高Tc超导体YBaCuO（F）：磁性和ESR测量

本研究高Ｔｃ大块超导体ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｂ（Ｆｘ）（其中ｘ＝０．０，０．５，０．７５，１．０，１．５，２．０，２．５）的磁性。Ｘ射线衍射实验表明相当多的Ｆ进入了ＹＢａＣｕＯ（１２３）晶格并被Ｏ空位俘获。用振动样品磁强计（ＶＳＷ）测试这些样品的质量比磁矩σ与温度Ｔ的关系，以及抗磁性磁滞回线。未掺氟样品的Ｔｃ为８９Ｋ，掺Ｆ（ｘ＝０．７５）的样品具有最高的Ｔｃ０＝９３Ｋ和最强的抗磁性。在１５０Ｋ样品     

不同氧含量Bi2Sr2CaCu2O8+δ单晶电阻率的各向异性

精确测量了在不同氧压下退火的单晶Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ８＋δ（Ｂｉ２２１２）样品的ＣｕＯ面内和ＣｕＯ面外的电阻率ρｃ（Ｔ）和ρａｂ（Ｔ）．发现ρｃ（Ｔ）和各向异性比（ρｃ（Ｔ）／ρａｂ（Ｔ））随着载流子浓度增加而迅速下降．在过掺杂样品中，高于１２０Ｋ时，ρｃ随温度线性下降，而各向异性比与温度仅有微弱的依赖关系．ρｃ（Ｔ）和ρｃ（Ｔ）／ρａｂ（Ｔ）的值可以用Ａｌｅｘａｎｄｒｏｖ和Ｍｏｔ建立的双极化子模型很好地加以拟合     

YBa2Cu3O7—δ中Cu—O伸缩振动的红外吸收峰

测量了ｃ轴高度定向的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ高Ｔｃ超导薄膜经３００～７５０℃退火后的红外反射光谱和不同掺Ｚｎ量的ＹＢａ２Ｃｕ３－ｘＺｎｘＯ７－δ块状材料的红外吸收光谱。根据这些光谱中Ｃｕ－Ｏ吸收峰的变化，证实了在ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ体系的红外光谱中，６３０ｃｍ＾－１、５９０ｃｍ＾－１、和５５０ｃｍ＾－１三个吸收峰分别对应的Ｃｕ－Ｏ伸缩振动膜，以及与氧缺位的关系。并讨论了二维电子气屏蔽对吸收峰的影响     

高Tc氧化物La2CuO4+δ低频弛豫内耗峰的激活能研究

采用全自动多功能内耗测试仪（ＭＦＩＦＡ），对高Ｔｃ氧化物Ｌａ２ＣｕＯ４＋δ的低频内耗作了细致的研究。发现Ｌａ２ＣｕＯ４＋δ在１６０Ｋ－４３０Ｋ温区有三个弛豫峰ｐ１、ｐ２、ｐ３，并由变频实验求出它们的驰豫激活能。在激活能分析基础上，我们认为：ｐ１、ｐ２峰源于氧空位的驰豫跃迁，ｐ３峰则源于氧间隙原子的驰豫跃迁。     

YBa2Cu3Oy中氧缺位的磁通钉扎效应

制备了一组不同氧含量（Ｔｃｍｉｄ〉９０Ｋ）的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ单相多晶样品。对其结构、超导电性和磁通钉扎行为的观测结果表明：氧缺位导致临界电流密度Ｊｃ和钉扎力密度Ｆｐ同时增加，存在一最佳的氧缺位浓度，可使Ｊｃ和Ｆｐ有最大程度最高。与氧含量ｙ＝６．９６和６．８３时的情况不同，对ｙ＝６．９４和６．８６的样品，其Ｊｃ随磁场Ｈ非单调变化，Ｍ－Ｈ曲线上呈现“鱼尾效应“。用标度律作拟合发现，当６．８３≤ｙ≤６     

三个不同温区下影响Bi_2Sr_2CaCu_2O_y单晶抗磁转变宽度因素的研究(英文)

本文研究了三个不同退火温区下（低于４５０℃、４５０～７００℃和高于７００℃）影响Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏｙ单晶抗磁转变宽度的因素．发现普遍被接受的在７００℃以下退火温区的分界线并不明确．ΔＴｃ的变化强烈依赖于退火条件，即使在２５０℃的较低退火温度下，Ｔｃ和ΔＴｃ也可以通过快速淬火而得到显著改善．然而在７００℃以上、不同条件下退火均得到较宽的ΔＴｃ与已有的报道是一致的，这可能是Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏｙ单晶的本征行为．以上结果可以用额外氧的含量和位置、阳离子迁移引起的结构调整来解释．     

