Ds介子几个重要衰变分支比的绝对测量

在正负电子对撞能量4.03GeV处,BES实验在BEPC对撞机上完成了D_s介子纯轻子衰变,半轻子衰变和φπ⁺分支比的绝对测量.文章详细描述了用于π与K识别的联合置信度方法,D_s单标记和双标记技术,以及计算Ds衰变分支比的最大似然函数.对所得物理结果做了讨论和评述.对未来D_s物理改进测量做了展望     

在手征么正模型中0+重介子是否存在分子态结构

在分子态结构的假设下, 利用手征么正模型研究了D₀(2308)和B₀的可能结构. 通过研究重子-赝标介子相互作用, 找到了一些可能的分子态. 结果表明: 在带奇异数的系统中, 存在一个质量为2.312±0.041GeV的DK束缚态, 它可以被解释为实验上发现的D_s0(2317). 与此同时, 在非奇异系统中, 存在一个与之对应的、质量为2.1GeV的宽度较大的态和一个对应的、质量为2.44GeV的宽度较小的态. 这两个态应对应于D₀. 因此, 分子态结构只能是D₀(2308)一个分量. 计算结果还预言了一些B_s0和B₀态. 其中质量为5.725±0.039GeV的BK束缚态可以被解释为B_s0(5725), 而预言的B₀(5536)和B₀(5819)应为与B_s0(5725)相对应的非奇异态.     

应用具有手征流关联函数的光锥求和规则计算B(Bc)→Dlν过程的形状因子

在QCD光锥求和规则(LCSR)框架内应用具有手征流关联函数计算B(B_c)→Dlν衰变过程的弱形状因子. 所获得的形状因子的表达式仅依赖于D介子的主导级分布振幅(DA). 应用了三类D介子的分布振幅计算了形状因子F_B→D(0)和F_Bc→D(0). 在速度迁移1.142=0附近算符乘积展开(OPE)得以有效的情况下所计算的形状因子行为在误差范围内与B(B_c)→Dlν过程实验数据相一致. 在大反冲区域1.35B→D(0)是与微扰QCD(pQCD)结果相一致的. 所以本文的计算在联接格点QCD, 重夸克对称性和pQCD之间起桥梁作用，有助于进一步对B(B_c)→Dlν跃迁过程的理解. 计算 使用了在端点具有指数压低的分布振幅行为, 对F_Bc→D(0)的预言与其他方法获得的结果是可比的, 有利于具有库仑修正的三点求和规则(3PSR)方法所得的结果.     

Ds→φπ的理论分析

在重夸克极限下,用QCD因子化方法分析D_s→φπ的衰变.讨论了硬旁观者散射等非因子化贡献,并给出了数值结果,理论预言的分支比与实验相符.最后,结合D⁰→Kπ的测量值,采用纯惟象的方法估计D_s→φπ的分支比.     

用Technicolor理论研究稀有辐射衰变Bc→Dsγ

在一代Technicolor(TCI)和带有一个无质量的标量二重态(TCⅡ)模型下,计算荷电的哥尔斯通粒子对衰变B_c→D_sγ的贡献,并把它们同标准模型的计算相比较,发现哥尔斯通粒子对电磁企鹅图的贡献很大(TCI下),在TCⅡ下贡献较小;而对弱湮没图的贡献可以忽略不计,还对同位旋三重态粒子π+p的质量进行了约束. 预言将来在LHC上能对不同模型下的分支比Br(B_c→D_sγ)的差异进行研究,进而对不同的模型进行检验.     

飞秒激光-物质相互作用产生Kα X射线

 用无色散X射线谱仪分别在靶前后测量了飞秒激光辐照铜箔产生的Kα X射线,获得了能量转换效率。入射激光脉冲宽度33 fs,能量在50 mJ～5 J,强度10₁₇～10₁₉ W/cm₂。靶后发射的Kα X射线强度随入射激光能量的增加而增加,其单色性较靶前好。采用100 μm厚靶,其能量转换率为2.2×10_-5。     

Heusler合金Fe2CrGa的磁性与结构

采用KKR-CPA-LDA方法研究了不同混乱占位时Fe₂CrGa合金基态的电子结构和磁结构. 基态能量表明Fe₂CrGa合金更倾向于形成Hg₂CuTi型有序结构,而不是L2₁结构. 能态密度(DOS)分析进一步揭示受晶体场影响的磁性原子内部交换作用是使Fe₂CrGa合金形成 Hg₂CuTi型有序结构的主要原因.测量了不同热处理所得Fe₂CrGa合金的居里温度和分子磁矩, 发现原子占位有序化可以在137K温度范围内调控合金的居里温度.分子磁矩随有序化占位也有相应变化, 分布在2.28μ_B/f.u.—2.48μ_B/f.u.之间.理论计算和实验对比可证明Fe₂CrGa合金是Hg₂CuTi型Heusler合金.     

