碲镉汞单晶片的多晶化与形变织构

本文重点介绍采用X射线衍射分析法对碲镉汞单晶片在经受研磨和抛光过程中所进行的跟踪分析,只经研磨的晶片的X射线衍射图上2θ从20°到90°的范围内,有(111)、(220)、(311)、(420)……等晶面的衍射峰出现,实属多晶衍射谱,将晶片抛光后,其衍射峰数目急剧下降。一般只剩下一个衍射峰,有的为(111),有的为(220),或(420)等不一。表明经抛光后的晶片为单晶片。对一定数量的晶片反复经研磨—衍射分析—抛光—衍射分析,其衍射谱也就多峰-单峰交替出现。实验过程中还发现大部分晶片在经受研磨后的衍射谱中,(110)面的二级衍射,即(220)峰出现强化的几率最大。此现象表明研磨能导致择优取向,出现形变织构。本文从X射线衍射原理和晶体范性形变的X射线研究出发,结合碲镉汞晶体的结构特征和所具有的滑移特点,对晶体的多晶化和形变织构的形成机理进行了初步探讨。     

碲镉汞晶片材料参数评价

碲镉汞晶片材料参数评价吴人齐（华北光电技术研究所北京１０００１５）本文讨论了ＨｇＣｄＴｅ晶片材料的几种常规测量方法，认为可用红外透射法测ＨｇＣｄＴｅ组分ｘ值。该测试方法是非破坏性的，不需要做标准样品，而是根据碲镉汞晶片室温透射谱吸收边微商最大值对应的...     

碲镉汞晶片电阻变化率的测量

碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe)三元系合金可看成是碲化镉和碲化汞组成的准二元系合金[(HgTe)_(1-x)(CdTe)_x]。由于碲、镉、汞元素各自的物理性质决定,使其合成后的晶体存在严重的不一致性,如偏离化学配比(x值不一致),晶体结构不完整,电学性能不均匀以及晶锭的不重现性等。一根晶锭不仅其轴向的一致性(指x值及电学性能)不好,而且径向各处的分布也往往是无规律的。为了得到一致性较好的晶体,制备晶体时采用过许多方法,如布里兹曼法、固态结晶法、碲溶剂法和高压回流法……等等。通过上述方法拉制的品体在制备红外探测器前,还要经     

FTIR确定碲镉汞晶片的组分与截止波长

采用傅立叶变换红外（ＦＴＩＲ）透射的方法测量了碲镉汞晶片在不同厚度下的透射曲线，运用经验公式确定了其组分及８０Ｋ时的截止波长，并同实测的响应光谱得到的截止波长进行了比较，结果表明，采用该方法预测的截止波长同实际的截止波长相对偏差为２．５％，从而为碲镉汞器件制备工艺中材料的筛选、提高投片的准确率提供了重要的参考依据．     

碲镉汞晶片少子寿命分布自动测试技术通过鉴定

一种测试碲镉汞晶片少子寿命分布的自动测试技术,已由机电部第十一研究所研究完成。1990年由机电部电子科学研究院组织通过鉴定。 晶片少子寿命分布测试技术是采用光电导衰退法,借助微型汁算机实现光束自动扫描、数据采集、数据处理、打印结果和绘制寿命分布图,实现全程自     

碲镉汞小晶片缺陷的同步辐射形貌相分析

在北京正负电子对撞机国家实验室，用同步辐射拍摄了制备长波光导多元碲镉汞红外探测器的小晶片（面积小于１ｍｍ２）的高分辨率白光形貌相。实验结果表明：在碲镉汞小晶片中存在相当多的晶体缺陷，如亚晶界和晶格畸变区等。这些缺陷的存在说明样品受到较强的应力作用，样品晶格的完整性实际上反映了碲镉汞晶体生长和器件制备技术的应力控制水平。根据晶格的畸变模型，讨论了多元线列器件的性能与碲镉汞材料缺陷的关系。     

离子注入碲镉汞

本文概述了离子注入碲镉汞的主要工作,较详细地论述了该工作的近期进展,对离子注入碲镉汞的光电性能,以及在红外探测器制造方面所取得的成就进行了综述。最后评述了国内的有关工作,并对今后的发展提出了建议。     

碲镉汞探测器

美国Honeywell公司继续研制碲镉汞探测器以扩大它们的能力和系统应用。已证明长波长红外光电导碲镉汞探测器多元阵列     

碲镉汞CCD

在最近举行的国际电子器件会议上,有几家公司透露在红外传感器方面获得重大的技术进展。得克萨斯仪器公司报告它们成功地用碲镉汞制得CCD。这种材料也来用制造红外前视装置的红外探测器。这样,各元件的扫描及输出信号的积分就可在器件的镶嵌     

碲镉汞晶片表面加工损伤的电化学腐蚀观察方法

本文报道一种新的观察碲镉汞（ＣＭＴ）晶片表面加工损伤的方法──电化学腐蚀法。文中讨论了电化学腐蚀法的原理，给出了实验结果。实验表明：机械磨抛的ＣＭＴ晶片表面的加工损伤可用电化学腐蚀法清楚地揭示出来；磨抛产生的机械划痕在电化学腐蚀前后一一对应，而且腐蚀后可清晰、直观地看到腐蚀前看不见的机械划痕；结合化学腐蚀的方法测量了一定磨抛条件下Ｗ３．５磨料在ＣＭＴ晶片表面产生的最大加工损伤深度约３２～４０ｐｍ；机械磨抛产生的划痕和其在表面留下的应力沟道区是ＣＭＴ晶片表面在磨抛加工中受到损伤的主要机构。分析认为平均损伤深度主要影响磨抛ＣＭＴ晶片的表面复合速度，而最大加工损伤深度则对ＣＭＴ器件、特别是多元器件性能参数的均匀性影响比较大；故控制好ＣＭＴ晶片表面加工的最大损伤深度也是制备性能均匀的ＣＭＴ多元探测器的一个重要环节。     

