用补偿法校准互感

我们采用补偿法校准互感能达到很高的精确度.具体做法是,如图接好线路,注意使M0与Mx反接.将开关K1、K2打开,用跃接法接合开关K,调M0使检流计指零(为提高灵敏度,应在开关K正反向跃接时指零)此时Mx、M0所产生的感生电势差额被M’0所产生的感生电动势完全补偿.则Mx=M0+M’0.接着要判断M0与M0产生电动势的方向.即先闭合开关K1,跃接开关K(单边跃接,不要反向!).记住此时检流计偏转方向是M0的感生电动势方向(　.M0<相似文献   

Mg、B配比对MgB2材料的影响

我们通过固态反应法制备了MgxB2(x=0.2,0.6,0.8,1.0,1.2,1.4,1.8,2.2,2.6)系列超导样品.用四引线法测量了每一个样品在制备烧结过程中的高温R～T曲线.由这些曲线的升温阶段数据得知MgxB2系列样品的起始成相温度Tonset随着x值的增加而降低.由它们的X光衍射图可知,x≤1.0时,没有Mg和MgO的杂相峰;到x＞1.0后,随x值的增大,杂相Mg和MgO的衍射峰强度逐渐增强.它们的低温R～T曲线表明随x值的增加,正常态电阻减小,起始超导转变温度在39.3 K到39.9 K之间.综合Tc(onset)和△Tc,Mg1.4B2样品呈现出最好的超导状态.这些样品的单位质量M～T测量数据表明起起转变温度处于37.4～38.6 K之间,且Mg1.4B2样品呈现出最高的磁测Tc(onset)=38.60 K.在Mg含量x大于或低于1.4时,磁测Tc(onset)均小于此值.综合R～T和M～T这两种测量,为得到高Tc的MgB2超导块材,胚体MgB2的配比应取x=1.4为好.     

物理奥林匹克竞赛实验专题

第 2期试题解答电路如图 1所示 .由全电路欧姆定律得I=ER+r A+r0或1I=RE+r A+r0E图 1　电路图多次改变电阻箱阻值 R,测得相应电流 I,作 1I-R图 .图中直线的斜率为 1E,纵轴的截距为r A+r0E ,r A 为已知 ,r0 可求 .注意 :一般电池内阻较小 ,毫安表内阻也不大 ,为保证毫安表安全使用 ,R值从 1 0 0 Ω 开始为宜 .设 r0 =0 ,r A=0 ,电池电压约 1 .5V,则 I≤ 1 5m A.若电流太小 (如不到半量程 ) ,再逐渐减小R值 .在制流电路中 ,制流电阻应从较高阻值开始 ,而毫安表读数从满量程逐渐减小 .第 3期试题对于摆线质量 m相对摆球质量 M不可忽…     

长螺线管的自感-互感计算中的一个问题

在不受铁磁质影响的条件下,把两个自感分别为L1和L2的长螺管按不同方式联接:(一)顺接成一体.如图一.如果它们单位长度上绕线匝数n相等,这两个螺线管串联后的等效自感Le应为各螺线管原来具有的自感之和,即 Le=L1 l2(1)如果把上述两个相隔很远的螺线管的距离逐渐减小,并适当调整位置,顺接成图一的样子,我们一定会想到在这个调整位置的过程中,由于磁场的耦合逐渐加强,等效自感Le的表示式应由(1)改为(2)中的“±”分别与顺接、反接相对应,M为互感,它与L1及L2的关系为K是耦合系数. 但是,把两个绕线密度m相同(甚至可以不要求截面相同)的长螺线…     

伏安法测量实验中系统误差的处理

1测量电路及实验原理在选择电流表内接电路时,设伏特表读数为U,电流表读数为I,测测量值Rx为:Rx=U/I=R+RA(1)可见,Rx>R图1电路图即:R=Rx-RA(2)式中R为待测电阻阻值,RA为电流表内阻。若能精确地提供RA的值,根据式(2)可准确计算阻值R。由于电流表内阻在不同的量程下不同,而且受实验环境的影响,因此,RA不能靠实验室提供,需要在实验中测量得到。如图1所示,合上K1、K2,在伏特表、电流表中读取数据:U1、U2、I,则:RA=(U1-U2)/I(3)事实上,这是测量微小电压降的方法。实验中,电流表的内阻较小,故电流表两端的电压降很小,用上述方法可以…     

