强激光脉冲电源电磁干扰的仿真与测试

以往对强激光脉冲电源的电磁兼容性设计一般以经验性为主,难以确保电源的稳定性和可靠性。基于电源主体结构,提出一种定量分析和计算强电磁干扰的方法。对传导干扰的仿真和现场测试表明,机架上每米的地电位差小于10 V,机壳外的准静态磁场低于0.16×10-4T。测试和计算结果表明,电源电磁兼容性符合设计要求。     

强激光脉冲电源电磁干扰的仿真与测试

 以往对强激光脉冲电源的电磁兼容性设计一般以经验性为主,难以确保电源的稳定性和可靠性。基于电源主体结构,提出一种定量分析和计算强电磁干扰的方法。对传导干扰的仿真和现场测试表明,机架上每米的地电位差小于10 V,机壳外的准静态磁场低于0.16×10^-4T。测试和计算结果表明,电源电磁兼容性符合设计要求。     

小型化行波管放大器热仿真分析及优化设计

介绍了小型化行波管放大器的热仿真分析和优化设计方法。首先对行波管放大器的热损耗进行了分析,然后依据热力学相关理论,基于Ansys Icepak软件,对行波管放大器进行了建模和仿真分析。针对小型化行波管放大器的特点,分别进行了水冷板的热优化设计和慢波结构的热优化设计,在此基础上进行了水冷板和慢波结构的综合优化设计。最后进行了实验验证,实验结果与仿真结果相符,行波管放大器无论是整体温度还是局部温度分布特性,均得到了明显改善。     

磁阻型电磁发射的建模分析与仿真研究

本文分析了磁阻型电磁发射的机理,得出了发射过程的等效作用.利用磁矩模型建立了磁阻型电磁发射的理论模型,并结合发射电路的模型导出了弹体的动力学方程,分析了影响弹体发射的主要因素,给出了MATLAB仿真结果.     

四轨电磁发射器的背场增强仿真分析

针对四轨电磁发射器的背场增强方案的电感梯度进行了仿真分析。根据虚功原理,推导了背场下的四轨电磁发射器电感梯度公式。建立了三维背场仿真模型,分析了不同主、附轨道参数下电感梯度的变化规律。仿真结果表明：添加背场后,增大发射器口径、减小主附轨间距和附轨道截面积均能够实现系统电感梯度的提升;背场增强下,在主轨道高度达到口径的57%时,邻近效应已变得明显;相同附轨道截面积下,为增大系统电感梯度应优先减小附轨道厚度,为缓解电流邻近效应可优先减小附轨道高度;凹形截面附轨道能够明显改善电流邻近效应。     

基于多物理场计算的二极管雪崩击穿效应分析

基于电磁场、半导体物理及热力学方程的半导体器件多物理场模型方程组共同描述了器件内部的电热特性。而半导体器件在反向电压作用下,会发生碰撞电离及雪崩击穿现象。采用多物理场计算方法仿真型号为HSMS-282C的肖特基二极管的雪崩击穿现象,仿真结果与实验测量结果吻合,表明该算法能准确表征二极管物理特性,并对效应现象给出物理机理解释。     

开关电源汇流排的场路耦合仿真分析及优化

根据开关电源工作原理,建立汇流排的外电路模型,并与汇流排模型进行场路耦合仿真,用有限元仿真的方法,得到汇流排在实际激励条件下的电流密度分布和欧姆损耗分布。分析汇流排工作时欧姆损耗集中的区域,在此基础上对汇流排的结构进行优化,从而达到减小汇流排的电流密度和欧姆损耗的目的。     

开关电源汇流排的场路耦合仿真分析及优化

根据开关电源工作原理,建立汇流排的外电路模型,并与汇流排模型进行场路耦合仿真,用有限元仿真的方法,得到汇流排在实际激励条件下的电流密度分布和欧姆损耗分布。分析汇流排工作时欧姆损耗集中的区域,在此基础上对汇流排的结构进行优化,从而达到减小汇流排的电流密度和欧姆损耗的目的。     

基于低空成像信息的热红外成像仿真研究

提出了一种由低空飞行获取的以红外图像为数据源的中远红外仿真方法。首先通过大气辐射传输模型计算出测量条件下的程辐射和大气透过率,反演出地面温度,然后再由大气传输模型计算出仿真条件下的程辐射和大气透过率,并仿真卫星高度下的红外图像。以飞艇为平台,并搭载中远红外成像系统进行飞行,对获取的数据进行仿真模拟。试验结果表明,这种利用大气辐射传输模型和基于低空成像信息的遥感图像仿真方法可以用于模拟相同地区相同波段范围的卫星图像。     

三维电磁扩散场数值模拟及磁化效应的影响

采用矢量有限元法实现了三维电磁扩散场数值模拟,并成功将其应用在大地电磁的正演研究中.为灵活精确地拟合起伏地形和地下不规则构造,采用由不规则四面体单元组成的非结构化网格,可根据模型设计的需要调整网格的大小.引入了基于二次场理论,将解析的一次场从总场中扣除,直接计算二次场,使得误差仅局限于相对较小的二次场,以提高总场计算精度.常规的节点有限元法不满足电性分界面上法向电场不连续和无源区单元内电流密度无散,违反麦克斯韦方程组.为克服节点有限元法的弊端,使用矢量有限元法求解基于二次电场的偏微分方程.另外,在算法设计中,考虑了磁导率参数的变化,可以模拟磁导率不均匀的模型.通过与COMMEMI模型已发表的结果对比,证明了本文算法的正确性和精确性.为突显非结构网格优势,计算了椭球异常体模型和任意地形模型的MT响应,并详细讨论了地形和磁化效应对三维数值模拟结果的影响.     

