Bi1.8Pb0.2Sr2Ca2Cu3O高温超导体的I—V特性研究

我们测量了Ｂｉ１．８Ｐｂ０．２Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ高温超导体在磁场下不同温度的等温Ｉ－Ｖ曲线。观测到在等温ｌｇＩ－ｌｇＶ曲线上会同时存在正曲率和负曲率，这是通常的Ａｎｄｅｒｓｏｎ－Ｋｉｎ磁通蠕动模型和涡旋玻璃态的标度理论Ｖ∝ｅｘｐ［－（Ｊ０／Ｊ）＾Ｈ］所不能解释的。我们在蠕动模型的基础上，考虑到磁通运动时的耗散对激活能会有一个动力学的贡献，对上述现象进行了解释，并与实验进行了对比。     

Bi_（1．8）Pb_（0．2）Sr_2Ca_2Cu_3O高温超导体的I－V特性

我们测量了Ｂｉ１．８Ｐｂ－．２Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ高温超导体在磁场下不同温度的等温Ｉ－Ｖ曲线．观测到在等温ｌｇＩ－ｌｇＶ曲线上会同时存在正曲率和负曲率．这是通常的Ａｎｄｅｒｓｏｎ－Ｋｉｍ磁通蠕动模型和涡旋玻璃态的标度理论Ｖ∞ｅｘｐ［－（Ｊ－／Ｊ）Ｈ］所不能解释的．我们在蠕动模型的基础上，考虑到磁通运动时的耗散对激活能会有一个动力学的贡献，对上述现象进行了解释，并与实验进行了对比．     

YBa2Cu3O7—x和GdBa2Cu3O7—x薄膜中的涡旋玻璃转变的观察

本给出了具有高密度孪晶界ｃ取向ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ外延薄膜存在涡旋玻璃转变及很好的标度行为的实验证据，在有ａ方向昌粒或４５°晶界的ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ外延薄膜中存在涡旋玻璃转变但在转变温度附近观察到磁通蠕动和热激活磁通流的某些特征。     

Te—Se—I玻璃及添加As和Ge元素的结构,性能与量子化学计算研究

用自洽场离散变分Ｘα（ＳＣＦ－Ｘα－ＤＶ）量子化学计算方法研究了Ｔｅ－Ｓｅ－Ｉ玻璃及添加Ａｓ和Ｇｅ元素的体系，讨论了结构、性能与化学键之间的关系。计算表明离子键和共价键强度的次序都是Ｇｅ－Ｓｅ〉Ａｓ－Ｓｅ〉Ｔｅ－Ｓｅ，与相应的玻璃转变温度的实验结果一致。含有一配位碘原子的Ｔｅ－Ｉ键比含有二配位碘原子的Ｔｅ－Ｉ键强。Ａｓ－Ａｓ和Ａｓ－Ｉ键比两类Ｔｅ－Ｉ键都强。较强的Ａｓ－Ａｓ和Ａｓ－Ｉ键取代较弱的Ｔ     

YBa_2Cu_3O_（7－x）和GdBa_2Cu_3O_（7－x）薄膜中涡旋

本文给出了具有高密度孪晶界ｃ取向ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ外延薄膜存在涡旋玻璃转变及很好的标度行为的实验证据．在有α方向晶粒或４５°晶界的ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ外延薄膜中存在涡旋玻璃转变但在转变温度附近观察到磁通蠕动和热激活磁通流动的某些特征．这些结果可以在涡旋玻璃理论，Ａｎｄｅｒｓｏｎ－Ｋｉｍ磁通蠕动模型以及热激活磁通流动模型框架内给于很好的解释．     

Bi2Sr2—xLaxCuO6薄膜的热激活磁通耗散行为

利用不同磁场下的Ｒ－Ｔ曲线，得到了Ｂｉ２Ｓｒ２－ｘＬａｘＣｕＯ６薄膜的上临界场Ｈｃ２，讨论了热激活磁通蠕动对上临界场Ｈｃ２的影响。用热激活磁通蠕动理论解释了磁场下Ｒ－Ｔ曲线的展宽效应，得到激活能对温度的线性变化关系，对磁场的指数变化关系。     

Bi2212晶须中磁通线运动临界电流的反常现象

我们对同一Ｂｉ２２１２晶须样品加不同方向的磁场,比较了Ｈ∥ｂ和Ｈ∥ｃ两种情况下的Ｉ－Ｖ曲线。我们发现,当Ｈ∥ｃ时,驱动磁通线运动的临界电流Ｉｃ与温度的关系遵循一般的单调地随温度上升而下降的关系。但是,当Ｈ∥ｂ时,Ｉｃ在Ｔ＾＊＝２５．５Ｋ附近出现了一个峰值：当Ｔ〉Ｔ＾＊时,Ｉｃ温度的下降而升高;Ｔ〈Ｔ＾＊时,Ｉｃ随温度的下降而下降。我们在文章中对此现象进行了讨论。     

