引言离子注入方法具有很高的注入精确度和均匀性,其注入剂量重复性优于1％,整个硅片上的注入均匀性约在±1％左右。这是其它工艺方法所无法比拟的,因此离子注入已广泛地用于大规模集成电路的工艺过程中。     

强流离子注入均匀性控制

本文讨论了强流离子注入机的全机械扫描靶室中实现剂量高均匀性和高重复性注入的变速扫描设计原理及控制技术。     

离子注入均匀性的工艺控制

叙述了影响离子注入均匀性的几个主要因素,其中包括束流品质,离子束聚焦与扫描以及束流大小选择等。同时介绍了如何控制这些因素来获取优异的注入均匀性,通过这些控制手段,均匀性可以优于１ ％ ,结果令人满意。     

离子注入水平扫描均匀性控制算法

为提高离子注入工艺中水平扫描输入剂量的均匀性,研究了离子束水平扫描速度对各处注入剂量的影响规律,建立了水平方向注入剂量分布曲线的数学模型。通过简化离子束斑轮廓,提出了一种实用的离子注入水平扫描均匀性控制算法,实际校正过程要经过多次循环,才能使离子注入水平扫描的均匀性收敛到目标范围内。在离子注入工艺中,利用该算法对束线水平扫描均匀性成功进行了校正实验,校正前的水平扫描均匀性为10%,经过5次校正,水平扫描均匀性达到1%,比校正前提高了一个数量级,验证了这种算法的可行性与有效性。     

小剂量离子注入均匀性的工艺控制

本文叙述了影响小剂量离子注入均匀性的几个主要因素，其中包括束流品质、离子束聚焦与扫描以及束流大小的选择等。同时介绍了如何控制这些因素来获取优异的注入均匀性，通过这些控制手段，均匀性可以优于5％，结果令人满意。     

球面离子注入均匀性的计算机模拟

<正> 近几年来,金属材料的真空处理技术飞速发展,从原来的真空热处理,发展到今天的真空镀膜和在金属中的离子注入技术。无论是金属表面的镀膜还是在金属中注入离子,均可改善金属材料的机械性能。     

离子注入硅的微均匀性测量

离子注入硅的微均匀性测量＝Ｍｉ－ｃｒｏｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓｏｆｉｏｎｉｍｐｌａｎｔｅｄｓｉｌｉ－ｃｏｎ［刊，英］／Ｃｕｒｒｅｎｔ．Ｍ．Ｉ．…∥ＳｏｌｉｄｓｔａｔｅＴｅｃｈ－ｎｏｌ，－１９９３．３６（７）．－１１１～１１９讨论了...     

离子注入均匀性的测量与诊断技术

本文评述了离子注入剂量与均匀性测量方法的新进展,重点概述了离子扫描光密度测量法。同时阐述了薄层电阻与光密度法的等值线轮廓图可诊断非均性的产生原因及在生产监控上的应用。     

强流氧离子注入机注入均匀性分析及提高

对强流氧离子注入机的注入靶室进行分析探讨,对影响均匀性指标的靶盘结构、束的形状和束扫描注入方式进行研究,结合主体硬件,增加晶片自旋装置和采用新的扫描方式,来提高注入均匀性指标。     

离子注入均匀性的测绘—历史与现状

本文评述了离子注入剂量和均匀性测绘技术的发展历史,并对五种常用的测绘方法进行了概述。     

离子注入机的辐射剂量

一、引言随着器件工艺的不断发展,对离子注入机提出了更高的要求,70年代初的离子注入机只能获得几十微安的束流,称为弱流离子注入机。近年来,广泛采用的是中束流离子注入机,束流可达几百微安,能量一般在200kev以下。同时束流达毫安级的大束流离子注入机,能量在100kev以下,也得到迅速的发展。随着束流的提高,注入剂量的增大,离子注入机的辐射剂量也随之增大。测量结果表明,离子注入机的辐射线主要是X—γ射线,为了减少辐射线对工作人员的危害,并为设计离子注入机提供一些参数,我们对我所生产的LC_2和LC_3型离子注入机,以及国内现有部分离子注入机的辐射剂量进行了较全面的调查和测量.本文简要介绍我们的调查和测量结果。     

GaAsVHSIC的离子注入和快速热退火的均匀性研究

研究了改变注入角、ｐ型埋层注入及红外快速热退火对ＧａＡｓＩＣ有源层均匀性的影响，得到了表面形貌好、大面积均匀性良好的注入掺杂有源层。     

检测离子注入均匀性的WF—1型微型计算机自动测量及数据处理系统

本文介绍采用微型计算机技术研制的一台用于检测离子注入、扩散等半导体掺杂工艺的均匀性、一致性及重复性的自动测量及数据处理系统。该系统的系统误差小于0.05％,可作为检测离子注入机掺杂均匀性的专用设备以及应用于研究所或工厂生产线上快速检测晶片薄层电阻;准确地检测离子注入、扩散工艺的均匀性及重复性,从而能迅速地反馈到工艺中去,为改进工艺提供有力的依据。     

GaAs VHSIC的离子注入和快速热退火的均匀性研究

研究了改变注入角、ｐ型埋层注入及红外快速热退火对ＧａＡｓＩＣ有源层均匀性的影响，得到了表面形貌好、大面积均匀性良好的注入掺杂有源层。在２英寸圆片上做出的场效应管无栅饱和电流相对偏差２．３％，器件阈值电压标准偏差９８ｍＶ。用该材料做出了６７２门ＧａＡｓ超高速门阵电路，还做出了工作频率为５ＧＨｚ的除二动态分频器。     

红外焦平面阵列非均匀性校正精度的研究

定标校正法是目前人们实际使用较多的一种红外焦平面阵列非均匀性校正方法。该方法采用的算法简单,易于用硬件实时实现,但也存在校正精度低的缺点,针对这一不足,首先通过实验得到了红外焦平面探测器的实际非线性响应曲线,然后在此基础上进一步分析了定标点的数量及选取对红外焦平面阵列非均匀性校正精度的影响,为提高定标校正法的校正精度提供了依据。