激光气体靶产生的类氖氪离子4d-2p共振跃迁其类Na 3l4l′双电子伴线的研究

用相对论多组态(HXR)方法,详细计算了类Ne氪离子4d-2p类Na3l4l′双电子伴线波长和强度因子,并模拟了实验光谱,解释了最新利用激光气体靶产生的0.525～0.555nm范围的氪X-Ray光谱,计算结果与实验符合得相当好。此外,还讨论了组态相互作用对双电子伴线结构的影响。     

激光气体靶产生的类氖氪离子4d—2p共振跃迁及其类Na3l4l‘双电子伴线的研究

用相对论多组态（HXR）方法，详细计算了类Ne氪离子4d-2p类Na3l4l‘双电子伴线波长和强度因子，并模拟了实验光谱，解释了最新利用激光气体靶产生的0.525-0.555nm范围的氪X－Ray光谱，计算结果与实验符合得相当好。此处，还讨论了组态相互作用对双电子伴线结构的影响。     

类Ne碘离子的3d—2p跃迁及其伴线结构的理论研究

在对类Ｎｅ，类Ｎａ，类Ｍｇ和类Ａｌ碘离子的３ｄ－２ｐ跃迁波长和跃迁几率详细计算的基础上，考虑了各个谱线的加宽和谱线间的重迭效应。在局部热动平衡近似和高温条件下，模拟了各离化态离子共同存在时产生的光谱结构，给出了具有带状分布特征的伴线峰的中心波长和半最大全宽度。讨论了这种光谱在等离子体状态诊断方面的应用。     

类Ne碘离子的3d－2p跃迁及其伴线结构的理论研究

在对类Ｎｅ、类Ｎａ、类Ｍｇ和类Ａｌ碘离子的３ｄ－２ｐ跃迁波长和跃迁几率详细计算的基础上，考虑了各个谱线的加宽和谱线间的重迭效应。在局部热动平衡近似和高温条件下，模拟了各离化态离子共同存在时产生的光谱结构，给出了具有带状分布特征的伴线峰的中心波长和半最大全宽度。讨论了这种光谱在等离子体状态诊断方面的应用。     

高n双电子复合伴线对类氦镁离子Kα共振线贡献的理论计算

利用多组态Dirac-Fock方法计算了类氦镁离子的双电子复合截面.分析了类锂镁离子高n双电子伴线结构及其对类氦镁离子Kα共振线的影响.结果表明类锂镁离子高n双电子伴线和类氦镁离子Kα共振线之间存在着严重的混合,会导致Kα共振线强度的增加、谱形的加宽以及位置的移动.     

高离化类Ne铕离子的双电子伴线结构的理论研究

在对高离化态类Ne铕离子及其临近的类Na、类Mg离子的n=3→2跃迁的波长和强度详细计算的基础上，考虑了等离子体中单个谱线的展宽和谱线之间的重叠，得到了类Ne铕离子n=3→2的共振线及其类Na和类Mg离子双电子伴线的结构，并系统地分析了这些伴线对共振线波长和强度的影响.     

高n双电子复合伴线对类氦镁离子 Kα共振线贡献的理论计算

利用多组态Dirac-Fock方法计算了类氦镁离子的双电子复合截面.分析了类氦镁离子的高n双电子伴线结构及其对类氦镁离子Kα共振线的影响.结果表明类氦镁离子的高n双电子伴线几乎都分布于Kα共振线的长波一侧.随着n的增加,DS强度呈现明显减小的趋势.虽然来自KLM(n=3)的发射线最强,但n>3的部分依然给出了非常重要的贡献.即便是来自n>10的共振的贡献也是不可忽略的.并且高n双电子伴线随着n的增加不断接近Kα共振线,导致和Kα共振线的强烈混合.在实验测量中会使Kα共振线峰位的测量值向长波方向移动,使谱形加宽,并且增强了Kα共振线测量值强度.     

