导体表面的电荷分布

从对称性角度出发讨论了导体表面的电荷分布问题，并对“电荷密度分布函数”的理论作了评述。     

导体表面的电荷分布

关于导体表面的电荷分布，部分普物教材和一些学者对此作过定量的计算和理论上的探讨，其中罗恩泽提出了导体表面电荷密度按表面曲率的分布函数理论．本文对罗恩泽的理论提出异议．笔者认为，赵凯华、戴显熹等人对此问题的论述是全面、正确的. 但他们的论述是定性的，本文对此作一些定量补充     

均匀磁场中旋转的轴对称导体上的电荷分布析

分析了均匀磁场中旋转的轴对称导体上的电荷分布，指出这里不存在普遍的面电荷密度公式。     

也谈均匀磁场中旋转的中性轴对称导体上的电荷分布

严格证明了中性轴对称导体在均匀外磁场中旋转时,等势面为同轴圆柱面,并由电荷守恒定律证明该轴上的磁场精确等于外磁场Bo。同时还得出了该导体表面电荷密度的普遍公式。     

带电线电场中导体球上的特定电荷分布

研究了带电导体球在带电直线电场中的电荷分布问题,并计算了两种特定情况下导体球表面的电荷密度.     

圆柱形导体在均匀磁场中运动时的电荷分布

以圆柱形导体为例,介绍导体在均匀磁场中匀速运动时电荷分布的求解方法。计算结果表明:在均匀磁场中作垂直切割磁力线匀速运动的圆柱形导体,其电荷既分布在两底面,也分布在侧面,而且侧面电荷较多。对于细长的圆柱形导线,其侧面的电荷面密度几乎与导线中点的距离成正比。     

导体椭球的电荷分布在主轴方向上的压缩不变性

给出带电导体椭球的表面电荷分布的一种新的特性:主轴方向上的压缩不变性.     

等势条件下两带电导体球的电荷分布

本文通过多重镜像法求解了等势条件下两个带电导体球的电荷分布问题,主要关注两球的电荷量以及平均面电荷密度随两球半径和两球间距的关系.通过选择合适的坐标,给出两导体球接触时,n级镜像电荷电量和位置的通式,及总电量的解析表达式.研究发现,当两导体球直接接触时,两球所带的电荷量可以严格求解,并给出了两球的电荷量之比表达式.随着两等势导体球间距的增大,两球所带的电荷量之比趋于半径之比.本文还讨论了一个导体球的半径趋于0的极限情况,小球与大球的电荷量之比趋于0,平均面电荷密度之比在两球不直接接触时趋于无穷大,而在两球直接接触时趋于π²/6.     

镶嵌正方晶格上Gauss模型的相图

利用等效变换和自旋重标相结合的方法, 研究了镶嵌正方晶格上的Gauss模型. 研究 发现, 该系统可以变换为正方晶格上具有最近邻和次近邻相互作用的Gauss系统, 由此严格求得了镶嵌正方晶格上Gauss模型的临界温度, 得到了该系统的精确相图.     

在均匀磁场中旋转的导体厚球壳上电荷的分布--证明在磁场中转动的导体表面电荷分布无普遍公式

用简单方法求出了在均匀磁场中旋转的导体厚球壳上电荷的分布,证明了在磁场中转动的导体表面电荷分布无普遍公式。     

镶嵌正方晶格上Ising模型的近似解

采用格点自旋消约方法,将具有最近邻和次近邻耦合作用的镶嵌正方Ising晶格变换成等效的具有最近邻、次近邻和四体耦合作用的正方Ising晶格,得到系统近似解的临界点在K′C=0.4406868.结果表明:在相变点最近邻耦合作用K1和次近邻耦合作用K2之间满足一定关系.如果只计及镶嵌正方Ising晶格的最近邻耦合作用K1,则其严格解的临界点在K1C=0.7635.由此可以推断在正方格点间安放两个自旋的双镶嵌正方Ising晶格,在只计及最近邻耦合作用情况下,也是严格可解的.     

