193nm光学掩模与x射线掩模技术比较

目前看来,１９３ｎｍ与ｘ射线光刻技术都很有希望应用到０．１３μｍ及０．１３μｍ以下的集成电路工业中去,而掩模制作对这两种光刻技术而言是非常重要的。本文对１９３ｎｍ光学掩模与ｘ射线掩模制造技术进行了对比分析。     

193nm与x射线光刻技术比较

分别从光源、照明系统、掩模、光刻胶、光刻机、光刻工艺、成本等七个方面择１９３ｎｍ与ｘ射线光刻技术进行了对比分析，介绍了目前它们的一些进展情况，并对它们的应用前景进行了简要分析。     

下一代光学掩模制造技术

尽管其它光刻技术在不断快速发展,然而在0．13μm及0．13μm以下集成电路制造水平上,光学光刻仍然具有强大的生命力。随着光学光刻极限分辨率的不断提高,当代光学掩模制造技术面临着越来越严重的挑战。本文对下一代光学掩模工艺技术的技术指标和面临的技术困难进行了论述,并对其中一些关键的技术解决方案进行了简要分析。     

无掩模光刻技术的前景

介绍了无掩模光刻技术的现状、存在的问题和前景展望;说明了无掩模光刻技术的最大优点即是降低掩模成本;同时还介绍了电子束光刻技术及其改进。     

一种采用双面对准的硅LIGA掩模制作研究

深Ｘ射线光刻是制作高深宽比ＭＥＭＳ结构的一个重要的方法。提出一种基于硅工艺和双面对准技术的ＬＩＧＡ掩模技术,工艺十分简单。采用该掩模,可进一步解决深Ｘ射线光刻中的重复对准多次曝光问题,给出了该掩模设计制作工艺过程及深Ｘ射线光刻结果,整个过程包括常常氮化夺、采用Ｋａｒｌ Ｓｕｓｓ双面对准曝光机进行ＵＶ光刻、电化学沉积金吸收体、体硅腐蚀形成支撑等。利用该掩模在北京ＢＥＰＣ的Ｘ射线光刻光束线上进行曝光。     

无掩模光刻技术研究

介绍了无掩模光刻技术的现状和存在的问题,并对几种常见的无掩模光刻技术进行了详细的对比分析.研究表明,扫描电子束光刻具有极高的分辨率,但是生产效率较低;波带片阵列光刻技术已经在理论和实验上取得了广泛的成果,在保持无掩模光刻技术高分辨力的同时,对电子束的低效率将是一种补充,是一种很有潜力的用于制作掩模版的光刻技术.     

193 nm光学元件向材料挑战

用于光刻分档器的投影光学系统是由精密光学元件组成的、非常复杂昂贵的系统,价格超过1百万美元.这些物镜在晶片上产生高分辨精确图像的同时,还必须提供最大的输出.系统的性能不应随时间的增长而降低,晶片上的功率密度为每脉冲1 mJ/cm2时,要求的寿命达十年左右.     

193nm波长的光刻和光学制造

光刻集成电路生产过程所用的照明波长推动着形状尺寸的变化，即波长越短，可使成像特征越小。为制作下一代计算机用的集成电路片，光刻系统也、须更深地向短波长、高能紫外光谱区移动。在该波长区，光学系统的设计和制作变得更困难。这种需要要求有更严格的系统设计法，必须仔细平衡吸收、散射、严密制造公差和运用寿命的关系。最小特征尺寸为0．18μm的一代集成电路片将用光到方法生产，也许是使用193nm波长的激光照明和用反射折射物镜，后者既包括反射元件，也包括折射元件。为支持这个波段的光致抗蚀剂显影，纽约州特洛帕尔公司的工程师…     

193nm光学光刻技术

目前看来,193nm光学光刻很有希望应用到0．13μm集成电路工业生产中去。本文从光源、照明系统、掩模、光刻胶、光刻机等方面对193nm光学光刻技术进行了分析,并介绍了它目前的一些进展情况,最后对它的应用前景进行了简要分析。     