双金属层状配位聚合物{[NO2 BzQl][MCr(ox)3]}∞的合成、光谱表征和磁性研究

合成了两种新的草酸根桥联的双金属层状配位聚合物 ,{ [NO2 BzQl][MCr(ox) 3 ]} ∞ ,其中 [NO2 BzQl]+为 1 (p nitrobenzyl) quinolinium ,ox2 -为Oxalate ,M为Ni2 + 或Cu2 + ,并经元素分析、红外光谱表征 .变温磁化率测定结果表明 ,在这两种层状配位聚合物中 ,相邻的金属离子之间存在反铁磁偶合作用 .应用Curie -Weiss公式拟合相应的变温磁化率数据为 :C =0 .6 6 2emuK/mol,θ =- 1.6 5 8K ,R =2 .0× 10 -5(Ni2 + ) ;C =0 .17emuK/mol,θ=- 0 .6 93K ,R =1.86× 10 -6(Cu2 + ) .     

物理奥林匹克竞赛实验专题

第 1 1期试题解答设已知电阻为 R,滑动电阻器电阻为 Rx,直流电源电压为 U(工作电路的电源 ) ,电池电压为 E(补偿电路的电源 ) .电路如图 1 .图 1　实验电路图　　图 1 ( a) ,闭合 K1,用跃接法接通 K2 ,调滑动电阻器 ,直至灵敏电流计指零 .记录滑动电阻器在补偿电路中的长度比例 a,有EU=a Rx R+Rx( 1 )图 1 ( b) ,调换已知电阻 R和滑动电阻器Rx 的位置 .用上述跃接法 ,调整滑动电阻器 ,使灵敏电流计指零 .记录活动端标尺读数 .设这时滑动电阻器在补偿电路中的长度比例为 b,有EU=R+b Rx R+Rx( 2 )由 ( 1 ) ,( 2 )式可得Rx=Ra-b,　 E…     

“复合”振动中的串并联──求振动系统周期一法

求一个振动系统的周期时,我们往往会遇到一些较复杂的“结构”,被迫进行繁琐的运算.能否减少一些不必要的计算呢?如果我们把一个复杂结构转化为几个简单的,那么问题就可以简便些.下面试探: 引例1 如图0-1所示,将两个弹簧串联起来并系一质量为m的物体.假设两弹簧的倔强系数分别为K1、K2,所有接触而都是光滑的.试求此振动系统的振动特征方程,并写出振动常数. 解:将物体m拉(推)动一距离(在弹簧弹性限度内)后,立即放开. 令:当物体距A点x时,所受的力为f(如图 0-1),且x1、x2为弹簧K1、K2上的伸长;f1、f2为它们分别所受的力.由胡克定律可知; 我们…     

束缚电子对7Be太阳中微子流量的影响

计算了在太阳核心从R=0到R=0.125R⊙处,7Be存在1个或2个K壳层束缚电子的概率约为4.54%.这表明7Be原子俘获的电子95.46%是自由电子.假定太阳中微子自产生后没有发生任何改变,并且太阳的其他参量不改变,那么7Be和8B太阳中微子流量的理论计算值分别约为4.04×109和6.12×106cm-2s-1.这将进一步扩大8B太阳中微子与superKamiokande太阳中微子实验测量值之间的差距 关键词： K壳层束缚电子 电子俘获概率 7Be太阳中微子流量 8B太阳中微子流量     

K1-xCaxNbO3 陶瓷的晶体结构、介电特性及磁性的研究

采用自牺牲法制备K1-xCaxNbO3(x=0-0.2)陶瓷样品,研究Ca2+ 掺杂对KNbO3 的晶体结构,介电和磁性的影响.XRD分析表明所有样品均属于空间群为Amm2的单相正交晶系,SEM 表明Ca2+ 掺杂对KNO 样品的微观形貌和晶粒尺寸有明显的调控作用.在KNbO3 的εr-T中观察到两个转变,第一转变在213℃,第二转变在424℃,分别对应正交相到四方相转变和四方相到立方相的铁电相变,其TC随着x的增加由424℃降低到415℃.测量了K1-xCaxNbO3(x=0-0.2)样品在5~350K范围内M-T 的变化关系,发现M 值在T