高成品率台阶结DC—SQUIDs磁强计

我们在ＳＴＯ台阶基片上，采用脉冲激光沉积（ＰＬＤ）和直流磁控溅射法制备出ＹＢＣＯ外延超导薄膜，采用普通的光刻技术得到ＤＣＳＱＵＩＤ图形．器件的ＩＶ曲线具有ＲＳＪ模型描述的上翘特征；三角波调制幅度峰峰值大于４μＶ，磁场灵敏度优于１ｐＴ／Ｈｚ（白噪声区）；９个不同基片上的样品磁通锁定的成品率达到６７％．     

YBa2Cu3O7—δ外延薄膜中磁通运动的研究

我们用 Hall 效应和磁场下展宽的电阻-温度(R-T)曲线研究了 YBa_2Cu_3O_(7-δ)外延生长薄膜中的磁通运动规律.从展宽的 R-T 曲线中,得到了磁通蠕动激活能与磁场之间满足的指数关系;而从 Hall 系数 R_H 的测量中,发现了与 R-T 展宽相对应的 Hall 系数反常变化.对整个 R-T 和 R_H-T 曲线的变化,我们借用磁通玻璃模型来进行描述,从不同的角度,揭示了磁通运动的规律.     

TI膜微桥隧道结的低频1／f噪声

我们在７７Ｋ下测量了ＴＩ膜微桥结的低频１／ｆ电压噪声和Ｉ－Ｖ特性曲线并得到了１０ＨＺ下偏置电流和电压噪声关系．实验结果表明在临界电流附近总有噪声峰出现．在不同的磁场下冷却样品，噪声峰的幅度并不改变．这一结果意味着ＴＩ膜微桥隧道结的１／ｆ噪声主要来自于临界电流的涨落，而不象是由于磁通捕获造成的．     

Y0.8Pr0.2Ba2Cu3O7—δ单晶的热力学参数

用ＳＱＵＩＤ磁强计测得了Ｙ０．８Ｐｒ０．２Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ单晶在外场平行于ｃ轴条件下的磁化强度随温度的变化。在超导转变下，除了磁化强度是可逆的以外，由于磁通涨落而导致的磁化强度交叉发生在超导转变温度以下约２Ｋ处。利用Ｈａｏ－Ｃｌｅｍ模型拟合可逆磁化强度得到了热力学临界场Ｈｃ（Ｔ）和金兹堡－朗道参数ｋ。其它超导参数由Ｈｃ（Ｔ）和ｋ推得，比较ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ的热力学参数，讨论了Ｐｒ离子的效应     

SWIP—RFP装置慢斜升放电的反场箍缩实验

在硅化后的良好器壁条件下，采用慢斜升放电模式，获得了具有高电流密度和较高温度的反场箍缩（ＲＦＰ）等离子体，在实验中观测到磁通长时间的持续增长，随等离子体电流增大而增大，并出现与环向磁通相伴的ＭＨＤ扰动现象，实验证实，斜升放电的ＲＦＰ等离子体存在“发电机”效应，ＲＦＰ位形维持时间长达８００μｓ，等离子体电流约１００ｋＡ，电子和离子温度分别达到７０ｅＶ和８５ｅＶ。     

临界电流测量中的影响因素的研究

我们采用直流四引线法对银包套的Ｂｉ２－ｘＰｂｘＳｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ,（Ａｇ－Ｂｉ２２２３）带材进行了临界电流的测量研究了外加磁场和电流扫描速度对临界电流的影响结果表明,电流扫描速度和磁场增加使临界电流减小,并且磁场增加使Ｖ－Ｉ曲线对加电流速度的敏感程度发生变化利用电动力学方程和磁通玻璃态蠕动机制对实验结果进行了解释,将磁场、温度、磁通钉扎强度对约化临界电流的影响归结成单一的临界电流参数ｎ的影响,和实验结果符合得比较满意．１引言 临界电流密度Ｊｃ是表征技术应用超导材料性能的主要参量之一,也是表征…     

Y_(1-x)Pr_xBa_2Cu_3O_(7-δ)单晶的生长与退火效应研究

采用顶部籽晶提拉法成功生长出了Y1-xPrxBa2Cu3O7-δ(x=0.07215,0.23960)单晶样品。利用X射线结构分析技术对生成单晶进行了表征,通过对样品进行了不同时间的退火处理,结合超导磁化特性测量,讨论了单晶样品超导转变温度Tc随退火温度和Pr替代含量的变化,并根据单晶样品磁化特性曲线,从低场下的布拉格玻璃态到高场下的磁通玻璃态的相变角度对尖峰效应进行了初步分析。     

