Bi（2223）厚膜微结构分析

测量了预结厚膜在不同压力下的密度，用ＳＥＭ观测了三次烧结扣揭去银的银夹板厚膜、银包套厚膜的厚度和表面、横截面的形貌，实验结果表明，厚膜的临界电流密度比单晶中的临界电流密度低两个量级的原因可能是；在制备过程中粉末内存在的空气，在烧结时产生的空洞而导致厚膜的织构和晶粒间的连接变差，提出了降低空洞、提高厚膜临界电流密度的方法。     

含Sb的Bi系超导体的研究

Bi-Sr-Ca-Cu-O系中掺入适量的Sb,其高温相(110K相)含量明显多于不掺Sb样品。Sb具有加速高温相形成的作用。对于各义组分为Bi_2-xSb_xSr₂Ca_2.5Cu_3.7O_y的样品,x=0.1最有利于高温相的形成。用液氮中淬火后低温回火的方法,发现在865℃烧结时样品中首先形成的是低温相(80K相),然后再逐渐转变为高温相。T_c值随烧结时间的延 关键词：     

直流场中超导体-铁磁体的低频磁屏蔽特性（英文）

超导体-铁磁体超材料在静磁场中具有有效的磁屏蔽特性.大部分超材料都是由超导材料和铁磁材料组成,而这种材料的性能主要取决于构成材料的结构,几何尺寸及每种材料的磁导率.本论文将麦克斯韦方程和超材料的设计结合起来,提出一种超导体-铁磁体超材料系统.该系统由两种材料的同轴圆柱体构成,我们研究该系统在直流磁场环境下的屏蔽特性.通过改变屏蔽圆柱体的几何尺寸,我们计算出屏蔽效能从而得到最优屏蔽结构.本论文的工作旨在为核磁共振成像及降低医学器械中的磁场特性提供有效的理论依据.     

Bi（2223）／Ag复合带材的研制

采用粉末套管法制备了单芯,7芯,49芯和343芯Bi_(1.8)Pb_(0.4)Sr_2Ca_(2.2)Cu_3,O_x/Ag 复合带材,并研究了热处理条件,加工方式和弯曲应变对带材超导性能和组织结构的影响.研究表明,带材 J_c 对烧结温度十分敏感,在845℃附近作200h 烧结热处理,其 J_c 都有最大值.采用反复压制和烧结的工艺,可有效地改善带材的 J_c,其中49芯带材 J_c(77K,0T)=1.5×10~4A/Cm~2和 J_c(77K,1T)=1.20×10~3A/cm~2.在弯曲应变状态下,带材的 J_c 与其芯数密切相关,随着芯数增加,带材抗应变性能改善,其中343芯带材,当弯曲应变为～1%时,J_c 仍达无弯曲应变时的～70%,为单芯带材的5倍多.     

热处理条件对Bi系2223相超导体的相结构和Tc的影响

采用两次烧结的固相反应法,制备了高质量的名义组分为Bi_(1.92)Pb_(0.37)Sr_2Ca_2Cu_(3.03)O_y的2223单相多晶样品,其零电阻温度为107K。研究了烧成温度和冷却速率对样品的单相性和T_c的影响。结果表明,烧成温度对样品的单相性起决定作用,冷却速率对其影响不大。但是烧成后冷却速率的变化可以使2223相的T_c至少在10K的范围内移动。缓慢冷却使其T_c向高温移动,这与通常在2212相中见到的移动相反。T_c的变化主要归因于超导体中氧含量的变化,而氧含量、载流子浓度、T_(co)以及正常态的电阻行为等因素之间存在密切相关。当样品充分吸氧过程基本完成后,冷却速率的变化,对样品的颗粒T_c影响很小,但对体T_c仍有一定影响。     

