187Au的能级结构及单质子与偶–偶核芯的耦合特性

利用¹⁷⁷Hf(¹⁹F,9n)¹⁸⁷T1反应和在线同位素分离法,对¹⁸⁷Au低激发态能级结构进行了γ–γ符合与γ–e符合的测量分析,束流能量为175MeV,发现了多条新的跃迁,测量了内转换系数,扩展了¹⁸⁷Au的能级图.对¹⁸⁷Au低激发态下的集体带结构、单质子与不同偶–偶核芯的耦合特性进行了讨论.     

46．7MeV／u~（12）C轰击~（197）Au、~（115）In、~（58）

用气体电离室－半导体位置灵敏探测器望远镜测量了４６．７ＭｅＶ／ｕ（１２）Ｃ离子轰击（１９７）Ａｕ，（１１５）Ｉｎ，（５８）Ｎｉ靶时，在大角区发射的从Ｌｉ到Ｍｇ的复杂碎片能谱；由各碎片的能谱提取了蒸发源的温度和碎片发射的最可几动能Ｅｐ，并与＝Ｖｃｏｕｌ＋２Ｔ计算的平均动能进行了比较，发现实验上提取的最可几动能Ｅｐ总是低于计算的．用Ａ．Ｆｒｉｅｄｍａｎ简单的统计公式对复杂碎片的产额进行粗糙拟合，拟合结果令人满意．     

偶偶校高自族态的微观研究（Ⅱ）对同中子异荷素~（154）Dy、~（156）Er和~（158）Yb的应用

从包括对力、四极对力及四极力的核子－核子有效相互作用出发，依据以广义的Ｄｙｓｏｎ展开方法所建立的微观理论方案，对同中子异荷素１５４Ｄｙ、１５６Ｅｒ和１５８Ｙｂ的低能态及高自旋态进行了研究．实际计算时，低能态及高自旋态分别用（ｓｄ）Ｎ组态及（ｓｄ）Ｎ－１加两中子组态描述，且取用了统一的参数值．计算结果与实验符合较好，特别是理论较好地复现了原子核的第一个回弯．     

首次测定短寿命缺中子同位素~（153）Er和~（157）Yb的EC／β~＋衰变

利用（１６）Ｏ重离子束轰击（１４２）Ｎｄ和（１４７）Ｓｍ同位素靶分别生成（１５３）Ｅｒ和（１５７）Ｙｂ．借助氦喷嘴带传输系统和Ｘ－γ、γ－γ符合测量方法分离鉴别核素并测量其衰变性质．首次建立了（１５３）Ｅｒ和（１５７）Ｙｂ的ＥＣ／β＋衰变纲图．从中指认出（１５３）Ｈｏ的一个新三（准）粒子态和两个新单粒子态，指认出（１５７）Ｔｍ的一个新的同质异能态和一条新转动带．低位能级系统分析表明：在Ｈｏ和Ｔｍ这两条奇Ａ核的同位素链中基态形状的转变区都在中子数８６和８８之间．     

j－j耦合中J（J＝1）校正项

此文以第四族元素第一激发态（ｎｐ）￣１［（ｎ＋１）ｓ］￣１为例，在（ＪＭ＿Ｊ）表象中，建立新的单组态谱项能量表达式，添加ａ（Ｊ＋１）校正项后，显著地改善谱项理论值与实验值拟合程度。     

偶偶核基带的量子群U_（qp）（u_2）模型的理论分析

通过对锕系和稀土偶偶核基带转动谱实验数据的拟合和Ｍａｌｌｍａｎｎ图的研究，系统地分析了量子群Ｕｑｐ（ｕ２）模型对原子核转动谱的适用性．结果表明，Ｕｑｐ（ｕ２）模型的理论值与实验值比较接近，明显优于单参数形变量子代数ＳＵｑ（２）模型．此外，还建立了Ｕｑｐ（ｕ２）的形变参量ｑ、ｐ与核软度的关系．     

有机磷化合物的NMR研究──Ⅵ．1，3，2－氧氮磷杂环戊烷的~（13）C谱

测定了１９个２－硫代－２－（二乙基氨基）－３－取代苯甲（磺）酰基－１，３，２－氧氮磷杂环戊烷的１３ＣＮＭＲ参数．在苯甲酰类化合物中，邻位有非氢取代基时，非环的２Ｊ（ＰＮＣ）随温度而变化（０～６．１Ｈｚ），这是因羧基与苯环空间位置（构象）随温度变化所致．     