基于空间光调制器的无掩模光学光刻技术研究进展

随着器件特征尺寸的不断减小,传统光刻技术的加工分辨率受限于衍射极限已接近使用化技术的理论极限且成本过高。无掩模光刻技术是解决掩模价格不断攀升而引起成本过高的一种潜在方案,以成本低、灵活性高、制作周期短的特点在微纳加工、掩模直写、小批量集成电路的制作等方面有着广泛的应用。基于空间光调制器的无掩模光学光刻技术在提高分辨率和产出率方面取得了一定的进展,理论和实验上均取得了较好的效果。详细归纳介绍了基于空间光调制器的无掩模光学光刻技术的原理、特点以及研究进展。     

软X射线成像光学技术的发展

成像光学系统的基本性能的要求是分辩率。根据成像原理,分辩率受光波衍射的限制。提高衍射极限分辩率的途径之一是减小波长。X射线光学成像是在这一指导思想下开始研究的,电子光学成像也是这样。而且这两种成像技术的研究,在历史上几乎是同时并进的。1895年伦琴发现X射线,1897年J.J汤姆逊证实了电子的存在;1923年康普顿证明了掠入射条件下射线在抛光金属表面可以像可见光一样反射、聚焦,1926年H。布希等证明了旋转对称静电场和静磁场可以使电子束偏折、聚焦和成     

高线密度X射线透射光栅的制作工艺

采用电子束光刻、X射线光刻和微电镀技术,成功制作了面积为10mm×0.5 mm,周期为500nm,占空比为1∶1,金吸收体厚度为430nm的可用于X射线衍射的大面积透射光栅.首先利用电子束光刻和微电镀技术制备基于镂空薄膜结构的X射线光刻掩模,然后利用X射线光刻经济、高效地复制X射线透射光栅.整个工艺流程分别利用了电子束光刻分辨率高和X射线光刻效率高的优点,并且可以得到剖面陡直的纳米级光栅线条.最后,测量了制作出的X射线透射光栅对波长为11nm同步辐射光的衍射峰,实验结果表明该光栅具有良好的衍射特性.     

高线密度X射线透射光栅的制作工艺

采用电子束光刻、X射线光刻和微电镀技术,成功制作了面积为10mm×0.5 mm,周期为500nm,占空比为1∶1,金吸收体厚度为430nm的可用于X射线衍射的大面积透射光栅.首先利用电子束光刻和微电镀技术制备基于镂空薄膜结构的X射线光刻掩模,然后利用X射线光刻经济、高效地复制X射线透射光栅.整个工艺流程分别利用了电子束光刻分辨率高和X射线光刻效率高的优点,并且可以得到剖面陡直的纳米级光栅线条.最后,测量了制作出的X射线透射光栅对波长为11nm同步辐射光的衍射峰,实验结果表明该光栅具有良好的衍射特性.     

电子束缩小投影曝光系统的掩模研究

介绍了用于电子束投影曝光系统中薄膜加散射体掩模的制备、性能和使用情况。     

EB制作1：1主掩模的工艺研究

一、前言众所周知，在掩模制造技术中，常规的光学方法制作主掩模流程如图且（a）所示，制作一块主掩模需用版材两块。电子束制作主掩模的流程如图1（b）所示，制作一块主掩模只用版材一块。比较图亚（a）和（b），可清楚地看到，（a）的制作流程长，费时且费料，（b）的制作流程短，节省材料，降低成本。凶！主掩模制作流程图随着集成电路规模的不断增大，芯片面积越来越大，有些已超出了精缩机的视场范围，精缩机的视场是100mmX100mm，用光学方法制作主掩模已不能完全满足用户的需要。由于以上种种原因，研究开发采用电子束设备（简称＊B…