低通量慢中子对Bi系超导体的辐照效应

本文研究低通量慢中子对Bi系超导体的辐照效应。实验结果表明:(1)Bi系超导体在适量慢中子辐照后,临界电流密度J_c和零电阻温度T_c0都有不同程度提高;(2)低通量慢中子和高通量快中子对Bi系超导体具有相似的辐照效应。 关键词：     

新型磁屏蔽感应型超导故障限流器的研究

在研究磁屏蔽感应型超导故障限流器原理的基础上,提出了一种新型磁屏蔽感应型高温超导故障限流器,它主要由一次超导绕组、二次超导圆柱形屏蔽筒、铁芯和液氮冷冻箱组成,其工作原理是利用超导绕组和超导筒从超导态转变到正常态时其阻抗的快速上升而限流,对应用于三相系统的新型磁屏蔽感应型超导故障限流器进行了仿真研究,它能显著地减少暂态及稳态的故障电流,有效地提高电力系统的稳定性.     

应用于超导重力测量的磁屏蔽系统研究

在高精度超导重力磁悬浮系统中,高效屏蔽外界磁场干扰是实现高精度重力测量的关键,尤其对于无处不在的地磁场干扰问题。根据不同材料的屏蔽特性,分析了地磁场对超导重力测量的影响,利用ANSYS Maxwell 3D建立了以地磁场为背景的屏蔽模型,对屏蔽体不同材料、厚度、高度、直径等关键参数进行了分析及优化,并设计了多层复合屏蔽结构,屏蔽效能可达65 dB以上,满足重力信号的高精度测量需求,研究结果对于高精度超导重力测量装置的磁屏蔽设计具有重要的实际指导意义。     

适用于超高灵敏磁测量的新型高效磁屏蔽研究

高效磁屏蔽对于超高精度超导量子干涉仪(SQUID)等超高灵敏器件可靠稳定工作至关重要。实践中一般采用多层的高磁导率笨重复合磁屏蔽,或者用小型的轻量屏蔽桶配合差分式平面梯度计完成超高灵敏信号测量。文章作者提出并实现了一种新型的高性能磁屏蔽装置,采用实时的动态磁补偿与高温超导线圈相结合就可以实现。对该装置磁屏蔽效果进行了数值仿真计算,并实际测量了该屏蔽装置的轴向和横向磁场,装置屏蔽因数最高可达80 dB;实验测量发现,新型装置可以同时有效地屏蔽轴向与纵向磁场干扰。     

Bi—2223／Ag超导带材长样的制备

本从提高超导材料的均匀性和致密性出发，采用硝酸盐热分解及多磨多烧工艺制粉，并掺入１０ｗｔ％Ａｇ２Ｏ粉，用冷等静压法压成密实棒材，经烧结且液Ｎ２淬火后装银管，拉丝后进行轧制，每道次采用１５％左右的无效变形量进行轧制，选用预烧结－高温短时熔化处理－后退火的热处理工艺，制备了厚度为０．０９ｍｍ，宽度为２．３ｍｍ，长度为０．５ｍｍ的Ｂｉ系带材长样，其Ｊｃ值达８０００Ａ／ｃｍ＾２。     

（Bi,Pb）2Sr2（R,Ce）2Cu2O10＋δ超导体碘嵌入后结构和Tc变化研究

超导体系（Ｐｂ１．８Ｐｂ０．２）Ｓｒ２（Ｒ１．７Ｃｅ０．３）Ｃｕ２Ｏ１０＋δ（Ｒ＝Ｎｄ，Ｓｍ，Ｃｄ，Ｙ）经碘嵌入后形成一个ｃ轴拉长的新结构。每个式子可含一个碘原子。碘使每个（ＢｉＯ）双层膨胀３．４至３．６Ａ，体系氧含量减少从而导致Ｔｃ下降。与其它超导体系相比，碘嵌入的样品的（ＣｕＯ２）面间距很大，但Ｒ＝Ｓｍ，Ｎｄ的样品仍然超导，这意味着（ＣｕＯ２）面间偶合对超导性产生并不重要。     

