VDF（52）／TrFE（48）铁电共聚物的非晶介电弛豫

用液氮淬火和热处理方法制得结晶度相差较大的铁电共聚物ＶＤＦ（５２）／ＴｒＦＥ（４８）试样。介导弛豫研究提示室温以下共聚物的频率谱由低频和高频两部分组成。低频部由非晶区被冻结分子链段的微布郎运动贡献。符合ＷＬＦ方程；高频部由晶区分子链段较小尺度的局域运动产生，遵从Ａｒｒｈｅｎｉｕｓ规律。分峰拟合结果得到共聚物的玻璃化转变温度为－２４℃，局域弛豫活化能为４６．１ｋＪ／ｍｏｌ．     

微磁动力学的新进展

本文介绍微磁动力学领域的一个最新进展,我们的研究发现在磁场驱动下且保持畴结构不变地沿着纳米磁线运动的磁畴壁,其运动源于能量耗散,磁畴壁运动速度正比于能量耗散率。与此同时,我们根据能量守恒原则,给出了磁畴壁速度的一个合理定义,该定义适用于任意的磁畴壁结构。在此定义下,即使磁畴壁没有做刚性运动,我们也能得到磁畴壁运动的瞬时速度和平均速度。我们的结果不仅能重复低磁场下的沃克（Walker）解,还能反映出当磁场高于沃克极限（Walker limit）时速度{磁场的依赖关系,该结果跟数值模拟和实验数据都符合得很好。我们根据微磁动力学研究的这一新进展,最终澄清了一个事实即“磁畴壁质量”这个概念是错误的。     

钛酸铅及掺杂体系纳米晶A_1对称性横光学声子模的特征

本文讨论了ＰｂＴｉＯ３、Ｐｂ１－ｘＬａｘＴｉ１－ｘ／４Ｏ３和Ｐｂ１－ｘＣａｘＴｉＯ３纳米晶拉曼散射中Ａ１（ＴＯ）声子峰的不规则线型和多峰劈裂现象。认为以简正振动坐标构成的非谐性双势阱势能函数和Ｍｏｒｓｅ势能函数的Ｓｃｈｒｄｉｎｇｅｒ方程的解与实验观测到的Ａ１（１ＴＯ）模式在高温下的劈裂峰特征比较一致。从能量角度解释了随ｃ／ａ下降,ωＡ１（ＴＯ）快速向低频移动的原因。     

Pb(Zr0.52Ti0.48)O3陶瓷畴界粘滞运动的介电损耗模拟

对不同频率下（１ —１０ ｋ Ｈｚ） Ｐｂ（ Ｚｒ０５２ Ｔｉ０４８） Ｏ３ 多晶陶瓷的介电性能的测量表明：在接近铁电相变温度 Ｔｃ 以下存在一介电损耗峰,该峰具有弛豫特征但不满足 Ａｒｒｈｅｎｉｕｓ 关系．这一损耗峰被认为是由于畴界与晶格、缺陷钉扎的互作用引起的．用畴界粘滞运动的动力学方程,考虑陶瓷样品中 Ｔｃ 离散分布的情况,模拟了该介电损耗峰在不同频率下的行为,得到了与实验数据一致的结果．并由拟合参数计算了畴界运动的粘滞系数和缺陷钉扎引起的回复力常量．     

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１ＴｈｅｏｒｙｏｆＢｏｓｅ－Ｅｉｎｓｔｅｉｎｃｏｎｄｅｎｓａｔｉｏｎｉｎｔｒａｐｐｅｄｇａｓｅｓ（ＦｒａｎｃｏＤａｌｆｏｖｏ,ＳｔｅｆａｎｏＧｉｏｒｇｉｎｉ,ＬｅｖＰ．Ｐｉｔａｅｖｓｋｉｉｅｔａｌ．Ｒｅｖ．Ｍｏｄ．Ｐｈｙｓ．,１９９９,７１：４６３—５１２）２Ｔｏｐ－ｑｕａｒｋｃｏｎｄｅｎｓａｔｉｏｎ（Ｇ．Ｃｖｅｔｉｃ．Ｒｅｖ．Ｍｏｄ．Ｐｈｙｓ．,１９９９,７１：５１３—５７４）３ＰｒｅｃｉｓｉｏｎｔｅｓｔｓｏｆｔｈｅｅｌｅｃｔｒｏｗｅａｋｉｎｔｅｒａｃｔｉｏｎａｔｔｈｅＺｐｏｌｅ（Ｍ．Ｍａｒｔ…     