Tc=95K的NdBa2Cu3Ox高温超导外延薄膜的研制

本采用倒筒式直流溅射法原位生长和Ｔｃ值为９５Ｋ的ＮｄＢａ２３Ｃｕ３Ｏｘ外延薄膜，样品的ＸＲＤ分析表明，样品为强烈ｃ轴织构，ｃ轴晶胞参数为１．１７４ｎｍ，样品衍射峰的ＦＷＨＭ＝０．２９°，ＲＢＳ分析表明：薄膜的化学计量为Ｎｄ１．０Ｂａ２．０Ｃｕ３．３Ｏｘ。对影响ＮｄＢａ２Ｃｕ３ＯＸ薄膜Ｔｃ值的因素进行了讨论。     

Gd＿（1－x）Ca＿xBa＿2Cu＿3O＿（7－y）高温超导体压力效应的研究

研究了Ｇｄ＿（１－ｘ）Ｃａ＿ｘＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－ｙ）（０．０≤Ｘ≤０．２０）高温超导体在常压和高压下的超导电性在１－３００Ｋ温度范围内，利用Ｂｒｉｄｇｍａｎ对顶砧获得压力达９．０ＧＰａ，测量了（Ｘ＝０．１０，０．１５，０．２０）样品的ｄＴ＿ｃ／ｄｐ分别为７．６８，７．８和４．４６Ｋ／ＧＰａ。发现Ｔ＿ｃ的压力导数随着ｃａ￣（２＋）含量的增加而下降，分析了氧含量对Ｔ＿ｃ和ｄＴ＿ｃ／ｄＰ的影响．利用常压下晶格参数精修值和阳离子与氧离子间距随压力的改变，说明ＣｕＯ＿２面在超导电性上的作用，用ＣｕＯ＿２面之间耦合解释Ｔ＿ｃ（Ｐ）曲线的非线性关系。     

Bi1.7Pb0.3Sr2Ca2Cu3Oy的氟掺杂效应

用Ｘ－射线粉末衍射、交流磁化率和差分比热研究了Ｂｉ１．７Ｐｂ０．３Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ的氟掺杂效应。在Ｂｉ２２２３样品中氟替代后产生的是体超导而不是丝状超导。由于氟掺杂，样品的超导转变温度升高而晶格参量ｃ减小。比热反常的幅度没有因氟掺杂而减小，说明氟没有占据Ｃｕ－Ｏ２面中氧的位置。它们可能占据Ｃｕ－Ｏ２面之间的其它原子层的位置，这样，会改善Ｃｕ－Ｏ２面间的藕合进而提高Ｔｃ和保持比热反常幅度。     

一些异核双金属有机化合物的FT－Raman光谱

一些异核双金属有机化合物的ＦＴ－Ｒａｍａｎ光谱郭建华，谭，聂崇实（中国科学院上海有机化学研究所上海市２０００３２）ＦＴ－ＲａｍａｎＳｐｅｃｔｒａｏｆＳｏｍｅＨｅｔｅｒｏｂｉｎｕｃｌｅａｒＭｅｔａｌｌｏｒｇａｎｉｃＣｏｍｐｏｕｎｄｓ￥ＪｉａｎＨｕａＧｕ...     

配合物(PP)_2Cu和(PP)_3Fe的FT-Raman和FT-IR光谱研究(PP=2-(2-氧基-苯基)吡啶)

配合物（ＰＰ）２Ｃｕ和（ＰＰ）３Ｆｅ的ＦＴ┐Ｒａｍａｎ和ＦＴ┐ＩＲ光谱研究（ＰＰ＝２┐（２┐氧基┐苯基）吡啶）王悦姜世梅李艳芹（吉林大学超分子结构与谱学开放实验室长春１３００２１）ＦＴ┐ＲａｍａｎａｎｄＦＴ┐ＩＲＳｐｅｃｔｒａｏｆＣｕａｎｄＦｅＣｏｍ...     

