高Tc氧化物超导体的电子结构

本文综述了高Tc氧化物超导体(La_2CuO_4及YBa_2Cu_3O_(7-8)的(计算)电子结构。本文基于Freeman教授研究组的工作。 (1) 体心四方结构的La_2CuO_4能带结构计算结果表明:La_2CuO_4的电子结构由在正方形Cu-O平面内的Cu3d-O2p相瓦作用所控制。存在一个沿[110]方向|q|=2k_F(强的)迭套的Fermi表面,它导致了电子驱动的结构失稳,以及在电子状态密度上的VanHove对数奇性。此种Fermi面的迭套被认为是引起了(Peierls 2k_F)失稳性,从而解释了La_(2-x)M_xCuO_4由四方结构到正交结构的相变。 (2) 如同在La_(2-x)M_xCuO_4中的情况一样,具正交结构的YBa_2Cu_3O_(7-8)的电子结构由Cu-O间的相互作用所支配;同时存在着二维及一维的Cu3d-O2p相互作用为YBa_2Cu_3O_(7-8)电子结构的特征。YBa2Cu_3O_(7-8)在E_F处的状态密度值低于La_(2-x)M_xCuO_4的相应值,在YBa_2Cu_3O_(7-8)中的Y或Ba原子作用如同一电子的施主。     

无限层结构的高Tc氧化物超导体

综述了无限层结构的高Ｔｃ氧化物超导体的发展及其研究进展。着重介绍了空穴型和电子型的块体及薄膜等不同样品的合成技术与物性。最后强调指出，无限层结构为高温超导体机理和材料的研究提供了理想的模型系统。     

高Tc氧化物超导体的性参数的研究

在高Ｔｃ氧化物超导体的研究中，引入分子平均电负性ＸＭＯ、单位氧原子上阳离子加合电离势∑ＩＭ和原子部分电荷δ０及δＭ的计算方法，并对ＹＢＣＯ、ＹＢＳＣＯ、ＢＩＳＣＣＯ、ＴＬＢＣＣＯ、ＴＩＲＥＣＣＯ、ＴＩＲＥＳＣＣＯ及ＲＥＢＣＯ等系列的Ｔｃ变化规律，进行了研究。     

铜氧化物超导体的电子结构

本文主要很据光电子能谱和电子能量损失谱的实验结果，综述目前对铜氧化物超导体的铜原子的价态、强电子相关作用、反铁磁性、空穴导电及其对称性和费米面的性质等电子结构问题的认识．     

高Tc氧化物超导体的元素替代效应（Ⅱ）

本文对Bi-系高Tc氧化物超导体的元素替代效应进行了系统的评述。对由于元素替代所引起的晶体结构、氧含量、空穴浓度和超导临界温度等参量的变化进行了重点讨论。总结出元素替代的两种机制,即CuO_2平面外原子格点上以改变迁移载流子浓度为主要特征的和在CuO_2平面内Cu的格点上以破坏局部磁有序、产生直接拆对作用为特征的替代效应。     

高Tc氧化物超导体的元素替代效应（Ⅰ）

本文就高Tc氧化物超导体中的元素替代效应,尤其是对123相化合物中不同原子位置上部分元素替代所导致的晶体结构、氧含量、正常态和超导态性质,以及载流子浓度等的变化作了系统的评述。深入讨论了从中给出的有关高温超导电性微观机制的信息。     

高Tc氧化物超导体的元素替代效应(Ⅱ)

本文对Bi-系高Tc氧化物超导体的元素替代效应进行了系统的评述。对由于元素替代所引起的晶体结构、氧含量、空穴浓度和超导临界温度等参量的变化进行了重点讨论。总结出元素替代的两种机制,即CuO_2平面外原子格点上以改变迁移载流子浓度为主要特征的和在CuO_2平面内Cu的格点上以破坏局部磁有序、产生直接拆对作用为特征的替代效应。     

高Tc铜氧化物超导体的结晶化学和分块设计

本文简要地描述了已发现的铜氧化物超导体的不同结构类型,并按其中CuO平面的不同连接和分隔方式做了分块划分。利用这些连接、分隔的不同方式可以组合出新的结构类型。这种思想已被铅系的Pb-2222(PbBaSr(NdCe_2)Cu_3O_y),LaBa(NdCe)_2Cu_3O_y和Ta-1222等新化合物的设计和成功制备所证实。最后提出了寻求新型层状铜氧化物和超导新体系的可能方向。     