用类氦双电子复合伴线诊断Ar等离子体电子温度

在电子密度约为ne=10 13 cm-3 条件下计算了类氦Ar的伴线 j(1s2 2 p2 P3 / 2 - 1s2 p2 2 D5/ 2 )与共振线w(1s2 1S0 - 1s2P1P1)的强度比 ,采用Hartree Fork Relativistic (HFR)方法计算了伴线因子和波长 ,从而得到伴线强度以及强度比。根据计算的相对强度比随温度的变化关系可以利用实验诊断电子温度     

高离化态氙离子3d-4f跃迁产生的X射线谱的理论研究

利用多组态Dirac-Fock(MCDF)理论方法系统研究了Xe^24 -Xe^27 离子的3d-4f跃迁谱的结构，很好的重现了近来在短脉冲强激光照射氙原子团簇过程中产生的1．25～1．55nm波长范围内的半连续X射线谱峰，并且揭示了半连续谱峰的形成机理是由于旁观电子的存在。     

高离化态氙离子3d-4f跃迁产生的X射线谱的理论研究

利用多组态Dirac-Fock (MCDF) 理论方法系统研究了Xe24+-Xe27+离子的3d-4f跃迁谱的结构,很好的重现了近来在短脉冲强激光照射氙原子团簇过程中产生的1.25～1.55 nm波长范围内的半连续X射线谱峰,并且揭示了半连续谱峰的形成机理是由于旁观电子的存在.     

高n双电子复合伴线对类氦镁离子Ka共振线贡献的理论计算

利用多组态Dixac-Foek方法计算了类氯镁离子的双电子复合截面．分析了类氨镁离子的高n双电子伴线结构及其对类氯镁离子Ka共振线的影响．结果表明类氨镁离子的高n双电子伴线几乎都分布于Ka共振线的长波一侧．随着n的增加，DS强度呈现明显减小的趋势．虽然来自KLM（n=3）的发射线最强．但n〉3的部分依然给出了非常重要的贡献．即便是来自n〉10的共振的贡献也是不可忽略的．并且高n双电子伴线随着n的增加不断接近Ka共振线，导致和Ka共振线的强烈混合．在实验测量中会使Ka共振线峰位的测量值向长波方向移动，使谱形加宽，并且增强了Ka共振线测量值强度．     

类氖等电子系列离子基态的双电子复合速率系数研究

使用全相对论组态相互作用方法, 能级-能级细致计算了0.1 E_I ≤ kT_e≤ 10 E_I (E_I是类钠离子基态的第一电离能) 温度范围内类氖离子基态双电子复合(DR)速率系数, 双激发自电离能级考虑了(2s2p)⁷3ln'l', (2s2p)⁷4l4l' 以及(2s2p)⁷4l5l'组态. 对于(2s2p)⁷3ln'l'双激发自电离组态, 轨道角量子数l' >8 的(2s2p)⁷3ln'l'双激发自电离态对双电子复合速率系数的贡献可以忽略不计; (2s2p)⁷3ln'l'双激发自电离组态的高里德堡态对双电子复合速率系数的贡献满足 n'^-3组态-组态外推法, 并且核电荷数越大, 趋于n'^-3标度的n'值越小; 对细致能级计算得到的类氖离子基态的总DR速率系数进行了拟合, 得到类氖离子基态的总DR速率系数随核电荷数 Z和电子温度变化的经验公式, 该拟合公式与细致计算结果的偏差在2%以内, 能较准确的计算任意核电荷数Z的类氖离子在0.1E_I ≤ kT_e ≤ 10E_I电子温度范围的DR速率系数. Burgess-Merts(BM)近似公式不适用于估算低温(kT_e<0.3 E_I)类氖离子的DR速率系数, 在高温(kT_e>2E_I)时, 类氖离子的DR速率系数可以用BM近似公式表示.     

类Ne La离子的3—2跃迁及其伴线结构的理论研究

在对类Ne La离子及其近邻的类Na、类Mg和类Al离子的n=3—n=2跃迁的波长和跃迁几率详细计算的基础上,考虑了等离于体中单个谱线的展宽和谱线之间的重叠.在高温条件和局部热动平衡近似下,得到了这些电离态离子同时存在时产生的具有带状分布特征的谱带的中心波长和半最大全宽度.解释了已有的实验结果,并预言了存在于更长波段上的谱带的结构 关键词：     

类氢类氦类锂镁离子双电子复合的旁观电子角动量研究

类氢类氦类锂镁离子经中间双激发态进行的双电子复合过程在研究惯性约束聚变电子温度中占有很重要的地位.用准相对论方法计算了双电子复合经不同Rydberg态跃迁通道的复合速率系数,并给出不同离化度离子的双电子复合速率系数随电子温度的变化规律.显示出离子的相关能对峰值的电子温度有很大影响,当类氢离子跃迁通道的旁观电子角动量为1时双电子复合系数最大,而类锂离子是旁观电子角动量为3时最大. 关键词： 双电子复合 镁离子 角动量     