La_（1．85）Sr_（0．15）Cu_（1－x）Fe_xO_（4－y）的窄能带行为与超导电性关系的研究

用ＳＱＵＩＤ直流磁强计研究了Ｌａ（１．８５）Ｓｒ（０．１５）Ｃｕ（１－ｘ）ＦｅｘＯ（４－ｙ）（ｘ＝０．００２，０．００４和０．００６）多晶样品在不同磁场下（Ｈ＝０．０１，０．０３，０．０５Ｔ）正常态的直流磁化率与温度关系和超导转变温度与Ｆｅ掺杂含量的关系．实验结果表明，不掺Ｆｅ的样品其直流磁化率与温度的关系里宽峰行为，随着Ｆｅ掺杂的增多，直流磁化率与温度的关系由宽峰行为迅速转变为Ｃｕｒｉｅ－Ｗｅｉｓｓ行为．与此同时，超导转变温度也由不掺Ｆｅ的３１．０Ｋ增加到３３．６Ｋ（ｘ＝０．００２），然后再单调降低．这清楚地表明，载流子浓度才是影响超导的最重要的因素。对于掺Ｆｅ的样品，其正常态直流磁化率Ｘ与温度Ｔ的关系可以用Ｘ＝ａ＋ｂＴ＋ｃ／（Ｔ一Ｔ０）很好地表示．我们认为，式中ａ＋ｂＴ项是由于Ｃｕｄ带泡利硕磁的贡献．增加磁场时，对于同一个接Ｆｅ样品，居里常数Ｃ增大而常数项ａ减小．这是由于掺Ｆｅ的样品在Ｆｅｒｍｉ面存在不满的窄带（ｄｘ２上Ｈｕｂｂｒｄ带），它是产生居里硕磁的原因．增加磁场时，它往高能量方向移动，窄带的电子空得更多，这些电子移向较宽的Ｃｕ杂化带．这样一来，增加磁场时，每个Ｃｕ离子的磁矩增大．而Ｃｕｄ带的Ｆｅ     

La_（2－x）Sr_xCu_（1－y）Fe_yO_4正常态的反常磁性

研究了Ｌａ２－ｘＳｒｘＣｕ１－ｙＦｅｙＯ４（ｘ＝０．１３，０．１５，０．１７和ｙ＝０．０，０．００２，０．００４，０．００６）多晶样品在不同磁场下（Ｈ＝１，３和５Ｔ）正常态直流磁化率与温度的关系和超导转变温度与Ｆｅ掺杂含量的关系．结果表明，不掺杂样品的正常态直流磁化率呈宽峰行为．随着Ｆｅ掺杂量的增多，直流磁化率与温度的关系由宽峰行为变为Ｃｕｒｉｅ－Ｗｅｉｓｓ行为．与此同时，超导转变温度随Ｆｅ掺杂含量的变化而变化．这表明载流子浓度是影响超导的重要因素．对Ｆｅ掺杂样品，其正常态直流磁化率与温度的关系可以用Ｘ＝ａ＋ｂＴ＋ｃ／（Ｔ－Ｔ０）很好的表示．我们认为，其中ａ＋ｂＴ项是带Ｐａｕｌｉ顺磁的贡献．对同一掺Ｆｅ样品，增加外磁场时，居里常数ｃ增大而常数项ａ减小．这是由于在Ｆｅｒｍｉ面存在不满的窄带（ｄｘ２上Ｈｕｂｂａｒｄ带），它是导致居里顺磁的原因．增加磁场时它往高能方向移动，窄带的电子空得更多，这些电子移向较宽的杂化带，导致每个Ｃｕ离子的磁矩增大，而带的Ｆｅｒｍｉ面电子态度减小．我们的实验结果也表明，超导电性与能带结构密切相关．     

有机超导体κ-(BEDT-TTF)_2Cu(SCN)_2单晶的SHUBNIKOV-DE HAAS效应

测量了有机超导体κ（ＢＥＤＴＴＴＦ）２Ｃｕ（ＳＣＮ）２单晶的Ｘ射线衍射和强磁场下磁阻．样品沿垂直于传导面的晶格常数为１．４９ｎｍ．在１．２Ｋ温度，磁场垂直于传导面的位形下，在６Ｔ以上观测到磁阻振荡，即ＳｈｕｂｎｉｋｏｖｄｅＨａｓ效应．由ＦＦＴ（ＦａｓｔＦｏｕｉｅｒＴｒａｎｓｆｏｒｍａｔｉｏｎ）谱图，我们发现了对应于κ（ＢＥＤＴＴＴＦ）２Ｃｕ（ＳＣＮ）２单晶Ｆｅｒｍｉ面闭合轨道Ｆα频率和开放轨道磁突破频率Ｆβ的存在，Ｆα＝６２０±３０Ｔ，Ｆβ＝４１００±２００Ｔ．     

机械合金化Fe—Cu系统的EXAFS研究

ＥＸＡＦＳ研究Ｆｅ－Ｃｕ系二元金属的Ｆｅ和Ｃｕ配位环境随球磨时间及组成的变化情况，结果表明机械合金化方法能扩展Ｆｅ和Ｃｕ金属的固溶范围并形成纳米尺寸的非平衡亚稳态合金晶粒，Ｆｅ３０Ｃｕ２０（１６０ｈ）中Ｃｕ的Ｋ吸收谱和ＲＳＦ出现ｂｃｃ结构的下，其Ｆｅ－Ｃｕ的合昌粒为ｂｃｃ结构；Ｆｅ６０Ｃｕ４０（１６０ｈ）中Ｃｕ和Ｆｅ的ＲＳＦ都为ｆｃｃ结构，其合金晶粒的结构与Ｆｅ３０Ｃｕ２０的不同，为ｆｃｃ结构，但     