高Tc铜氧化物超导体的结晶化学和分块设计

本文简要地描述了已发现的铜氧化物超导体的不同结构类型,并按其中CuO平面的不同连接和分隔方式做了分块划分。利用这些连接、分隔的不同方式可以组合出新的结构类型。这种思想已被铅系的Pb-2222(PbBaSr(NdCe_2)Cu_3O_y),LaBa(NdCe)_2Cu_3O_y和Ta-1222等新化合物的设计和成功制备所证实。最后提出了寻求新型层状铜氧化物和超导新体系的可能方向。     

创Tc最新纪录的汞系氧化物超导体

ＨｇＢａＣａＣｕＯ超导体的发现创造了Ｔｃ的最新纪录。综述其晶体结构，电子结构和超导性质的基本特征，讨论了它在高温超导的基础研究和应用发展中的重要作用和潜在价值。     

高T_c氧化物超导体

自从1911年 Onnes 发现超导体以来,由于 Müller,朱经武,赵忠贤等发现,氧化物超导体,从而突破了超导转变温度以每年提高大约零点三度的缓慢进程(见图1),把液氮温区超导的梦想变成了现实,引起了社会的极大关注,在全世界形成了一股强大的超导热潮.     

高临界温度氧化物超导体

 1986年以来,瑞士、美国、日本及中国的科学家相继发现了高温氧化物超导体.这些发现在国际科学界激起巨大反响,给寻找可在液氮温区（即77K以上）工作的超导体的人们带来了极大的“热冲击.从1911年到1986年的75年间,人们发现了数以千计的超导元素、合金和化合物.但它们的超导临界温度都较低,最高的只有23.2K(Nb₃Ge,1973年发现.必须使用技术复杂、代价昂贵的液态氮作冷却剂.超导体的电磁特性所带来极其诱人的优越性被低温技术带来的麻烦大大抵消.     

高Tc氧化物超导体涨落效应的研究及对相干长度和能隙的讨论

测量了Bi_(1.6)Pb_(0.4)Sr_2Ca_2Cu_3O_y 多晶大样品及 Y_1Ba_2Cu_3O_(7-δ)单晶薄膜超导体的涨落电导随温度的变化,从而定出了相干长度ξ.又从ξ及费米速度 v_F、临界温度 T_c 估算了(Δ2/k_BT_c)(Δ为能隙),与文献中直接测能隙得的数值比较接近.此外,我们还用 Aslamazov-Larkin 涨落理论计算的曲线与 BiSrCaCuO 的实验曲线进行比对,符合较好.     

高Tc铜氧化物超导体的同位素效应与氧的含量、位置的关系

在本文中,讨论了高Tc铜氧化物超导体中的同位素效应指数αO.αCu与氧的含量,位置的关系,得出了同位素效应指数的变化与氧的含量,位置密切相关.     

论自由载流子—负u中心相互作用模型作为高Tc氧化物超导体的可能机制

本文探讨了自由载流子与负 U 中心相互作用机制作为高温氧化物超导体的一种近似模写.将理论结果与实验结果作一比较,表明 T_c 处比热跳跃、磁穿透深度、相干长度及热力学临界场等的理论计算值与实验数据较好地一致.     

高临界温度氧化物超导体的临界电流

本文从高T氧化物超导体的基本物理、化学性质出发,深入分析了提高其临界电流密度的关键所在。评述了当前薄膜、体材料、线材和带材料发展的工艺状态和性能。指出了今后的发展趋向和应用前景。     

高临界温度氧化物超导体的临界电流

本文从高T氧化物超导体的基本物理、化学性质出发,深入分析了提高其临界电流密度的关键所在。评述了当前薄膜、体材料、线材和带材料发展的工艺状态和性能。指出了今后的发展趋向和应用前景。     

Eliashberg理论与高T_c氧化物超导体

本文利用有效声子谱的Einstein谱α(w)F(w)=π/2 w_(10)δ(w-w_(10))和双δ函数谱α_2(w)F(w)=(λph/2)w_(ph)δ(w-w_ph)+(λ_(10)/2)w_(10)δ(w-w_(10))(w_(10为高频纵光学声子频率),求解在T=T_c时Matsubara表象中的Eliashberg方程,导出了高T_c氧化物超导体临界温度的计算公式,并对YBaCu_3O_7超导体作了T_c的数值计算。