用高纯锗γ-谱仪借助滑动比较方法精密测量放射性核的γ-射线能量

以~(192)Ir γ-射线能量准确值为标准对高纯锗γ-谱仪进行滑动扫描刻度,通过比较测定放射性核γ-射线能量,得到:477603.18±0.44eV(~7Be)、511852.70±0.58eV(~(106)Ru)、514004.87±0.52eV(~(85)Sr)、520399.01±0.63eV(~(83)Rb)、529594.48±0.69eV(~(83)Rb)和552551.14±0.68eV(~(83)Rb)。用这一结果校正以往的实验,得到电子质量值510998.6±1.1eV,它与电子质量的近期调节值良好符合。     

仲态电子偶素湮没辐射能量的测量

利用充氧气的气凝硅胶电子偶素源,用与已知的¹⁰⁶Ru γ射线能量511856.2(2.3)eV相比较的方法,测得仲态电子偶素湮没2γ射线的能量为510998.7(2.5)eV将此数值(经结合能修正)与电子静止质量所对应的能量(m_ec²)进行了比较.     

仲态电子偶素湮没辐射能量的改进测量

用充氧气的气凝硅胶作仲态电子偶素源,用¹⁹²Ir精密γ能量作标准,以时间选择能谱仪和滑动比较法改进测量仲态电子偶素2γ湮没能量,得到hv=510995.34±0.69eV.经电子偶素结合能修正,得正、负电子对静止质量,与电子质量比较,表明正、负电子质量在1.4ppm内一致.     

83Rb的低激发态能级结构

用γ射线单谱测量和γ–γ–t符合测量研究了⁸³Sr(β⁺+EC)⁸³Rb衰变,将⁸³Sr衰变的γ跃迁由102条扩展到196条,发现了⁸³Rb的19条新能级,否定了前人测得的8条能级.测定了⁸³Sr(β+EC)衰变的分支比,重新确定了⁸³Rb各能级的自旋和宇称值.     

新重丰中子同位素238Th

利用兰州重离子加速器(HIRFL)所提供的60MeV/u的¹⁸O离子束照射天然铀靶,通过多核子转移反应生成²³⁸Th.由快速放射化学分离技术从铀及其反应产物的混合物中分离出钍.使用2台高纯锗(HPGe)探测器对样品的γ(X)活性进行测量,观测到了²³⁸Th的β^－衰变子体²³⁸Pa的635.0keV和1060.5keV2条γ射线峰的增长、衰变行为.利用分析递次衰变的计算机程序对其后一条进行了拟合,得到母、子体半衰期分别为(9.4±2.0)min和(2.1±0.4)min,二者分别与预言值和文献值相符.另外,在由²³⁸Pa的X射线开门的γ谱中,发现一条能量为89.0keV的新γ射线,经计算,其半衰期为(8.9±1.5)min,由跃迁能量和半衰期的关系认定该射线来源于²³⁸Th的β–衰变.从而证明本实验合成和鉴别了重丰中子新核素²³⁸Th,并测定它的半衰期为(9.4±2.0)min.     

中等银纬区逆康普顿γ射线强度

使用最近期的EGRET/CGRO γ射线数据,确定出了中等银纬区(|b|=10°-20°)银河宇宙线与星际气体相互作用产生的γ射线的发射率q/4π,其中采用了由γ射线数据本身来确定该发射率的方法;并由此获得了以银经为函数的不同能区的逆康普顿(IC)γ射线积分强度.在该银纬区,沿银经平均的IC微分强度可表为:I_Ic(E)=1.58×10^－6E^{－2.08±0.06}cm^－2·s^－1·sr^－1GeV^－1,b=10°—20°;I_Ic(E)=2.08×10^－6E^{－2.03±0.06}cm^－2·s^－1·sr^－1GeV^－1,b=－20°—－10°,其中,能量E的范围为30MeV到4000MeV.     

TELESIS在φ→3γ衰变末态分析中的运用

介绍了φ介子工厂(DAΦNE)KLOE组的数据分析中运动学拟合程序TELESIS的运用.利用KLOE2000年在e⁺e^－对撞能量E_cm=1020MeV获取的部分数据开展φ→γη→3γ和φ→γπ⁰→3γ的分析,得到φ介子的产生截面σe+e－→=(4.04±0.04±0.24)μb,以及φ→γπ0→3γ的分截面σφ→γπ0→3γ=(5.3±0.3±0.6)nb.这些结果与理论预言以及俄国新西伯利亚的VEPP(CMD-2,SND,ND各探测器)的相应结果一致.     

