共查询到19条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
X射线在影象增强器中背向散射特性的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文用蒙特卡罗方法模拟了轫致辐射X射线在影象增强器中的背向散射特性。针对X线源管电压为30-120kV的轨致辐射入射,给出了背向散射光子的角分布及能谱分布;同时,还给出了背向散射光子的平均能量和平均出射角与管电压的关系以及吸收光子数和直透光子数与管电压的关系。 相似文献
2.
X射线与影像增强器作用过程的蒙特卡罗研究 总被引:4,自引:0,他引:4
用蒙特卡罗方法研究了能量为(30~110)keV的单能X射线在铁中的吸收及散射特性,给出了散射光子的角人布及背向向射光子的能量分布,结果表明,在入射X光子能量较低的情况下,背向散射光子主要是铁的特征X射线光子,随着入射能量的升高,背向散射光了中高能量的散射光子数增多,特征X光子数目迅速减少。 相似文献
3.
将X射线成像技术和微光成像技术相结合, 设计了组合新型X射线影像增强器。不同于常用的进口真空型X射线影像增强管,组合新型X射线影像增强器是由X射线屏和亮度增强器经过透镜耦合而成的非真空型组合器件。文章详细分析了组合新型X射线影像增强器的结构特点、成像原理和成像性能;并在结构特点、成像原理和成像性等方面对组合新型X射线影像增强器和常用的进口X射线影像增强管进行了详细的对比,比较的结果表明组合新型X射线影像增强器的成像性能略低于进口的医用X射线影像增强管,但是组合新型X射线影像增强器的性价比非常高,而且成像性能令人满意,正在向进口管不断靠近。它满足很多科研领域对X射线成像的要求,易于被广大用户接受,可以被广泛的应用在工业探伤,无损检测,机场安检等领域。 相似文献
4.
5.
6.
低强度X射线影像仪的新发展 总被引:1,自引:1,他引:1
扼要介绍国内外Lixiscope的概况。提出在国产系统中在X射线源前加置X射线准直器,X射线影像增强采用纤维光学输出窗和小孔径大面积微反,可以必普像质、扩大视场。 相似文献
7.
8.
9.
影响X射线像增强器分辨率的因素分析 总被引:3,自引:0,他引:3
对采用双近贴聚焦成像结构的MCP(Micro Channel Plate)-X射线像增强器的工作原理与结构进行了分析,对影响其空间分辨率的主要因素进行了研究.影响X射线成像系统分辨率的因素主要有X射线源焦斑的大小和X射线像增强器自身的分辨率,而影响X射线像增强器分辨率的因素主要有MCP输出面到荧光屏之间的距离、MCP输出面与荧光屏之间的电压差以及MCP自身的分辨率.通过对两种具有不同参量的X射线像增强器分辨率的理论计算及分辨率测试实验,将理论计算结果与测试实验结果对比,验证了分辨率计算公式及影响分辨率因素分析的正确性. 相似文献
10.
11.
应用Monte Carlo方法,对不同能量低能电子作用下背散射电子在固体中的空间分布作了计算,电子的弹性散射用Mott截面描述、非弹性散射按文献[3]的方法由Streitwolf、Quinn及Gryrinski的公式计算,大量计算得出一些规律,为低能电子显微学研究提供一定依据。 相似文献
12.
13.
应用Monte Carlo方法,对能量E0≤5keV低能电子作用下固体Al、Cu、Ag、Au的背散射电子发射及表面空间分布作了计算.模型应用Mott散射截面及修正的Bethe方程分别描述低能电子在固体中的弹性和非弹性散射.计算了背散射电子能量分布、表面空间分布、深度分布和角分布规律及特征,还计算分析了背散射电子角分布与深度分布、表面空间分布及能量分布之间的关系,系统地描述了背散射电子的发射及分布规律. 相似文献
14.
电子在固体中的弹性散射用Mot截面描述,提出一个简化的壳层电子激发计算方法将文献[5]中对电子非弹性散射的模拟拓展到重元素,用MonteCarlo方法模拟低能电子在Al、Cu、Au中的散射过程,计算的背散射系数、薄膜透射系数与实验一致.由此,计算得低能电子非弹性散射阻止本领并与Love、Rao-SahibWittry以及Joy的修正Bethe阻止本领作比较分析. 相似文献
15.
建立了电子回旋共振(ECR)微波放电等离子体中离子输运过程的蒙特卡罗模型,考虑了离子与中性原子的电荷交换碰撞和弹性碰撞,以及精确依赖于离子能量的电荷交换和动量转移截面,模拟了源于氩气ECR微波放电的氩离子向衬底输运的过程,得到与实验报道相符的模拟结果。 相似文献
16.
17.
根据新型分析扫描电子显微镜的工作原理及载能电子束和固体相互作用原理,利用蒙特卡罗方法模拟入射电子和靶物质的相互作用过程,编制了蒙特卡罗模拟计算程序,获得了对应不同电镜工作参数的入射电子背散射率. 相似文献
18.
概述了天然宇宙空间的辐射环境,简要地分析了辐射效应机制,在辐射效应的蒙特-卡罗模拟中对靶材料作了无定形假设,入射粒子在靶材料中的弹性能量损失采用经典二体散射公式,非弹性能量损失高能时采用Beth-Bloch公式,低能时采用Lindhard-Scharff公式,中能时采用插值公式,撞出晶格原子引起的次级损伤用Kinchin-Pease模型计算,最后对100KeV硼离子入射于硅材料引起的辐射效应进行了模拟计算,并给出了计算结果和分析。 相似文献