低密度聚乙烯光引发交联机理──Ⅵ．模型化合物光交联点的~（13）CNMR研究

用溶液高分辨１３ＣＮＭＲ谱系统地研究了二本甲酮光引发低密度聚乙烯各种模型化合物（正烷烃．含有文化结构以及末端双键的化合物等）交联产生的Ｈ型和Ｙ型交联点的结构和数目．定量研究结果表明：形成的交联点对模型化合物的种类有较大的依赖性；在正十二烷光交联过程中，Ｈ型和Ｙ型交联点均可形成．且二者的产率相当；而在含有文化结构的模型化合物的文联过程中．形成Ｈ型和Ｙ型交联点的产率与文化结构的空间位阻有关；对合末端双键的模型化合物．则在交联过程中双键被打开而形成Ｙ型交联点．这些结果与低密度聚乙烯光引发交联体系中得到的结果相一致，为进一步阐明聚乙烯光交联点的结构及其形成机制提供了新的实验证据．     

偶偶核高自旋态的微观研究（III）对同位素~（126）Ba，~（128）Ba和~（130）Ba的应用

从壳模型组态及核子－核子有效相互作用出发，借助于一种描述偶偶核高自旋态的微观理论方案，对同位素１２６Ｂａ，１２８Ｂａ和１３０Ｂａ的低能态及质子拆对占据ｈ１１／２侵入轨道所出现的回夸现象作了研究．得到了与实验定性符合较好的结果．对Ｙｒａｓｔ带，进一步探讨了带间相互作用强度与耦合算子之间的关系．     

水溶液中N－烷基亚胺二乙酸二氨铂（Ⅱ）配合物的~（13）CNMR研究

在不同ｐＨ条件下以Ｎ－烷基亚胺二乙酸［Ｒ－Ｎ（ＣＨ２ＣＯＯＨ）２，Ｒ＝Ｍｅ，ｉ－Ｐｒ，ｎ－Ｐｒ，ＨＯ—Ｅｔ］为配体合成了一系列二氨铂（Ⅱ）类配合物．１３ＣＮＭＲ（２０ＭＨｚ）研究结果表明该类配体均以Ｎ、Ｏ与铂配位，配位方式不随合成时ｐＨ值的改变而改变，在弱酸条件下，配合物处于交换平衡状态．平衡常数由不同ｐＨ下未配位羧基碳的化学位移计算而得．     

（100）~Sn核墓态性质的微观研究

用相对论平均场理论和非相对论平均场理论计算了双幻核１００Ｓｎ的结合能，核物质分布半径，中子分布半径和质子分布半径等，并对这两种理论计算结果进行了比较和讨论．这是对１００Ｓｎ核的第一个微观计算．     

三（2─甲基─2─苯基丙基）锡苯氧乙酸酯化合物的~（13）CNMR研究

测定了１５种三（２─甲基─２─苯基同基）锡苯氧乙酸酯化合物的１３ＣＮＭＲ谱，利用模型化合物对比及化学位移计算比较等方法．对全部谱线进行了归属．讨论了化合物１３ＣＮＭＲ谱与结构的关系．求得对苯环碳的取代基化学位移参数（ＳＣＳ）：Ｃｉｐｓｏ＝３０．０，Ｃｏｒｔｈｏ＝－１３．８，Ｃｍｅｔａ＝０．８，Ｃｐａｒａ＝－７．５．     

重金属钋化物分子MPo（^2Ⅱ），（M=Cu，Ag，Au）的结构和势能函数

利用相对论小核赝势研究了重金属钋化物分子MPo（X^2Ⅱ），（M=Cu，Ag，Au）．用群论方法结合原子分子反应静力学原理导出了分子的基电子状态和相应的离解极限，并在各种电子相关理论水平上计算了它们的平衡几何和振动频率．在此基础上用Murrell—Sorbie函数形式拟和势能曲线，得到了总的解析势能函数，并计算出了光谱数据和力常数．     

氮杂多环芳烃~（13）C－NMR化学位移的理论探讨

本文主要是对氮原子以ｓｐ~２杂化，孤氮电子占据ｓｐ~２杂化轨道，以这种形式成键的氮杂交变多环芳烃中的１１个化合物的~（１３）Ｃ－ＮＭＲ的化学位移进行了计算。该计算依据ＣＮＤＯ方法一个联系分子电荷密度，键级和键长等参数的半经验公式。同时利用环电流、空间效应以及针对氮原子的屏蔽效应和去屏蔽效应的影响，通过分子动力学的考虑，得到理论上计算的化学位移，该计算结果与实验值吻合得很好，通过时~（１３）Ｃ－ＮＭＲ化学位移的回归分析表明，回归系数达到０．９９，非常好地反映了氮杂多环芳烃~（１３）Ｃ－ＮＭＲ化学位移与分子微观结构之间的关系，同时表明我们在处理诸多化学位移时考虑到的因素是合理可行的。     