碲镉汞晶片少数载流子寿命面分布的自动测试技术

建立了一套碲镉汞薄晶片加工过程中的少数载流子寿命面分布自动检测系统，用于碲镉汞我元光导器件制备工艺生产线，获得了１８０地器件性能分布同薄晶片少数载流子寿命分布一致的结果。     

碲镉汞晶片表面加工损伤的电化学腐蚀观察方法

本文报道了一种新的观察碲镉汞（ＣＭＴ）晶片表面加工损伤的方法－－电化学腐蚀法。文中讨论了电化学腐蚀法的原理，给出了实验结果。实验表明：机械磨抛的ＣＭＴ晶片表面的加工损伤可用电化学腐蚀法清楚地揭示出来；磨抛产生的机械划痕在电化学腐蚀前后一一对应，而且腐蚀后可清晰、直观地看到腐蚀前看不见的机械划痕；结合化学腐蚀的方法测量了一定磨抛条件下Ｗ３．５磨料在ＣＭＴ晶片表面产生的最大加工损伤深度约３２－－４０μ     

碲镉汞的热处理

碲镉汞晶体的化学计量比和自由载流子浓度是通过热处理来调整的。即是在组分的蒸汽下,从接近固化温度时慢慢冷却到室温。碲镉汞保持在石英管的低温处,它可以在短时间内使p型材料变成n型材料。     

碲镉汞的离子注入

在3～5和8～12μm 波段,碲镉汞(MCT)已成为红外探测和热成象的最重要的半导体材料。目前,高质量光电二极管可利用包含离子注入形成 n-p 结的工艺来制作。但是,掺杂机理还说不清楚,因为这种化合物半导体的电学性质,不仅由杂质决定,而且还由“缺陷”及与化学配比的偏离所决定。离子注入 MCT 的主要特征是:在注入的材料中,退火前观察到的是 n~+电学掺杂。“缺陷”似乎是产生这个现象的原因,因为形成这一 n~+层不需要任何进一步退火,同时也不怎么依赖注入条件及注入离子的性质。本文描述了离子注入 MCT 的一般性质。我们将给出观测缺陷所引起的载流子浓度饱和、结迁移和退火材料性质等许多问题。这些问题的回答有助于了解离子注入 MCT 的掺杂机理。看来经过注入杂质,接着进行退火的掺杂也是一个更为复杂的问题,因为它主要与缺陷的退火和化学配比的控制有关。p 型掺杂杂质和 n 型掺杂缺陷之间的竞争,提出了通过离子注入形成 p 型层的可能性问题。     

碲镉汞光电二极管

一、引言美国宇航局戈达德宇航中心正在设计卫星之间使用的高数据速率CO_2激光通信系统,因而与亨尼威尔公司订立合同,要求研制一种碲镉汞光电二极管,它的3分贝下降频率应大于400兆赫,量子效率20％,工作温度100°K。在合同第一阶段,在(Hg,Cd)Te材料性能研究和制造高速(Hg,Cd)Te光电二极管所需扩散技术的研究方面,取得了重要     

碲镉汞红外探测器

一、前言气象卫星用红外照相机的探测部分,要求波长峰值灵敏度在10微米左右,而且响应时间要快。Ⅱ-Ⅵ族半导体合金CdHgTe可以较好地满足上述要求。但是,这种晶体的组分比很难达到理论值,至今各国也没有发现什么最好的方法。东芝公司采用改进型的布里兹曼炉,控制熔融状态的汞压,得到了一部分灵敏度高的优质晶体。虽然均匀性也不太好,但切下灵敏度高的部分,经过加     

夜视技术中的碲镉汞

碲镉汞已有十五年历史,目前已成为夜视技术中主要的红外探测器材料。已经为美国三军并可能为北大西洋条约组织所采用的红外前视装置通用组件,就包括了180元光导碲镉汞探测器组件。一、多光谱碲镉汞可以选择截止波长,做成多光谱器件,即在焦平面上做有几层碲镉汞,每一层都起被动滤光的作用;顶层在其截止波长范围内吸收辐射能,把专吸收的能量透射到     

高性能碲镉汞探测器

碲镉汞对于红外工业的热成象来说是最重要的探测器材料。事实说明,这种材料极适于制作2～14微米的探测器,现已有光导阵列器件、光电二极管阵列器件,还有焦平面信息处理等更先进的器件。光导器件用的是一种“n”型材料,是用布里奇曼法在本公司生长的。由于有了这种技术,再加以对工艺作了深入的研究,从而使材料达到了很高的质量。近几年来,器件的性能和设计的选择性都有了很大的提高。8～14微米和3～5微米光导探测器的典型性能数据见表1。尤其要指出的是这些阵列器件的响应率和D~*的均匀性都很好,1/f拐点频率很低。     

碲镉汞光伏探测器

大约在六年以前碲镉汞红外探测器仍然处于保密状态,这以后它们才公开在市场上广泛出售。关于它们的潜在能力和用途还有许多因素是未来的用户所不十分清楚的。本文打算提供 HgCdTe 光伏探测器这方面的资料以及它目前的技术水平。