基底对光学薄膜弱吸收测量的影响

 对表面热透镜技术测量光学薄膜弱吸收低频调制时不同基底对测量的影响进行了理论分析。用Lambda—900分光光度计测量了K9和石英基底的Ti₃O₅单层膜的吸收值,将该组样品作为定标片;用表面热透镜装置分别测量了BK7和石英空白基底及HfO₂,ZnO两组不同基底不同厚度单层膜样品的吸收。通过分析比较同一工艺条件下镀制的不同基底薄膜样品用与其同种和不同种基底定标片定标测量的结果,表明在低频测量时需要用与测量样品同种基底的定标片定标;不同厚度样品的测量结果表明,在不能严格满足热薄条件时,测量结果需引入修正值。     

会聚X射线圆柱形直导管特性研究

计算了圆柱形直导管会聚区域的功率密度增益K和等效距离L_eq随导管长度和导管内径的变化值. 实验上测量了能量为8.04keV的X射线经过半径为0.54mm的直导管的K和L_eq以及会聚位置的光强分布, 并和计算结果进行了对比. 结果表明: 圆柱形直导管在小尺寸样品X射线衍射领域具有良好的应用前景.     

M2B7-(M=Mg,Zn)团簇的双重芳香性促进Mg-Mg和Zn-Zn单键的形成

本文使用密度泛函理论设计了两个无需配体的具有Mg-Mg和Zn-Zn单键的团簇Mg₂B₇^-和Zn₂B₇^-. 这两种团簇的全局能量最低构型均以M₂²⁺(B₇^3-)的形式存在,其中M-M单键处于准平面六边形形状的B₇部分的上方. 化学键分析证实了这些团簇中Mg-Mg和Zn-Zn单键的存在,这些单键是在异常稳定的B₇^3-的驱动下生成的. 该B₇^3-部分同时具有σ和π双重芳香性. 计算得到Mg₂B₇^-和Zn₂B₇^-的垂直跃迁能分别为2.79 eV和2.94 eV.     

磁场中耦合量子线的三阶非线性光学吸收率

本文研究了磁场中耦合量子线的三阶非线性光学吸收率,并且利用密度矩阵算符理论导出了三阶非线性光学吸收率的解析表达式.最后,以GaAs/Al_xGa_1-xAs耦合量子线为例作了数值计算,并绘出了三阶非线性光学吸收率与磁场B,光子能量h-ω以及间隔D之间的依赖关系.     

Selective Alignment of D2 Induced by Two Ultrashort Laser Pulses

通过求解D₂分子在飞秒激光场中的含时薛定谔方程,研究了室温下D₂分子在超快飞秒激光驱动下的的转动波包动力学. 选择用第一束超短飞秒脉冲与温度为300 K的D₂分子系综相互作用产生一个相干转动波包,用第二束超短飞秒脉冲在波包的1/4和3/4恢复周期选择操纵D₂分子取向. 研究结果表明,通过选择两束超短飞秒脉冲的延迟时间,可以有效控制D₂分子转动波包中奇偶态的相对布居,从而选择性的控制D₂分子取向.     

硼羰基络合物正离子B(CO)3+和B2(CO)4+的红外光解离光谱

利用脉冲激光溅射-超声分子束载带方法制备气相硼羰基络合物正离子. 采用红外光解离光谱研究了B(CO)₃⁺、B(CO)₄⁺ 和B₂(CO)₄⁺的振动光谱. 研究结果表明B(CO)₃⁺具有非常强的B-CO键,无法直接获得其红外光解离光谱. 对B(CO)₄⁺的光解离光谱研究表明该离子是一个B(CO)₃⁺和CO之间弱相互作用络合物. 其中B(CO)₃⁺核具有平面D_3h对称性结构,中心硼具有稳定的8电子组态. B₂(CO)₄⁺具有平面的D_2h对称性结构,其中的B-B键包含一个σ键和半个π键. 自然轨道能量分解分析(EDA-NOCV)表明在B(CO)₃⁺和B₂(CO)₄⁺中的B-CO成键作用中OC→B(σ)要比B→CO(π)反馈作用强.     

Ds衰变常数的测量

利用北京谱仪在e⁺e^－对撞质心能量4.03GeV所取得的约22.3pb^－1的数据,用先标记μ,后标记D_s的方法,共找到2个D_s→μv,3个D_s→τv→μvvv衰变候选事例,给出了D_s的纯轻子衰变的绝对分支比为:Br(D_s→μv)+0.72+0.70－0.44),Br(D_s→τv)=(14+11－8)%,并给出不依赖于模型假设的D_s衰变常数为:f_Ds=(355+96+28－90－28)MeV.     

