叠层压敏电阻器及其发展

叠层压敏电阻器比单层压敏电阻器的耐浪涌能力高,且有利于实现低压化和小型化,可满足SMT发展的需要。介绍了国外开发的几种叠层压敏电阻器的结构及其特性。     

叠层片式ZnO压敏电阻器研究进展

叠层片式ZnO压敏电阻器(MLCV)具有体积小、通流容量大、响应速度快、表面安装性好和易实现低压化等优点,其广泛应用于电子和电力系统中。介绍了叠层片式ZnO压敏电阻器的生片材料和内电极材料的研究现状,分析了当前工艺中存在的电极扩散问题,并提出了其解决的办法,同时指出了叠层片式ZnO压敏电阻器向低压化、小型化、集成化及低成本化方向发展的趋势。     

叠层PTC热敏电阻器研制动向

采用同种材料制成的叠层PTC热敏电阻器,由于构成并联结构,使电阻降低,有助于低阻化。采用两种不同性能组别的材料制成的叠层结构,可获得过去没有的良好线性化特性,可望扩大其用途。本文根据专利文献介绍了国外叠层PTC热敏电阻器研制动向。     

叠层片式ZnO压敏电阻器及其在ESD保护中的应用

介绍叠层片式ZnO压敏电阻器的性能特点和应用范围，论述了其对电路进行ESD保护的基本原理及其在高 线路中的最优化设置，指出其发展方向应为低电容和超低电容化。     

压敏电阻器的技术动态(Ⅰ)

压敏电阻器具有限压型的非线性伏安特性,能有效地抑制浪涌过电压,提高电气和电子设备的电磁兼容性和安全性,因此市场需求日益增加。本文主要依据近两年来国外公布的部分压敏电阻器专利说明书和论文,叙述十个方面的问题:(1)产品动向,(2)低压化的方法,(3)高压化的方法,(4)提高可靠性的途径,(5)原材料及其预处理,(6)侧面处理,(7)烧成技术,(8)电极技术,(9)标准和测试,(10)两种技术思想。     

片式叠层压敏电阻器及其应用

用流延工艺把电极层和半导体陶瓷交错排布，经烧结而成的片式叠层压敏电阻器，其结构类似多层陶瓷电容器。通过与氧化锌压敏电阻器及其他压敏电阻器比较表明，片式叠层压敏电阻器具有优良的性能。并论述这类压敏电阻器在ＩＣ保护、ＣＭＯＳ器件保护、汽车电路系统保护等方面的应用。     

国外压敏电阻器简介

本文介绍了国外压敏电阻器的生产厂家、品种规格、新产品和市场概况。     

叠层片式ZnO压敏电阻器配方研究

研究了以ZnO-Bi2O3-SiO2系为基础,适当添加Co、Mn、Sb、Cr、Ni等金属氧化物的叠层片式ZnO压敏电阻器配方。通过严格控制Bi2O3及SiO2的含量,较好地解决了瓷料与银鈀内电极的共烧问题,且电性能优良。其瓷料的特点是烧结温度低(<1050℃),产品非线性系数高(≥25),泄漏电流小(<5μA),限制电压低(V1A/V1mA<1.70),通流能量大(≥1800A/cm2)。     

ZnO压敏元件非线性特性的劣化及恢复

分析了烧成和热处理工艺中可能导致 Zn O压敏元件非线性特性异常的因素 ,如炉温不匀、温度梯度太大 ,降温时间太长 ,炉道通风流量过大等。试验证明 ,在 90 0～ 10 5 0℃下 ,对非线性特性劣化的 Zn O压敏元件进行热处理 ,可使非线性特性恢复正常。     

液相掺杂对ZnO压敏电阻器性能的影响

采用Ｃｏ、Ｍｎ、Ａｌ等元素液相掺杂，制得了高能和高压ＺｎＯ压敏电阻器，通过与氧化物掺杂制得的电阻进行比较，结果表明，掺同样含量Ｃｏ时，液相掺杂的高能压敏电阻器大电流区的Ｉ－Ｖ曲线上翘，将Ｃｏ的含量减半，得到了性能全面优于氧化物掺杂的高能压敏电阻器。在高压ＺｎＯ压敏电阻器配方中，采用Ａｌ液相掺杂，能有效地改善大电流区的非线性。     

片式元件编带用全自动卷带机的研究与开发

全自动卷带机是高速编带机的配套设备,它通过与编带机共享信息,使编带的全过程真正做到了高速自动化.本文针对全自动卷带机的主要特点介绍了设备的总体研制以及应用,并分析了卷带机的潜在市场.     