黑体辐射的简易演示装置

本演示装置取材简单,操作方便,对黑体发射和吸收本领的定性演示效果明显,作法如下: 图1是组装图.Q为辐射容器,为一方形铁盒,左外侧面涂黑漆,作为一个发射面;右外侧面涂白漆,作另一发射面. E为电池, R1、 B3和 R3是圆片型热敏电阻(R50-330Ω ),R2为电位器(560Ω),R4为金属膜电阻(RJ-330Ω),G是示教电流计,它们组成惠斯登电桥电路,用作温度指示仪器。其中 R1、R3表面涂黑漆,R3涂白漆,作热辐射的吸收体,它们距 Q两表面的距离相等.K是双刀双掷开关.当K扳向右边时,R1、 R3构成桥电路之两臂(R1在左, R3在右),分别作Q两表面热辐射的接收器…     

MgB2超导薄膜的微波测量

报道了利用蓝宝石介质谐振器技术测量MgB₂超导薄膜的微波表面电阻R_{s、0K时的穿透深度λ(0)和超导能隙Δ(0).λ(0)和Δ(0)的值是通过先测量样品穿透深度λ(T)的变化量Δλ(T)，然后由BCS理论模型拟合Δλ(T)的实验数据得到的.测试样 品是利用化学气相沉积技术在MgO(111)基片上制备的c轴织构的MgB2超导薄膜， 薄膜的超导转变温度和转变宽度分别为38K和01K.微波测试结果表明在10K，18GHz下M gB2薄膜的Rs约为100μΩ，可以和高质量的YBCO薄膜的Rs值相比拟；BCS理论拟合得到的MgB2超导薄膜的λ(0)=102nm，Δ(0)=113k Tc.}     

高临界温度超导体研究进展介绍

1987年2月20日,中国科学院物理研究所赵忠贤、陈立泉等获得新的Ba基氧化物超导体,经过多次反复实验,表明该超导体的起始转变温度高达100K以上,从而在高临界温度超导体研究方面又一次获得重大突破. 新的超导体的主要成分包括钡、钇、铜、氧四种元素[Ba_xY_(5-x)　Cu_5　O_5(3-y)]。样品的制备采用了新的工艺和新技术[1].超导转变温度的测量采用标准四引线电阻法和低频交流互感法.图1是采用这两种方法得到的超导转变曲线.由图1可以看出,样品的电阻起始转变温度在100K以上(电阻由线性变化过渡到非线性变化时的温度在 110K附近),中点转变温…     

利用互感概念推导阻抗公式

武汉大学所编《电子线路》教材在调谐放大器这一节中[1],在推导电感分压式及电容分压式两种具有抽头的并联谐振回路的谐振阻抗等于没有抽头的谐振阻抗的n2倍这个结论的过程中,我认为存在下列问题. (1)图一表示电感分压式谐振回路及其等效电路.书中起初在推导ZOBO=n2ZABO式子时,其中对于电感并未考虑L1及L2之间的互感,而当要推导接入系数。 时又突然考虑L1及L2之间的互感,前后显得有些矛盾,容易引起概念的混乱. (2)从等效电路图一(b)可看出书中认为ZCBO= 亦有毛病,显然R应是L1及L2总的直流电阻,而不是L1单独具有的电阻, 应是ZCBO==…     

干涉条纹的解析表示──迈氏干涉仪问题讨论

迈氏干涉仪实验中(光路见图一),在不同的条件下,干涉条纹可出现直线、双曲线、抛物线、椭圆及园的形状,且随着气楔厚度或眼睛位置的变化,条纹形状呈现有规律的变化.本文拟就这一问题进行讨论.(为节省篇幅,有关公式直接引用,数学推导尽量从简.) 如图二,眼睛瞳孔线度很小,近似视为一点,记为E.M2、M1 夹角很小,记为.在M2所在平面建立坐标系,OXAB(棱边),OY AB. O为 E对 M2之垂足, OE记为h,OC记为l. 下面建立过O点条纹的方程. O点的光程差 (do为 O点气楔之厚度,d0=l　tg　θ ) 令则 设有点P(x,y)与O点在同一条纹上,则 由式( 1) 由图二…     

“全值法”测电流表内阻及其误差分析——电流表内阻测量方法的改进

现行高中物理课本下册学生实验《把电流表改装为伏特表》中,讲到电流表内阻测量时,采用图1所示电路和“半值法”进行测量.由误差分析得其测量相对误差为:E=R′/(r+R)-R′(1)由上式可见,(r+R)≥100R′,E值才接近或小于1%.     