飞秒激光辐照铝靶产生快电子发射的实验和模拟研究

采用实验和数值模拟研究了飞秒激光辐照铝靶产生的快电子发射。实验中,在主脉冲前加上一个预脉冲产生预等离子体,然后主脉冲与预等离子体作用产生快电子。在激光反射方向附近,实验测量的快电子束发射与数值模拟的结果高度地一致;在靶背面,发射的快电子的数目小于数值模拟的结果,原因在于快电子在靶内输运受到电荷分离场和碰撞的影响;在数值模拟中未出现的,沿靶表面发射的快电子束,是由表面准静态电磁场的禁闭效应产生。     

飞秒激光辐照铝靶产生快电子发射的实验和模拟研究

采用实验和数值模拟研究了飞秒激光辐照铝靶产生的快电子发射.实验中,在主脉冲前加上一个预脉冲产生预等离子体,然后主脉冲与预等离子体作用产生快电子.在激光反射方向附近,实验测量的快电子束发射与数值模拟的结果高度地一致;在靶背面,发射的快电子的数目小于数值模拟的结果,原因在于快电子在靶内输运受到电荷分离场和碰撞的影响;在数值模拟中未出现的,沿靶表面发射的快电子束,是由表面准静态电磁场的禁闭效应产生.     

类硼氧离子基态双电子复合速率系数的研究

由于氧广泛存在于星际物质中,对氧等离子体的诊断十分重要。双电子复合速率系数是对等离子体平衡状态诊断的重要参数。本文采用全相对论Flexible atomic code(FAC)研究了类硼氧离子从基态2s22p1(J=1/2)俘获电子,经过2s12p2 n′l′双激发态通道的双电子复合速率系数。忽略贡献很小的辐射级联效应,考虑组态相关,细致计算了n′≤9,l′≤n′-1的所有组态。使用了n′-3标度规律采用组态-组态外推法计算,计算了n′≤1000的所有组态总双电子复合速率系数。分析了双电子复合速率系数与不同被俘获轨道主量子数n′和轨道量子数l′的关系,认为对双电子复合其主要贡献的是n′=3和n′=5,且DR系数在l′=2时出现峰值。即基态通过2s2p2 n′l′的双电子复合伴线光谱中最强的光谱线对应跃迁为2s2p23d的双电子复合过程。该通道总的DR系数随温度升高而先增后减,在0.5eV左右出现最大值,认为此温度下双电子复合效率最高。低温时对于n′较大的组态可以忽略,高温时则需要考虑。     

“四靶串接”类氖锗软X光激光趋向饱和增益的理论研究

介绍了“四靶串接”设计思想,继对接方式之后,又提出了顺接方式来提高X光激光增益,使四靶总长度达到5.6cm。我们研制了程序系列来模拟这一实验,直接给出测点处的X光激光的强度。先用上轮“双靶对接”实验结果检验我们的程序系列,使得23.2nm激光线的结果与实验数据相符合,再用它模拟“四靶串接”实验。在实验之前,对各靶之间距离和角度,以及这些数据对实验结果的敏感程度作了预估,用以指导实验。实验结果证明理论模拟是正确的。23.2nm和23.6nm两条激光线已明显趋于饱和,其小讯号增益长度积GL分别达到18.3和17.6,有效GL分别达到16.4和15.7。X光激光的发散角已减小到3～4mrad,超过美国利弗莫尔实验室(LLNL)已发表的最好结果。     

类铜铅离子自电离速率与双电子俘获强度的扭曲波计算

 采用相对论扭曲波近似方法对高离化态类铜铅离子的自电离速率系数与双电子俘获强度进行了计算。计算结果表明:旁观电子的变化使自电离速率系数呈现出规律性变化。同时用该方计算了Ta元素类铜离子、Au元素类镍离子的自电离速率系数,将结果同相关文献的相对论多参数势方法、准相对论性Hartree-Fock-Relativistic方法以及自旋-轨道劈裂跃迁组模型方法所得结果进行了比较,符合得很好。     

类铜铅离子自电离速率与双电子俘获强度的扭曲波计算

采用相对论扭曲波近似方法对高离化态类铜铅离子的自电离速率系数与双电子俘获强度进行了计算。计算结果表明:旁观电子的变化使自电离速率系数呈现出规律性变化。同时用该方计算了Ta元素类铜离子、Au元素类镍离子的自电离速率系数,将结果同相关文献的相对论多参数势方法、准相对论性Hartree-Fock-Relativistic方法以及自旋-轨道劈裂跃迁组模型方法所得结果进行了比较,符合得很好。