具有Keggin结构的多元杂多化合物的合成与光谱研究

本文合成了一些具有Ｋｅｇｇｉｎ结构的Ｐ－Ｖ－Ｍｏ－Ｗ四元杂多阴离子「ＰＶｘＭｏｙＷ１２－ｘ－ｙＯ４０」＾（３＋ｘ）－的化合物（其中,ｘ＝１,２和３）,并对其进行红外和拉曼光谱研究,可看到化合物的νａｓ（Ｍ＝Ｏｄ）、νａｓ（Ｍ－Ｏｂ－Ｍ）和νａｓＭ－Ｏｃ－Ｍ）的红外伸缩振动峰随着Ｖ原子数目的增加而红移;而钨原子数目的增加一般使之蓝移,但在所研究的ＰＶ２Ｍｏ９Ｗ和ＰＶ３Ｍｏ８Ｗ杂多化合物却出现略为反常     

（La2／3Ca1／3）（Mn（3—x）／3Gax／3）O3体系巨磁电阻效应和电特性的研究

采用固态反应法制备了（Ｌａ２／３Ｃａ１／３）（Ｍｎ（３－ｘ）／３Ｇａｘ／３）Ｏ３（ｘ＝０．００，０．１０，０．１５，０．２０，０．３０）体系的系列样品。通过系统地测量其零场和１．６特斯拉（Ｔ）磁场下样品的电阻率－温度关系以及一定温度下磁电阻率与磁场的关系，发现随Ｇａ＾３＋替代量的增加其磁电阻率峰和电阻率峰均向低温方向移动，磁电阻率峰值增大，并伴生磁电阻率峰展宽效应。作者认为，上述结果是由于Ｇａ＾３     

1．55μmInGaAsP及其相应量子阱结构的LP－MOCVD生长

本文研究了用低压金属有机化合物汽相外延（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）技术在（１００）ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＧａＡｓｐ体材料及ＩｎＧａＡＰ／ＩｎＰ量子阱结构材料的生长条件。三甲基镓（ＴＭ６３）、三甲基铟（ＴＭｈ）和纯的砷烷（Ａ８Ｈ３）、磷烷（ＰＨ３）分别用作Ⅲ族和Ⅴ族源，在非故意掺杂情况下，ＩｎＧａＡｓＰ材料的载流子浓度为３．６×１０１５ｃｍ－３；在液氦温度和室温下，与ＩｎＰ晶格匹配的ＩｎＧａＡｓＰ光致发光半峰宽分别为１９．２ｍｅＶ和６３ｍｅＶ；对外延层的组分及厚度均匀性分别进行了转靶Ｘ光衍射仪，低温光致发光和扫描电子显微镜分析，对不同阱宽的量子阱结构材料测出了由于量子尺寸效应导致光致发光波长随阱宽增加而红移现象。     

低温下ZnSe－ZnS多量子阱的光致发光光谱和喇曼散射谱

本文报导了２Ｋ下，在ＧａＡｓ（１００）衬底上用ＭＯＣＶＤ方法生长的ＺｎＳｅ－ＺｎＳ多量子阱材料的光致发光光谱和喇曼散射谱．用共振激发、共振喇曼和共振瑞利散射等方法对各发光谱带和喇曼散射峰的来源和机制进行了鉴别．     

CO分子d3Δ-a3Π三重带的塞曼调制磁旋转光谱的研究

采用塞曼调制磁旋转光谱技术（ＺｅｅｍａｎＭｏｄｕｌａｔｉｏｎｍａｇｎｅｔｉｃＲｏｔａｔｉｏｎＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ以下简称ＺＭ－ＭＲＳ）研究ＣＯ分子（ｄ３Δ－ａ３Π）的（５－０）振动带高灵敏度吸收谱。标识出了十二个子带，观察到了下态ａ３Π的Λ双分裂，拟合出了上下态分子常数。     

AndersonS－D混合效应与低温杂质电阻及Magnetoresistance

本文利用Ａｎｄｅｒｓｏｎｓ－ｄ混合模型，在磁解与非磁解情况下，研究了ｓ－ｄ混合效应对低温杂质电阻的贡献及Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ．     

Experimental determination of cavity parameters for TEM_（00） Nd－YAG laser using active res

ＥｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌｄｅｔｅｒｍｉｎａｔｉｏｎｏｆｃａｖｉｔｙｐａｒａｍｅｔｅｒｓｆｏｒＴＥＭ＿（００）Ｎｄ－ＹＡＧｌａｓｅｒｕｓｉｎｇａｃｔｉｖｅｒｅｓｏｎａｔｏｒＨａｉ－ｐｅｉＬｉｕ；Ｃｈｕｎ－ＣｈａｎｇＨｏ；ＪｏｈｎＪ．Ｃ．Ｈｕａｎｇ；ｌ－...     