硼硅玻璃掺杂对ZnO压敏电阻器电性能的影响

研究结果表明 ,硼硅玻璃料的掺入超过一定量时会使压敏电场上升。当玻璃料含量占初始配方总质量的 5 %时 ,压敏电场最小 ,非线性系数最小 ,漏电流最大 ;当玻璃料含量占 5 %～ 10 %时 ,随玻璃料掺入量的增加 ,非线性系数明显上升 ,漏电流迅速减小 ,压敏电场迅速上升。     

液相法制备ZnO压敏电阻器粉料

用液相法制得ＺｎＯ压敏电阻器粉料。与用传统粉料制备的ＺｎＯ压敏电阻器相比,用该粉料制成的ＺｎＯ压敏电阻器的一致性更好、耐电流冲击能力更强、压敏场强更高。     

烧银电极对SrTiO_3环形压敏电阻器性能的影响

研究了两种烧银电极对SrTiO3 环形压敏电阻器性能的影响 ,并与In Ga合金进行比较。发现两种电极与瓷体分别形成欧姆和非欧姆接触。其中非欧姆接触造成试样的压敏电压U10mA和非线性指数α增大、介电损耗tgδ下降。分析了试样的微观界面 ,认为烧银电极与瓷体之间 3 0 40 μm厚的强还原金属锌层是形成欧姆接触的关键。     

籽晶法制备低压ZnO压敏电阻器

研究了ＺｎＯ籽晶粒度、掺入量及其制备方法对压敏电压的影响。实验结果表明：掺入适量粒度合适的籽晶，勿需在高温下长时间烧结，也可制成压敏电压较低，漏电流较小的ＺｎＯ压敏电阻器。     

影响轧膜成型ZnO-玻璃系压敏电阻器电性能的因素

轧膜成型 Zn O-玻璃系压敏电阻器的烧结温度、厚度、掺杂 Pb O等因素对电性能有一定影响。调整烧结温度和厚度可控制压敏电压。掺入 Pb O可降低烧结温度并改善材料的电性能     

SiO_2掺杂SnO_2-ZnO-Nb_2O_5压敏陶瓷的电学特性

研究了 Si O2 掺杂对 Sn O2 - Zn O- Nb2 O5 压敏陶瓷的影响。实验结果表明 ,Si O2 可以十分显著地影响Sn O2 - Zn O- Nb2 O5 压敏陶瓷的物理和电子性质。掺杂范围为 0 .0 5 %～ 0 .40 % (摩尔分数 )时 ,材料密度在 6.2 1～ 6.5 6g/ cm3之间变动 ,非线性系数在 7.42～ 12 .80之间。烧失率、势垒电压和非线性系数的测量均表明 :掺有x (Si O2 ) =0 .2 %的 Sn O2 - Zn O- Nb2 O5 压敏陶瓷的非线性最好 ,其势垒电压为 0 .67e V,非线性系数达 12 .80     

微波烧结ZnO压敏电阻的可行性研究

采用微波烧结工艺制备了ZnO压敏电阻,研究了其致密化过程,运用XRD、SEM、电性能测试等手段,分析了烧结温度对其微观结构和电性能的影响。结果表明:微波烧结工艺不仅可显著提高ZnO压敏电阻的致密化,而且能够改善材料的微观结构和电性能。微波工艺的烧结周期仅是传统工艺的1/10~1/8。微波烧结样品的小电流特性有所提升;其通流量为11.6kA,比商用ZnO压敏电阻(7.75kA)高。