如何做好P—R图象

研究电源的输出功率和负载的关系是一个重要的电学实验,也是对学生进行图象教学的典型实验.我校学生用的实验器材为WYJ-20/2A高精度直流稳压电源、C31-A型电流表(0.5级)、J236-1型电阻箱(0.5级)、开关、导线等.实验电路图如图1所示,R为负载,R0为定值电阻,充当电源的假内阻,当E、R0调到一定值(如E=6.0 V,R0=10.0Ω)后,调节R的阻值,测量电路中的电流I,计算输出功率P=I2R,在坐标纸上作出P-R图象,可直观地反映输出功率与负载电阻的关系,其图象如图2所示.     

微振动的激光外差测量

微振动的测量在科学技术和工业应用中都有着重要的意义.比如在材料性质的研究中,在高速转动系统的测量和研究中,以及在实现重力波接收的努力中,微振动的测量都是很重要的一个方面。 激光和无线电技术的结合,实现了光频范围的外差测量,利用它的灵敏度高的特点,我们做了一个测量压电陶瓷微振动的实验. 一、实验原理 图1为一个迈克尔逊干涉仪,反射镜M1、M2的坐标已分别标出,在忽略相位常数的情况下(这对原理的叙述无影响),到达接收器D的两路光可分别表示为:若反射镜M1为被测目标,它在作频率为Ω、振幅为η的微振动,即 y一岁。 O81n(0【干9)则…     

苯并18-冠-6配合物[K(B18-C-6)]SCN的合成与结构分析

苯并 18 -冠 - 6 (B18- C- 6 )与 K2 [Cd(SCN) 4 ]反应 ,得到了 [K(B18- C- 6 ) ]SCN配合物。通过元素分析、红外光谱、单晶 X射线衍射进行了结构分析。该配合物为单斜晶系 ,空间群 P2 (1) / c,晶体学数据 :a=0 .996 0(3) nm,b=2 .5 0 97(7) nm,c=0 .8374 (2 ) nm,β=10 6 .5 19(5 )°,V=2 .0 0 6 7(10 ) nm3 ,Z=4 ,F(0 0 0 ) =86 4,R1=0 .0 4 2 9,w R2 =0 .0 5 75。结构分析表明 ,该配合物由一个 [K(B18- C- 6 ) ]配阳离子和一个 SCN阴离子组成 ,配合物的两个分子通过 K+ - π相互作用形成一维链状结构     

M_yM′_(1-y)FCl_xBr_(1-x):Sm~(2+)材料制备光谱性质和光谱烧孔

本文介绍用高温固相扩散方法制备M_yM′_(1-y)FCl_xBr_(1-x):Sm~(2+)(M′=Mg、Ca、Sr、Ba;x,y=1,0.8,…,0),并对这些系列材料发光性质进行了研究.结果表明:非均匀线宽主要受材料中阴离子随机分布影响;材料中x的变化及M,M′的不同或y的变化,对Sm~(2+)的4f~55d能级位置都有影响;对于BaFCl_xBr_(1-x):Sm~(2+)和Sr_yCa_(1-y)FCl_(0.5)Br_(0.5):Sm~(2+)系列材料~5D_0—~7F_0发射峰值与x、y值关系给予了理论解释;选择出较好的光谱烧孔材料Mg_(0.5)Sr_(0.5)FCl_(0.5)Br_(0.5):Sm~(2+),研究了其热猝灭规律,实现了这种材料在77K下的光谱烧孔,对其孔深、孔宽、烧孔能级、存储密度进行了测量计算,为进一步改善材料,研究烧孔机制提供了依据.