新核素238Th的鉴别

利用60MeV/u的¹⁸O离子束轰击天然铀靶,通过多核子转移反应生成重丰中子新核素²³⁸Th.观测到了²³⁸Th的子体²³⁸Paγ活性的生长、衰变行为,鉴别了²³⁸Th的存在,并测得它的半衰期为(9.4±2.0)min.同时,发现了一条能量为(89.0±0.3)keV、半衰期为(8.9±1.5)min的新γ射线,指定为²³⁸Th的衰变γ射线.     

新重丰中子同位素175Er的合成和γ衰变

用14MeV中子轰击天然镜靶,通过¹⁷⁶Yb(n,2p)¹⁷⁵Er反应,首次合成了新同位素¹⁷⁵Er.利用γ(X)谱学方法,对¹⁷⁵Er的活性进行了观测,发现了能量为76.5,120.9,123.7,128.5,227.3,234.0,281.4,1167.5keV半衰期为1.2±0.3min的八条新γ射线,并指定为¹⁷⁵Er的β-衰变.建立了¹⁷⁵Er的部分衰变纲图.     

用基态特征γ射线计算同质异能态反应截面的公式及其应用

根据人工放射性的生长与衰变规律, 推导出一个在特殊情况下用基态特征γ射线计算同质异能态反应截面的公式, 并据此公式用活化法以⁹³Nb(n,2n)^92mNb反应截面为中子注量标准对¹²⁸Te(n,2n)^127mTe反应截面进行了测量. 由能量为(14.1±0.2)和(14.6±0.3)MeV的中子引发的¹²⁸Te(n,2n)^127mTe反应截面值分别为(737±69)和(853±82)mb. 单能中子用T(d,n)⁴He反应获得, 其能量用铌锆截面比法测定. 为减小热中子的(n, γ)反应的影响, 在辐照过程中对样品进行了包镉处理.     

元素分离样品中丰中子同位素弱γ活性探测

MPGeγ探测器的γ能量信号与4πΔEβ探测器的β射线能损信号符合后再与BGO探测的β+衰变的正电子湮灭511keV γ信号作反符合组成一种新的探测系统. 该系统可使γ谱测量的康普顿本底下降约一个数量级. 对缺中子同位素衰变γ射线的探测作强抑制的同时,丰中子同位素衰变γ射线的探测仍能保持相对单谱为(46±3)%的高效率. 使用该系统对已被合成的丰中子核素²⁰⁸Hg的半寿命进行了一次新的测定. 所得新的²⁰⁸Hg半寿命测定值41.5+min,与以往用放射化学母牛法给出的结果一致,测量误差有较大改进.     

ZrO-双原子阴离子的光电子成像谱

利用激光溅射制备了ZrO^-双原子阴离子,测量了其光电子成像谱．实验观测到的光电子能谱可以在光学光谱和高精度从头计算的基础上得到很好的归属．ZrO^-的基态确定为²△态,其自旋-轨道分裂能为578±12 cm^-1,ZrO的电子亲和能测定为1.249±0.005 eV．第一次在实验上观测到ZrO的c³∑^-激发态,其相对于X¹∑⁺基态的能量为13316±24 cm^-1,同时还对ZrO与其等电子体NbN的电子结构进行了比较．     

新重丰中子核237Th的合成和鉴别

用14MeV中子照射(NH₄)₂U₂O₇粉末,通过²³⁸U(n,2p)²³⁷Th反应产生了新的重丰中子同位素²³⁷Th,并用放射化学方法分离了它.借助于跟踪其子体²³⁷pa的γ射线的时间序列谱首次鉴别了这个新活性.利用递次衰变分析程序得到了²³⁷Th的半衰期为5.0±0.9min.另外,发现了一条能量为35.1±0.3keV T_1/2=5.0±1.1min的新γ射线并指定它为²³⁷Th衰变.     

209Fr的能级结构研究

利用能量为90—105MeV的¹⁶O束流,通过¹⁹⁷Au(¹⁶O,4n)反应研究了²⁰⁹Fr的高自旋态能级结构.进行了γ射线的激发函数、γ-γ延迟符合及γ射线的角分布测量.首次建立了由21条γ射线构成的²⁰⁹Fr的能级纲图,其中包括一个半寿命为(52±20)ns的同质异能态.基于²⁰⁹Fr与²⁰⁸Rn低位能级结构的相似性,用一个h_9/2价质子与²⁰⁸Rn激发态的弱耦合解释了²⁰⁹Fr的低位能级结构.     

73Br的衰变研究

以⁶⁴Zn(¹²C,2np)反应得到⁷³Br,经过氦喷嘴传输系统和快速化学分离后进行了γ单谱、γ-γ符合和角关联测量,得到了⁷³Br的27条γ射线能量和相对强度,其中102.1、137.2、166.2、249.0、345.5、363.8、381.5、385.7和390.2keV 9条γ射线以及192.4、537.4和574.1keV 3条能级为本工作首次测得.建立了⁷³Br的衰变纲图,由log ft值和角关联系数测量值推测了90.4keV能级的自旋.     

