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阐述了SiGe器件的主要研究方向以及国内外对SiGe材料和器件的研究情况,并对SiGe器件与Si器件和GaAs器件的发展前景进行了比较。 相似文献
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SiGe器件及其在蓝牙系统中的应用 总被引:2,自引:0,他引:2
SiGe是目前RF半导体领域中一项非常引人关注的半 导体生产工艺。继IBM公司之后,TI公司、ST公司和Conexant Systems公司等主要的芯片供应商纷纷加入了使 用者的行列。与此同时,随着蓝牙技术在个人无线设备(尤 其是手机、头戴式耳机、笔记本个人电脑和PDA等)领域 中应用的迅猛发展,迫切需要开发包含无线及基带电路的 超低功耗芯片组。SiGe技术不仅可满足这种低功耗要求,而且还能满足 蓝牙技术应用的诸多其他要求,本文将对有关情况做简要 相似文献
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SiGe材料及其在双极型器件中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
SiGe材料具有很多独特的性质,高性能的应变SiGe外延层能够将能带工程的概念引入到传统的S基材料中去。外延SiGe合金使得在Si基材料上制作性能优异的双极晶体管成为可能。本文回顾了siGe材料和SiGe异质结双极晶体管的最新研究进展,包括它们的结构、性能、制作工艺、优点以及未来发展方向等。 相似文献
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提出了一个模拟SiGe基区HBT器件特性的物理模型。在基区部分考虑了发射结处的价带不连续、大注入效应、Ge组份变化及重掺杂效应引起的能带变化的影响;在集电区分析时考虑了基区推出效应、载流子速度饱和效应、电流引起的空间电荷区效应以及准饱和效应。在此基础上给出了SiGe基区HBT器件的电流和电荷公式。同时开发了SiGe基区HBT的直流瞬态模型和小信号模型。利用修改的SPICE程序模拟了实际SiGe基区 相似文献
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SiGe/Si异质结器件 总被引:1,自引:0,他引:1
本文综述了国际上SiGe/Si异质结器件的发展状况,分析了该器件的结构要理,特点,优越性及制造技术,阐述了该器件的广阔应用和对微电子将产的重大影响。 相似文献
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SiGe/Si HBT作为单片微波集成电路中的有源元件,在截止频率,增益,噪声等方面相对于GaAs器件有很大的优势。本文结合本单位在SiGe材料和器件、电路等方面做过的工作,对实现SiGe单片微波集成电路的一些理论和技术要点作了阐述。 相似文献
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介绍了在无线应用中的两种SiGe器件工艺:低压IC电路和高压分立功率器件工艺。给出了器件的关键参数,并且讨论了这些参数对于诸如功放和射频前端电路的影响。 相似文献
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Si/SiGe/Si双异质结晶体管异质结势垒效应(HBE)研究 总被引:12,自引:2,他引:10
本文研究了不同温度下Si/SiGe/Si双异质结晶体管异质结势垒效应,研究发现,集电结处价带能量差△Ev越大,HBE越明显,在给定的△Ev下,随着温度的降低,HBE越显著。 相似文献
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我们对Si/SiGe/Si HBT及其Si兼容工艺进行了研究,在研究了一些关键的单项工艺的基础上,提出了五个高速Si/SiGe/Si HBT结构和一个低噪声Si/SiGe/Si HBT结构,并已研制成功台面结构Si/SiGe/Si HBT和低噪声Si/SiGe/Si HBT,为进一步高指标的Si/SiGe/Si HBT的研究建立了基础。 相似文献
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为了集成电路的低成本和高性能设计,文章通过设计SiGe异质结双极晶体管的结构和工艺,给出了微波无线通讯系统的集成方案,从而解决了现行Si器件在高频领域的噪声、速度和带宽问题,同时为CMOS的兼容性提供了技术保障. 相似文献
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