Bi—2223相高温超导体结晶过程的宏观研究

本根据ＤＴＡ实验测得的降温曲线上的放热峰，探讨了Ｂｉ－２２２３相高温超导体的昌过程及其温度特性曲线，相变的观特征与宏观动力学特征，结果表明，用热分析方法研究高温超导体结晶过程中相变的宏观特征及其规律，对实用化成材的热处理工艺技术有着积极的实践意义。     

磁屏蔽感应型超导故障限流器的仿真研究

磁屏蔽感应型超导故障限流器主要由一次铜绕组、二次超导圆柱形屏蔽筒、铁芯和液氮冷冻箱组成,其工作原理是利用超导筒从超导态转变到正常态时其阻抗的快速上升而限流,本文利用MATLAB仿真研究了该HTSCFCL模型,仿真结果证明该限流器能显著地减少了暂态及稳态故障电流,也表明该HTSCFCL能有效地提高系统的稳定性.     

纳米银掺杂对Bi(2223)超导体的影响

研究了不同含量纳米银掺杂的（Ｂｉ,Ｐｂ）２Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｘ块材。ＤＴＡ分析表明纳米银掺杂使材料熔点降低,加速了高Ｔｃ相的形成。磁场下Ｒ－Ｔ展宽测试表明,纳米银掺杂大大提高了磁通蠕动激活能,其中最佳掺杂１５ｗｔ％Ａｇ时激活能提高５～６倍;掺杂样品的钉扎能Ｕ（Ｈ）随磁场降低比非掺杂样品要慢,改善了磁场下的传输性能。交流磁化率测量表明纳米银掺杂使晶间损耗峰向高温移动２０Ｋ,说明纳米银掺杂改善了晶界     

高压下制备高密度的Bi系超导体

 首次直接用高压烧结而不必进行任何退火后处理获得超导Bi_0.8Pb_0.2SrCa₂O_x陶瓷样品。此样品是由名义组分为Bi_0.8Pb_0.2SrCa·Cu₂O_x的超导体在1.0 GPa、500 ℃处理2 h后制得的，其零电阻转变温度为97 K。以前未见报导过如此好的结果。高压下烧结的Bi_0.8Pb_0.2SrCa·Cu₂O_x超导体的密度可达6.23 g/cm³（约为理论密度的95%），这比常规法制得的样品的密度（大约4~5 g/cm³）高得多。     

Bi基超导体研磨非晶化的EXAFS研究

本研究了研磨对Ｂｉ－Ｓｒ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ超导体２２１２相的影响，发现干法研磨导致晶相向非晶态的转变，而加入有机溶剂的湿法研磨对晶体结构破坏很小。对两种不同研磨条件下，Ｃｕ原子和Ｂｉ原子局域结构的ＥＸＡＦＳ研究，发现Ｂｉ原子第一配位层配位状态基本无变化，第二、第三层原子配位距离相同，但无序度显增大，而Ｃｕ原子第一配位层中两种不同配位环境氧原子的无序度有不同程度的增大。由此推断，研磨所导致的非晶态     

超导腔垂直测量系统中的磁屏蔽

简要介绍空间磁场对纯铌超导加速腔性能的影响,以及在超导腔垂直测量时对空间磁场进行有效屏蔽的方法.由于多数磁性材料对应力和温度变化非常敏感,而且国内缺乏在低温下相关磁屏蔽材料性能的数据,为此对8种国产铁磁和软磁材料在低温下的初始磁导率进行了测量,并给出了相应的测试结果.最后介绍了作者研制的1.3GHz超导腔垂直测量低温恒温器内置式磁屏蔽装置及其性能.     

低场下高度c轴取向的Bi2223银包套带材的反常霍尔效应研究

在低场且磁场一行于ｃ轴和磁场平行行ａｂ面两种情况下，测量了沿ｃ轴高度取向的Ｂｉ２２２３银包套带材在混合态下纵向电阻率和霍尔电阻率与温度的关系。