Tb160的衰变—希土元素大变形核的激发能级的研究(Ⅲ)

本文叙述用双磁镜β谱仪、有铁双聚焦β谱仪和闪烁谱学技术来研究Tb¹⁶⁰(半衰期为72天)的衰变。定出了五个β分支,其能量、强度和logft值分别为274千电子伏(9％)7.9,464千电子伏(14％)8.5,562千电子伏(42％)8.1,868千电子伏(34％)8.9,1740千电子伏(0.4％)11.9。确定了二十七条γ射线,其中九条高能量γ射线是新观察到的。按照γ-γ级联关系和γ射线的能量定出了Dy¹⁶⁰的十四个激发能级,其能量、自旋和宇称分别为86.6(2+),283.5(4+),965.7(2+),1048(3+),1198(1—),1264(2—),1287(3—),1358(3—),1398(3—),1566,1591,1658,1696,1721千电子伏。最后就Dy¹⁶⁰核的激发能级的特性及其运动形态加以讨论。     

激光间接驱动内爆靶丸的X光诊断

 报道了神光Ⅱ激光聚变实验中内爆燃料靶丸区电子温度、电子密度以及燃料面密度的X光诊断结果。在电子温度诊断中,采用X射线光谱学方法,根据聚变靶丸燃料区的Ar示踪元素的Ly-β线与He-β线的强度比推断出靶丸燃料区电子温度为(950±100) eV;在电子密度诊断中,利用靶丸燃料区Ar元素的He-β线Stark展宽确定聚变靶丸芯部的电子密度为(0.9±0.2)×10²⁴ cm^-3;在燃料区面密度诊断中,利用X光单能照相技术获得了内爆靶丸的燃料面密度为（3.2±0.5） mg/cm²。     

198Bi的高自旋态结构研究

利用能量为85—105MeV的¹⁶O束流,通过¹⁸⁷Re(¹⁶O,5n)反应研究了¹⁹⁸Bi的高自旋态能级结构.用6台BGO(AC)HPGe探测器和一台用于探测低能γ跃迁的平面探测器进行了γ射线的激发函数、γ-γ—t符合及γ射线的角分布测量.基于这些测量,首次建立了包括26条γ跃迁的¹⁹⁸Bi的高自旋能级纲图,确定了一个半寿命为(8.0±3.6)ns,自旋和宇称为15+的同质异能态.基于较重的双奇铋核^200—206Bi能级结构的系统性,定性地对¹⁹⁸Bi的能级结构进行了解释.     

紫外光诱导光电子发射负离子源的阈值光电子成像仪设计 (cited: 2)

设计了一套紧凑的光电子成像装置,它包括解离式光电子贴附负离子源、垂直安装的高分辨阈值光电子速度成像装置和线性飞行时间质谱仪．紫外光辐射金属表面诱导低能光电子发射,再通过低能电子贴附超声分子束产生高强度和冷的负离子源．结合这种负离子源和飞行时间质谱-光电子成像仪装置,仪器的质量分辨能达到200左右,能量分辨优于3%(即对1 eV动能的电子,分辨达到30 meV)．此外,使用该实验装置获得了CH₃S^-和S₂^-在611.46 nm下的低能阈值光电子成像结果．同时得到了CH₃S和S₂的更精确的电子亲和势分别为1.8626±0.0020和1.6744±0.0035 eV．初步的结果证明了该装置对研究阈值光电子成像精确测量光电子亲和势非常有效     

异亮氨酸的真空紫外光电离和光离解

利用同步辐射光电离质谱结合理论计算, 研究了异亮氨酸的真空紫外光诱导电离解离．在光子能量为13 eV的质谱中探测到了m/z=86、75、74、69、57、46、45、44、41、30、28、18的碎片离子．对于异亮氨酸的主要碎片离子为：C₅H₁₂N⁺ (m/z=86)、C₂H₅NO₄⁺ (m/z=75)、C₅H₉⁺ (m/z=69)、C₄H₉⁺(m/z=57)和CH₄N⁺(m/z=30)．由光电离效率曲线得到出现势分别为：8.84±0.07、9.25±0.06、10.20±0.12、9.25±0.10、11.05±0.07 eV．结合量化理论计算(B3LYP/6-31++G(d,p)),详细给出了它们可能的生成路径．这些解离通道包括简单的键断裂反应和涉及中间体、过渡态的反应,实验值和理论计算的离子出现能或势垒一致．