热处理对ZnO/Au薄膜结构和压电特性的影响（英文）

通过射频磁控溅射在氧化硅片表面沉积ZnO/Au薄膜,并通过不同的热处理方式对薄膜进行退火。为了研究退火对ZnO/Au薄膜结构和压电特性的影响,采用X射线衍射分析(XRD)、光学显微镜、场发射扫面电镜(FESEM)和压电力分析仪对薄膜退火前后的材料特性进行了分析。研究发现,热处理能够改善ZnO/Au薄膜的结晶质量。特别是在氮气保护氛围下慢速退火后,薄膜结晶质量有明显改善。但是,热处理导致了薄膜的压电系数d33和d31降低。分析认为,热处理过程中Au原子在ZnO中的易迁移特性破坏了ZnO/Au薄膜的压电性能。     

二氟化膦配位化合物的~（19）F－NMR光谱化学位移规律

本文通过实验和已有的报道，综合了一批Ｎｉ（０）、Ｍｏ（０）、Ａｕ（Ⅰ）、Ｃｕ（Ⅰ）与二氟化膦（ＲＰＦ＿２）形成的配位化合物的~１９Ｆ－ＮＭＲ光谱数据；讨论了此类配合物的~１９Ｆ－ＮＭＲ化学位移的特点和受影响的主要因素；得到了在该类配合物中Ｆ化学位移的改变值△δＦ（＝δ配合物－δ配体）的经验公式。     

化合物（Et_4N）_2［Pd_2（mp）_2（μ－mpH）_2］的NMR研究

采用１Ｈ－１ＨＣＯＳＹ，ＨＭＱＣ、ＨＭＢＣ等２ＤＮＭＲ技术对化合物（Ｅｔ４Ｎ）２［Ｐｄ２（ｍｐ）２（μ－ｍｐＨ）２］进行１Ｈ、１３ＣＮＭＲ谱数据分析与归属．表明它在ＤＭＳＯ溶液中仍保持原有固体状态的分子结构．     

基于电化学-应力耦合模型的锂离子电池硅/碳核壳结构的模拟与优化

硅基电极材料在应用中的一个主要问题是巨大的体积膨胀,以及由此带来的电极材料破裂、粉化.本文在有限变形假设前提下,基于电化学-力学耦合理论,研究球形Si/C核壳结构在嵌锂过程中的浓度、应力场的演化,并在此基础上讨论了核壳结构的优化设计.计算结果显示:壳层可以很好地保护硅颗粒的膨胀;然而核内产生的较大的径向压缩应力可能导致...     

核-壳结构的ZnS:Cu/ZnS纳米粒子的制备及发光性质研究

制备了核-壳结构的ZnS:Cu/ZnS纳米粒子以及普通的没有壳的Cu2 掺杂的ZnS纳米粒子,研究了ZnS无机壳层对ZnS:Cu纳米粒子发光性质的影响.透射电子显微镜、激发光谱和发射光谱的研究表明,后加入的Zn2 离子在已经形成的ZnS核表面生长,形成ZnS壳层;而适当厚度的ZnS壳层可以钝化粒子表面,减少无辐射复合中心的数目,抑制表面态对发光的不利影响,提高ZnS:Cu纳米粒子中Cu2 离子在450 nm左右的发光强度.     

核-壳结构的ZnS∶Cu/ZnS纳米粒子的制备及发光性质研究

制备了核-壳结构的ZnS∶Cu/ZnS纳米粒子以及普通的没有壳的Cu2 掺杂的ZnS纳米粒子,研究了ZnS无机壳层对ZnS∶Cu纳米粒子发光性质的影响。透射电子显微镜、激发光谱和发射光谱的研究表明,后加入的Zn2 离子在已经形成的ZnS核表面生长,形成ZnS壳层;而适当厚度的ZnS壳层可以钝化粒子表面,减少无辐射复合中心的数目,抑制表面态对发光的不利影响,提高ZnS∶Cu纳米粒子中Cu2 离子在450 nm左右的发光强度。