Magnetic behaviour of TbMnFe

Neutron diffraction and M?ssbauer measurements have been carried out on the cubic Laves phase intermetallic TbMnFe. The magnetic moment on the transition metal atom is found to be low, 0.2μ _B, at room temperature. This moment is temperature independent down to 10 K. Magnetic moment on the rare earth atom varies from 2.5μ _B at 296 K to 7.27μ _B at 10 K. M?ssbauer spectra recorded at 298 K and 78 K have magnetic character but there is a large distribution of hyperfine field values. Both these features arise due to magnetic frustration created in the sample due to the competing ferro and antiferromagnetic interactions between the transition metal atoms.     

微扰QCD方法计算稀有衰变B+→D+sK0

在标准模型中,稀有衰变道B⁺→D⁺_sK^*0只有通过纯湮没图才可以发生.这样这个衰变道的分支比很小.利用基于kT?因子化的微扰方法给出分支比的预测,发现它在10^－8的量级上.这个衰变道估计在将来的LHC上得到测量,对检验标准模型以及探寻新物理有着重要的意义.     

Tb3+掺杂硅酸盐玻璃发光性能的浓度依赖关系

 利用高温熔融法制备了不同浓度的Tb³⁺掺杂硅酸盐玻璃,并分别测量了紫外和X射线激发时的发射光谱。光谱结果表明,不同浓度Tb³⁺掺杂硅酸盐玻璃在紫外和X射线激发时发光行为具有相似的浓度依赖关系：低浓度Tb₄O₇掺杂时主要以蓝光(5D₃→⁷FJ)发射为主,而高浓度掺杂时以绿光(⁵D₄→⁷FJ)发射为主。Tb³⁺发光强度与掺杂浓度的关系分析表明,⁵D₃的浓度猝灭是电偶极-电偶极相互作用引起的, 而⁵D₄的浓度猝灭是交换相互作用引起的。     

Cl(2P)+D2→DCl+D反应中波恩-奥本海默近似有效性的交叉分子束研究

本文利用高分辨的里德堡态氘原子标识-交叉分子束装置,研究了碰撞能为4.5∽6.5 kcal/mol范围内Cl(²P)[Cl(²P_3/2)和Cl^*(²P_1/2)]与D₂的反应. 虽然自旋轨道激发态反应Cl^*(²P_1/2)+D₂在波恩-奥本海默(B-O)近似下本应是禁阻的,但实验中观测到了该反应的贡献. 通过测量靠近后向的碰撞能相关的微分散射截面连线,发现低碰撞能下的产物主要来自于B-O近似禁阻的反应Cl^*+D₂. 随着碰撞能的提高,自旋轨道基态反应Cl+D₂的反应性增加明显要比自旋轨道激发态反应Cl^*+D₂更快,并且在高碰撞能下成为产物的主要来源. 实验结果表明：在低碰撞能下,Cl^*中自旋轨道激发态的额外能量,可以帮助B-O近似禁阻的反应Cl^*+D₂越过势垒;然而当碰撞能接近和高于反应势垒时,B-O近似允许的反应Cl+D₂占主导地位. Cl/Cl^*+D₂反应中B-O近似有效性的特征与其同位素反应Cl/Cl^*+H₂是一致的.     

不同能量的氦原子与同位素分子H2(D2，T2)碰撞分波截面的理论计算

用Tang-Toennies势模型和密耦近似方法计算了不同能量下惰性气体原子He与H₂及其同位素D₂，T₂替代碰撞体系的振转激发碰撞截面. 通过分析He-H₂(D₂，T₂)各碰撞体系分波截面的差异，总结出在H₂分子的对称同位素替代情形下He-H₂(D₂，T₂)碰撞体系分波截面随量子数和体系     

无损检测用15MeV电子直线加速器主束内光中子剂量的测量与MC模拟计算

通过实验和模拟计算研究了无损检测用15MeV电子直线加速器X射线主束内的中子剂量. 加速器采用了铜复合靶和钨加含硼聚乙烯的屏蔽结构, 能够有效地减少光中子的产生, 中子产额在1/1000n/γ以下. 但由于主束内光子剂量很大, 中子的绝对强度也不容忽视. 针对加速器周围强X射线脉冲辐射场的特点, 采用了被 动型的中子剂量测量方法, 加速器正常工作情况下, 使用CR-39片和双电离室测量了等中心处中子对X射线的剂量当量比率, 分别为0.19mSv/Gy X-ray和0.060mSv/Gy X-ray. 利用MCNP5模拟计算了实验相应点的中子对X射线的剂量当量比率, 为0.092mSv/Gy X-ray, 与实验测量结果在数量级上一致. 加速器主射束上D_n/D_γ<1/1000,小于辐射防护标准对中子泄漏剂量的规定值, 从而验证了屏蔽结构的安全性.