Zn/ZnO纳米颗粒的表面声子Raman散射

Ｚｎ／ＺｎＯ纳米颗粒的表面声子Ｒａｍａｎ散射许建峰黄亚彬莫育俊（河南大学物理系开封４７５００１）ＲａｍａｎＳｃａｔｅｒｉｎｇｆｒｏｍＳｕｒｆａｃｅＰｈｏｎｏｎｓｉｎＺｎ／ＺｎＯＮａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅｓＸｕＪｉａｎｆｅｎｇ，ＨｕａｎｇＹａｂｉｎ，Ｍｏ...     

多体系统中的准粒子束缚态

多体系统中的准粒子束缚态金维睦（四川师范大学物理系成都６１００６６）Ｂｏｕｎｄ－ＱｕａｓｉｐａｒｔｉｃｌｅｓｓｔａｔｅｓｉｎＭａｎｙ－ｂｏｄｙｓｙｓｔｅｍｓ￥ＪｉｎＷｅｉｍｕ（ＰｈｙｓｉｃｓＤｅｐｔ．ＳｉｃｈｕａｎＮｏｒｍａｌＵｎｉｖ．ＣｈｅｎＨｄｕ...     

半导体超晶格的多声子拉曼散射研究

半导体超晶格的多声子拉曼散射研究／张树霖，杨昌黎，侯勇田（北京大学物理系北京１００８７１）彭中灵，李杰，袁诗鑫（中科院上海技物所上海２０００８３）Ｒ．Ｐｌａｎｅｌ（ＭｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓａｎｄＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＬａｂｏｒａｔｏｒ...     

分子束外延Zn_（1－x）Cd_xSe／ZnSe超晶格的拉曼光谱

运用分子束外延（ＭＢＥ）技术成功地生长出Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格，并对不同的样品进行了拉曼散射光谱的测试。获得了多达５级的ＺｎＳｅ的ＬＯ声子峰和ＺｎＳｅ的ＴＯ声子峰；同时还在频移为１４４ｃｍ－１、３７０ｃｍ－１处观测到了两个新声子峰，估计是来自于ＺｎＣｄＳｅ的声学模和光学模。     

OMA控制与探测的激光共振喇曼谱仪

本文介绍了一套脉冲染料激光器激发，带增强型二极管阵列探测器探测的ＯＭＡ共振喇曼光谱仪（ＯＭＡＲ２Ｓ）可测量样品物质的共振喇曼光谱及时间分辨的共振喇曼光谱（ＴＲ３）。对ＣＣｌ４样品进行了分析，其结果与标准谱符合得很好。测试和分析了谱仪的主要参数。在使用１２００ｇ／ｍｍ的光栅时，谱仪在５９０２处分辨率△ｖ为６．７ｃｍ－１；在６３２８处，△ｖ＝５．０ｃｍ－１，杂散光为４．８×１０－３；波长精度好于±１；重复性好于０．７；光谱工作范围从３８００到１５０００。     

MBE和MOCVD生长的AlGaAs／GaAsGRIN—SCH SQW激光器深中心的比较

应用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术详细研究分子束外延（ＭＢＥ）和金属有机物化学汽相淀积（ＭＯＣＶＤ）生长的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ ｇｒａｄｅｄ ｉｎｄｅｘ ｓｅｐａｒａｔｅ ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｓｉｎｇｌｅ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ ＳＱＷ）激光器的深中心。结果表明，在激光器的ｎ－ＡｌＧａＡｓ层里除众所周知的ＤＸ中心外，还存在着较大浓度和俘获截面     

磁电子学的兴起

磁电子学的兴起１９９５年是每年举行的磁学和磁性材料会议（简称ＭＭＭ会议或３Ｍ会议）创办４０周年（１９５５—１９９５）．这一会议一直是由美国物理学会（ＡＩＰ）和电与电子工程师学会（ＩＥＥＥ）主办的．为了纪念这一具有历史意义的学术活动，《ＰｈｙｓｉｃｓＴ...     

电子束泵浦KrF激光放大器增益与吸收的测量

为研制百焦耳级ＫｒＦ激光放大器，发展ＭＯＰＡ系统，我们用自探测法在百焦耳级电子束泵浦ＫｒＦ激光装置上进行了激光放大器的增益与吸收的测量。泵浦率约为０．６７ＭＷ／ｃｍ￣２，激光介质为８９．６％Ａｒ：１０％Ｋｒ：０．４％Ｆ＿２的混合气体，总气压０．２５ＭＰａ，实验测得激光放大器的小信号增益系数ｇ＿０＝６．６％ｃｍ￣（－１）、非饱和吸收系数α＿ｎ＝０．９３％ｃｍ￣（－１）、饱和光强Ｉ＿ｓ＝２．５ＭＷ／ｃｍ￣２。