Fast MRI coil analysis based on 3-D electromagnetic and RF circuit co-simulation

To accelerate the analysis of a multi-element MRI coil, a two-way link is used between radiofrequency (RF) circuit and 3-D electromagnetic (EM) simulation tools. In this configuration, only one 3-D EM simulation is required to investigate the coil performance over a range of different tunings, saving considerable computation time. For the purpose of 3-D EM simulation, the coil feed networks and trim capacitors are substituted by 50 Ω ports. The entire coil was tuned in the RF circuit domain, and the near-field profiles of the electric and magnetic field components were then calculated, together with the specific energy absorption ratio (SAR) maps in the 3-D EM domain     

通信机箱内连接器电磁干扰建模与仿真

随着工作频率的提高,通信系统面临的电磁干扰问题日益严重。其中高速连接器信号走线上的高频电流是产生电磁辐射的主要干扰源。对含有复杂元器件的通信机箱进行电磁建模与仿真长期面临结构过于复杂、仿真与测试难以匹配等困难。提出基于机箱Q值测算融合的方法建立等效仿真模型,基于区域分解对干扰源和机箱进行协同仿真,并采用有源叠加实现随机信号叠加效应的仿真分析。提出的分析方法可准确模拟真实机箱的谐振及耗散特性,简化连接器多端口激励随机叠加效应的仿真计算,实现机箱泄漏场强的准确预估。     

贯通导体及其电路对金属腔体内部电磁场的影响

为研究贯通导体及其负载电路对金属腔体内部电磁场的影响,建立了不同贯通导体端接负载模型,使用电磁仿真软件CST进行仿真,利用GTEM室、矢量网络分析仪、功率放大器、ETS电场探头组建实验测试系统,验证了仿真结果的正确性,揭示了贯通导体及其电路对金属腔体内部电磁场的影响规律。研究结果表明:腔体内部电磁场同时受到贯通导体与腔体谐振的影响,在谐振频点干扰场强取得极大值,屏蔽效能取得极小值甚至为负值。贯通导体端接负载不接地与贯通导体两端开路情形相似,贯通导体端接负载直接接地时内部场显著降低,谐振频点降低,贯通导体端接负载浮点接地时内部场变化规律低频时与开路模型相似,高频时与直接接地模型相似。贯通导体端接负载的电阻值、电容值也会影响腔体的内部场。     

贯通导体及其电路对金属腔体内部电磁场的影响

为研究贯通导体及其负载电路对金属腔体内部电磁场的影响,建立了不同贯通导体端接负载模型,使用电磁仿真软件CST进行仿真,利用GTEM室、矢量网络分析仪、功率放大器、ETS电场探头组建实验测试系统,验证了仿真结果的正确性,揭示了贯通导体及其电路对金属腔体内部电磁场的影响规律。研究结果表明：腔体内部电磁场同时受到贯通导体与腔体谐振的影响,在谐振频点干扰场强取得极大值,屏蔽效能取得极小值甚至为负值。贯通导体端接负载不接地与贯通导体两端开路情形相似,贯通导体端接负载直接接地时内部场显著降低,谐振频点降低,贯通导体端接负载浮点接地时内部场变化规律低频时与开路模型相似,高频时与直接接地模型相似。贯通导体端接负载的电阻值、电容值也会影响腔体的内部场。     

基于麦克斯韦电磁场理论的神经元动力学响应与隐藏放电控制

钙、钾、钠等离子在细胞内连续泵送和传输时产生的时变电场不仅会影响神经元的放电活动,而且会诱导时变磁场去进一步调节细胞内离子的传播.根据麦克斯韦电磁场理论,时变的电场和磁场在细胞内外的电生理环境中会相互激发而产生电磁场.为了探究电磁场影响下的神经元放电节律转迁,本文在三维Hindmarsh-Rose(HR)神经元模型的基...     

印制线抗电磁干扰模型分析与计算

对双导体传输线的Taylor模型在频域下的非齐次线性微分方程组,采用常数变异法求得其在边界条件下解的表达式,所求得传输线在终端响应的电压和电流值与BLT方程求得的结果相同。同时,还得到了印刷电路板上的平行双线在外电磁场辐射下终端响应电压的解析表达式,并通过解析解分析得到了不产生干扰电压时的电磁波的入射角度和极化方向。     

印制线抗电磁干扰模型分析与计算

对双导体传输线的Taylor模型在频域下的非齐次线性微分方程组,采用常数变异法求得其在边界条件下解的表达式,所求得传输线在终端响应的电压和电流值与BLT方程求得的结果相同。同时,还得到了印刷电路板上的平行双线在外电磁场辐射下终端响应电压的解析表达式,并通过解析解分析得到了不产生干扰电压时的电磁波的入射角度和极化方向。