导体球壳上感应电荷及空间电场的分布(2)

本文利用镜象法讨论了在不接地导体球壳附近有点电荷时，空间的电场分布和球壳表面上感应电荷的分布。     

用氖管检验电荷在导体上的分布情况

当导体处于静电平衡时，如何检验电荷在导体上的分布，教材中给出了检验电荷分布情况的方法．但效果很不明显．     

^8He的电荷分布半径

^8He原子核中包含2个质子,6个中子,是氦元素中最重的同位素,也是地球上中子一质子比最大的核素．最近,美国、法国、加拿大的一个联合研究组第一次成功地测量了其电荷分布半径,结果显示,^8He原子核中质子分布的半径为1．93fm,比^8He（2．068fm）要小．也就是说,质量较轻的^8He核中质子的空间分布反而更大．     

初始相位对周期量级激光脉冲Thomson散射特性的影响

 用电子Thomson散射的经典理论,研究了周期量级激光脉冲作用下电子Thomson散射的特性,讨论了不同激光强度下,激光脉冲的初始相位对电子辐射的空间分布以及特定方向上频谱分布特性的影响。计算表明:对弱激光脉冲,电子辐射的空间分布类似于偶极天线的对称双叶结构,初始相位对电子的辐射几乎没有影响;而对强激光脉冲,电子辐射的空间分布出现了三叶结构,初始相位对电子的辐射影响非常显著。     

镶嵌正方晶格上具有次近邻耦合作用Ising模型的临界性质

采用部分格点自旋消约变换,将镶嵌正方晶格上具有最近邻耦合作用K1和次近邻耦合作用K2的Ising模型变换成等效的具有最近邻、次近邻和四体耦合作用的正方Ising晶格.发现系统的临界点在(K1C,K2C)=(0.5125,0.2134),由此决定系统的临界温度,幷讨论了系统的普适性.     

镶嵌有纳米硅的氮化硅薄膜键合特性分析

采用螺旋波等离子体化学气相沉积(HWPCVD)技术制备了非化学计量比的氢化氮化硅薄膜,对所沉积样品及氮气环境中920 ℃退火样品的微观结构及键合特性进行了分析。Raman散射结果表明,薄膜中过量硅以非晶纳米粒子形式存在,退火样品呈现纳米晶硅和氮化硅的镶嵌结构。红外吸收和可见光吸收特性比较结果显示,薄膜样品的微观结构依赖于化学计量比以及退火过程,硅含量较低样品因高的键合氢含量而表现出低的纳米硅表面缺陷态密度;退火过程将引起Si—H和N—H键合密度的减少,因晶态纳米颗粒的形成,退火样品表现出更高的结构无序度。     

轴对称导体在均匀磁场中转动时的电荷分布及其电磁场的求解方法

指出了某些文献中的问题,根据电荷守恒定律,证明了由转动磁场所导致的电场E=±v×B的散度,并非与真实的电荷体密度有本质上的关联,而只是一种相对论效应.并根据电磁场变换原理,给出了轴对称导体在均匀稳恒磁场中转动时表面电荷密度及其电磁场的求解方法,得出了在均匀稳恒磁场中转动的导体球表面电荷密度及其电磁场.     

纳米电子学研究进展

 一、跨世纪的新学科--纳米科技 原子是组成自然界的基本单位,原子的不同方式排列使自然界多姿多彩。纳米科技是在0.1-100纳米(1纳米=10^-9米)尺度上研究和利用原子与分子的结构、特征及其相互作用的高新科技。它的诞生使人类改造自然的能力延伸到分子和原子。它的最终目标是直接以分子、原子在纳米尺度上制造具有特定功能的产品,实现生产方式的飞跃。因此,这一兴起于本世纪90年代的纳米科学技术,必将雄踞于21世纪,对人类产生重大而深远的影响。