低压MOCVD生长GaN p—n结蓝光LED

简要报道了采用一种改进的低压金属有机化物化学气相沉积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）方法制备ＧａＮｐ－ｎ结蓝光光发射二极管（ＬＥＤ），介绍了ＬＥＤ的基本特性，这种ＬＥＤ具有良好的Ｉ－Ｖ特性和光谱特性，室温下，在正向电压５Ｖ，正向电流３－２０ｍＡ的条件下，峰值波长为依Ｍｇ的掺杂浓度和退火条件的不同而不同，分别在４２５ｎｍ，４３５ｎｍ和４８０ｎｍ附近，发射谱的半峰宽约为５０ｎｍ。     

熔融织构YBCO单晶的层间耦合

在０～７．５Ｔ磁场范围内,采用膺磁通变压器结构（八电极）,测量了磁场平行于ｃ轴时熔融织构生长的ＹＢＣＯ单晶上和下两个表面的电阻－温度关系。实验结果表明,在测量仪表所能测量的精度范围内,没有观测到Ｖｔｏｐ和Ｖｂｏｔ的情况,Ｖｔｏｐ总是大于Ｖｂｏｔ。不同磁场下Ｖｔｏｐ／Ｖｂｏｔ随着温度的降低而变化;ｃ－轴电阻的测量结构则表明,样品沿ｃ方向与ａｂ面具有相似的超导电性,且Ｔ＾ｃｃ〉Ｔａｂｃ,这充分表明随着     

在层状超导体2H-NbSe2中的重入现象

我们测量了纯２Ｈ－ＮｂＳｅ２单晶样品在磁场下的直流电输运行为,得到了有重大现象的电阻随磁场变化Ｒ（Ｈ）、电阻随温度变化Ｒ（Ｔ）以及临界电流随磁场变化Ｉｃ（Ｈ）关系曲线。我们还采用六电极法同时测量了上、下表面的电势,得到了上、下表面重入不同步的新结果,这个新的实验结果可以由磁通动力学理论,结合Ａｎｄｅｒｓｏｎ磁通需动模型给予很好的解释。     

磁通格子的有序-无序相变和反向熔化

考虑了无序钉扎、热涨落和磁通互作用, 用Monte Carlo分子动力学模拟方法研究二维磁通格子在无序钉扎强度和温度空间的相图, 以及由布拉格玻璃相到非晶磁通玻璃相和到磁通液体相的有序-无序相变.为了决定磁通格子的序，计算了静态结构因子和磁通格子位形的有限尺寸指数.计算结果表明，Bragg玻璃相在低温的无序磁通玻璃相和高温的磁通液体相之间 , 表现出磁通格子的反向熔化行为.分析后认为，这一反向熔化行为起因于磁通之间互作用的温度效应. 关键词： Ⅱ类超导体 磁通格子 相图 结构因子 反向熔化     

量子Sherrington－Kirkpatrick自旋玻璃模型的热力学性质各向异性和磁场影响

利用稳态量子ｒｅｐｌｉｃａ对称自旋玻璃理论，研究了具有Ｄｚｙａｌｏｓｈｉｎｓｋｉｉ－Ｍｏｒｉｙａ（缩写为ＤＭ）各向异性相互作用的Ｓｈｅｒｒｉｎｇｔｏｎ－Ｋｉｒｋｐａｔｒｉｃｋ自旋玻璃在外场中的热力学性质。数值计算了不同外场和各向异性作用的自旋为１／２和１的熵、比热、局域磁化率和相应的序参数随温度的变化。发现局域磁化率与热场动力学的结果相符合。特别地，本文的比热－温度曲线能满意地解释Ｂｒｏｄａｌｅ等实验观察到的不同磁场下的交叉特征。     

电流扫描速度对临界电流影响的数值模拟研究

我们采用数值模拟的方法,利用电动力学方程和磁通玻璃态蠕动机制研究了电输运测量中电流扫描速度（ｄＩ／ｄｔ）对临界电流（Ｉｃ）的影响。结果表明,当加电流速度大于某一值ｄｌ＾＊／ｄｔ时Ｉｃ随ｄＩ／ｄｔ增加非线性减小。ｄＩ＾＊／ｄｔ与判据Ｖｃ的选择有关。当Ｖｃ大到一定程度,ｄＩ／ｄｔ对Ｉｃ的影响将无法观测到。