共查询到19条相似文献,搜索用时 83 毫秒
1.
2.
3.
研究了铁电薄膜红外探测器响应率等器件参数随铁电薄膜厚度的变化.器件的隔热层结构采用气凝胶二氧化硅.实验发现器件的热释电系数,吸收率以及热导均随膜厚增加而增加.铁电膜层厚度为240nm的器件,其热导与微桥结构器件的热导相近,都为10-7W/K量级,证明气凝胶二氧化硅做隔热层能够制备出性能优良的热释电红外探测器.随着薄膜厚度增加,热导急剧增大,这是引起器件响应率降低的原因.制备铁电薄膜过程中的多次650°高温退火可能降低了二氧化硅多孔率. 相似文献
4.
本文讨论了压电和铁电薄膜材料及其在固体器件中应用的发展趋势。薄膜生长技术的进展,为压电和铁电薄膜集成固体器件在各个领域的应用开辟了广阔的前景。ZnO和AIN薄膜将广泛地用于SAW和BAW器件。特别是成功地制作了薄膜体声波谐振器和高次谐波体波谐振器。以PbTiO_3为基的PZT和PLZT固溶体外延薄膜将应用于热电探测器和SAW器件。在实现了对多层薄膜的界面结构及其特性的成功控制之后,铁电薄膜将在铁电存储和集成光学领域发挥重要作用。 相似文献
5.
6.
本文评述了铁电薄膜的制备力法;对铁电薄膜的理论研究成果作了概括的讨论,重点讨论表面层与膜层内应力对薄膜铁电行为的影响;文中介绍了铁电薄膜在存储、发光、显示及探测等方面的应用;最后简要地指出了铁电薄膜的理论与应用研究的前景。 相似文献
7.
8.
在无氧气氛下,采用射频磁控溅射法制备了PLzT系列薄膜,对原位溅射薄膜进行了快速退火及常规退火处理,深入研究了退火工艺对铁电薄膜结构与性能的影响。认为采用常规退火工艺处理无氧溅射的薄膜时,铁电薄膜具有更好的晶体结构和铁电性能。 相似文献
9.
采用化学溶液沉积法在p-Si(100)衬底上制备了LaNiO3(LNO)下电极和Bi3.25La0.75Ti3O12(BLT)铁电薄膜,分别用X-射线衍射、原子力显微镜、扫描电镜和铁电测试仪对样品的微结构和铁电性质进行了系统分析。结果表明,低热解温度下制备的LNO薄膜具有(110)择优取向、小的颗粒尺寸和大的电阻率;而高热解温度下制备的LNO薄膜具有(100)择优取向、大的颗粒尺寸和小的电阻率。与以往报道不同,c轴择优取向度大的BLT薄膜显现出更大的剩余极化强度和更小的漏电流,具有更优越的铁电性质。 相似文献
10.
11.
本文基于传输线周期性加载可变电容理论,设计了一种X 波段的铁电薄膜移相器。测试结果表明,随着偏压的增加,移相度增大、插损减小。在32 伏的直流偏压下,X 波段最大移相度为140°,最大插损为10dB,回波损耗优于-10dB。 相似文献
12.
13.
14.
15.
Meysam Sharifzadeh Mirshekarloo Kui Yao Thirumany Sritharan 《Advanced functional materials》2012,22(19):4159-4164
Coupling effects among mechanical, electrical and magnetic parameters in thin film structures including ferroic thin films provide exciting opportunity for creating device functionalities. For thin films deposited on a substrate, their mechanical stress and microstructure are usually determined by the composition and processing of the films and the lattice and thermal mismatch with the substrate. Here it is found that the stress and structure of an antiferroelectric (Pb0.97,La0.02)(Zr0.90,Sn0.05,Ti0.05)O3 (PLZST) thin film are changed completely by a ferroelastic strain in a magnetic shape memory (MSM) alloy Ni‐Mn‐Ga (NMG) thin film on the top of the PLZST, despite the existence of the substrate constraint. The ferroelastic strain in the NMG film results in antiferroelectric (AFE) to ferroelectric (FE) phase transformation in the PLZST layer underneath. This finding indicates a different strategy to modulate the structure and function for multilayer thin films and to create unprecedented devices with ferroic thin films. 相似文献
16.
17.
Ni掺杂对钛酸锶钡铁电薄膜性能的影响 总被引:5,自引:0,他引:5
在醋酸水溶液体系中采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了未掺杂和掺Ni的钛酸锶钡(BST)薄膜,研究了Ni的加入对BST薄膜的结构和电学性能的影响。试验结果表明,随着Ni加入量的增加,BST薄膜的晶粒尺寸减小,介电常数减小,介电损耗降低;当Ni的加入量在10%(摩尔分数)时,薄膜的介电常数、介电损耗、可调性和FOM分别为230.25、0.015、30.8%、20.53。研究结果表明,适量掺Ni的钛酸锶钡薄膜能满足可调微波器件的要求。 相似文献
18.
19.
用 Sol- Gel方法研制了 PL T[(Pb0 .83 L a0 .17) Ti O3 ]铁电薄膜 ,结合非挥发性铁电存储器对铁电电容的要求 ,研究了 Au/ PL T/ Pt铁电电容和漏电流、剩余极化、疲劳、开关特性和揭电常数等性能。对厚度为 0 .4 μm的薄膜 ,5 V时的剩余极化强度 Pr=2 2 μC/ cm2 ,矫顽场强度 Ec=6 0k V/ cm,相对介电常数约 130 0 ,漏电流 Id=3.2× 10 -8A/ mm2 ,开关特性优良。疲劳测试表明 ,对Vpp=10 V的锯齿信号 ,经 4 .5× 10 11周期后 ,剩余极化强度衰减 2 0 %。上述性能表明 ,该 PL T膜能用于非挥发性铁电存储器的试制 相似文献