（La1—xSrx）2CuO4高Tc单晶样品中Sr对其性质的影响

实验上研究了（Ｌａ１－ｘＳｒｘ）２ＣｕＯ４）高Ｔｃ单晶样品的ｃ－轴正常态电阻同温度的关系以及Ｔｃ附近ｃ－轴电阻作为磁场和磁场取向的函数，结果表明，（１）随着Ｓｒ含量的增加，ｃ－轴正常态电阻从半导体行为变为金属行为，和（２）固有的各向异性随Ｓｒ含量的增加而逐渐变弱，这些意味着Ｓｒ掺杂在Ｌａ基系统中有利于Ｃｕ－Ｏ面间耦合的改善。     

（La_（1－x）Sr_x）_2CuO_4高T_c单晶样品中Sr对其性质的影响

实验上研究了（Ｌａ（１－ｘ）Ｓｒｘ）２ＣｕＯ４高Ｔｃ库晶样品的ｃ－轴正常态电阻同温度的关系以及Ｔｃ附近ｃ－轴电阻作为磁场和磁场取向的函数．结果表明，（１）随着Ｓｒ含量的增加，ｃ－轴正常态电阻从半导体行为变为金属行为，和（２）固有的各向异性随Ｓｒ含量的增加而逐渐变弱，这些意味着Ｓｒ掺杂在Ｌａ基系统中有利于Ｃｕ－Ｏ面间耦合的改善．     

G2 PREDICTION OF THE ENTHALPIES OF FORMATION FOR SOME DIATOMIC CATIONS AND NEUTRALS

Ｇ２ＰＲＥＤＩＣＴＩＯＮＯＦＴＨＥＥＮＴＨＡＬＰＩＥＳＯＦＦＯＲＭＡＴＩＯＮＦＯＲＳＯＭＥＤＩＡＴＯＭＩＣＣＡＴＩＯＮＳＡＮＤＮＥＵＴＲＡＬＳＳｕＫｅｈｅＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＣｈｅｍｉｃａｌＥｎｇｉｎｅｒｉｎｇ，ＮｏｒｔｈｗｅｓｔｅｒｎＰｏｌｙ...     

Bi-2212单晶各向异性电阻率的研究

测量了从欠掺杂区域到过掺杂区域变化的一系列Ｂｉ２２１２单晶样品ａｂ平面内和ｃ方向电阻率ρａｂ．ρｃ随温度Ｔ的变化关系．按照几种不同模型分析了测量数据．比较两块处于过掺杂区域的Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ８＋δ（单晶和Ｂｉ２－ｘＰｂｘＳｒ２ＣａＣｕ２Ｏ８＋δ（单晶，发现尽管平面内电阻率ρａｂ与温度Ｔ依赖行为类似，且Ｔｃ值基本相同，但ｃ方向电阻率ρｃ与温度Ｔ的行为差别很大．这种氧空缺和离子取代的无序效应所造成ｃ方向电阻率ρｃ不同温度行为表明：无序的阻挡层（ｂｌｏｃｋｉｎｇｌａｙｅｒ）对于ｃ方向电阻率ρｃ有重要影响     

机械合金化Fe-Cu系统的EXAFS研究

ＥＸＡＦＳ研究Ｆｅ－Ｃｕ系二元金属的Ｆｅ和Ｃｕ配位环境随球磨时间及组成的变化情况，结果表明机械合金化方法能扩展Ｆｅ和Ｃｕ金属的固溶范围并形成纳米尺寸的非平衡亚稳态合金晶粒，Ｆｅ₈₀Ｃｕ₂₀（１６０ｂ）中Ｃｎ的Ｋ吸收谱和ＲＳＦ出现ｂｃｃ结构的特征，其Ｆｅ－Ｃｕ的合金晶粒为ｂｃｃ结构；Ｆｅ₆₀Ｃｕ₄₀（１６０ｋ）中Ｃｕ和Ｆｅ的ＲＳＦ都为ｆｃｃ结构，其合金晶粒的结构与Ｆｅ₈₀Ｃｕ₂₀的不同，为ｆｃｃ结构，但合金晶粒中未形成均匀分散的Ｆｅ－Ｃｕ合金相是Ｃｕ略富积于核，Ｆｅ偏析于表面的亚稳态结构。