激光二极管抽运的Nd：YVO4GaAs被动调Q激光器研究

报道了激光二极管抽运Nd:YVO4半导体材料GaAs被动调Q激光器运转。测量了不同透过率输出镜条件下，输出调Q脉冲的宽度，能量及冲重复率。在抽运功率为4W时，得到了脉宽为30ns、能量为8μJ、重复率为60KHZ的稳定的调Q脉冲。还就GaAs调Q机理进行了理论研究并对实验中的一些现象进行了分析讨论。     

激光二极管抽运的GaAs被动Q开关Nd：YVO4激光器

利用固体可饱和吸收体砷化镓（GaAs）作为被动调Q元件，实现了激光二极管抽运平－凹腔掺钕钒酸钇（Nd:YVO4）激光调Q运转，详细测量了砷化镓被动调QNd:YVO4激光输出特性，获得脉宽15ns，重复频率470kHz，光束质量M^2=1.31的激光输出，调Q激光运转阈值为500mW，并数值求解了砷化镓被动调Q速率方程，讨论了被动调Q机理以及调Q脉冲宽度和脉冲重复频率对抽运速率的依赖关系，理论计算结果与实验结果相一致。     

GaAs／AlGaAs异质结中二维电子气能带的Landau能级耦合

采用栅压比谱技术，在相对较低的磁场下，到ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ异质结中二维电子气第零子有带的Ｎ＝１Ｌａｎｄａｕ参级与高达第五子能带的Ｎ＝０Ｌａｎｄａｕ能级共振耦合现象，由此精确测量了各子能带能量间距，并与自洽的理论计算结果上比较，同时讨论了共振子能带－Ｌａｎｄａｕ能级耦合所引起的Ｌａｎｄａｕｃ能级分裂大小与有带量子数的关系。     

激光二极管抽运的GaAs被动Q开关Nd∶YVO4激光器

利用固体可饱和吸收体砷化镓 (GaAs)作为被动调Q元件 ,实现了激光二极管抽运平凹腔掺钕钒酸钇(Nd∶YVO4)激光调Q运转 ,详细测量了砷化镓被动调QNd∶YVO4激光输出特性 ,获得脉宽 15ns,重复频率 4 70kHz,光束质量M2 =1.31的激光输出 ,调Q激光运转阈值为 5 0 0mW ,并数值求解了砷化镓被动调Q速率方程 ,讨论了被动调Q机理以及调Q脉冲宽度和脉冲重复频率对抽运速率的依赖关系 ,理论计算结果与实验结果相一致。     

深能级对AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管性能的影响

用深能级瞬态光谱和光致发光(PL)方法研究了AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)发射区AlGaInP中的深能级.得到了两个深能级,分别为E_c-E_t1＝0.42eV和E_c-E_t2＝0.59eV,其复合截面为σ_n1＝6.27×10^-17cm²和σ_n2＝6.49×10^-20cm². 关键词：     

激光二极管直接耦合泵浦的高效率Nd：YVO4／KTP腔内倍频激光器

使激光二极管的发光光面紧贴Ｎｄ：ＹＶＯ４激光晶体，“面对面”直接耦合泵浦，采用ＫＴＰ晶体腔内倍频，在５０３ｍＷ的泵浦功率下，获得５３２ｎｍ基横模绿光输出约７３ｍＷ，光光总体转换效率为１４．５％。     

激光二极管双路泵浦的固体激光器

首次用国产量子阱激光半导体二极管双路端面泵浦Ｎｄ：ＹＬＦ激光器，得到波长１．０４７μｍ、能量６＿μＪ、峰值功率１２０ｍＷ的激光输出．实验结果表明：双路同时泵浦输出功率大于两单路分别泵浦输出功率相加，起伏小于３％，与理论分析基本一致。     

δ掺杂的赝形高电子迁移率晶体管AlGaAs/InGaAs/GaAs结构的光谱研究

报道δ掺杂赝形高电子迁移率晶体管结构Al(?)Ga(?)As/In(?)Ga(?),As/GaAs的综合光谱研究结果。采用光致发光光谱,平面光电流谱和光致发光激发光谱方法,并与理论计算相对比,确认了光致发光谱上n=1电子子带n=2电子子带到n=1重空穴子带间的强发光峰,对弱峰C的研究表明它是n=1电子子带到n=1轻空穴子带复合跃迁的发光峰。由于费密能级高于第二电子子带,没有发现文献中曾报道过的属于费密边的发光峰;平面光电流谱和光致发光激发光谱观察到n=1重空穴子带到n=1,2,3电子子带的三个激子跃迁峰。 关键词：     

降低热不稳定性的激光二极管泵浦固体激光器

通过谐振腔腔结构理论研究了在端面泵浦固体激光器中,等效热反射镜曲率半径变化时,振荡光半径的变化速率理论和实验都表明,通过调整谐振腔的参量,使得该变化速率接近零,可以有效地抑制热效应导致的激光功率不稳定性。     

优质GaAs/Si和AlGaAs/Si材料的MOCVD生长研究

用自制常压MOCVD装置,在Si衬底上生长GaAs和AlGaAs外延层,在高温去除Si衬底表面氧化膜之后,采用两步法,即低温生长过渡层,再提高温度生长外延层。得到了表面镜面光亮的优质GaAs和AlGaAs外延层。X射线双晶衍射仪测试GaAs外延层,其回摆曲线半峰宽是200孤秒,GaAs和AlGaAs外延层在77K温度下,PL谱半峰宽分别是17meV和24meV。     

激光二极管抽运固体激光器场分布的热不稳定性研究

通过建立激光介质非热平衡状态的振荡散热模型，分析了激光二极管抽运固体激光器中，热透镜的不稳定性.研究表明，热透镜的这种热不稳定性是造成激光场不稳定的重要因素.会造成高斯半径的不稳定波动，会使激光光束的指向角波动，会造成激光光斑的非对称畸变，这种畸变也处于波动之中.通过对端面抽运条件下，热耗为1W的Nd:YAG激光介质的理论和实验研究，确定了这种原因下光场不稳定度的数量级. 关键词： 激光二极管 固体激光器 热透镜     

快速热退火引起的GaAs／AlGaAs双量子阱中铝原子的扩散研究

用分子束外延生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ双量子阱激光器结构样品，并对不同温度快速热退火导致量子阱组分无序即阱和垒中三族元素的扩散过程进行了实验和理论研究 。用光荧光技术测量退火样品的ｎ＝１量子阱能级跃迁峰值位置，结果表明退火前后样品量子阱能级位置发生蓝移，蓝移量随温度的提高而增大，对退火过程中ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱中三族元素的扩散过程中进行了理论分析，并与实验结果相比较，获得了不同退火温度下     

激光二极管抽运的全固化、自启动Cr∶LiSGAF自锁模激光器

采用激光二极管双向抽运并在腔内加入了半导体可饱和吸收体反射镜(SESAM), 实现了Cr∶LiSGAF激光器的自启动、自锁模运转. 得到了脉冲宽度为45 fs、平均输出功率为12 mW、脉冲重复频率为90 MHz的稳定的锁模脉冲序列.     

AlxGa1—xAs／GaAs异质结材料的XPS研究

用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）结合氩离子溅射深度剖析对一系列不同ｘ值的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结材料中各主元素的分布及化学状态和相对含量的变化进行了分析，发现Ａｌ向表面偏析的现象及Ａｓ和Ａｌ的择优溅射问题，并对此进行了讨论。同时用ＸＰＳ法进行了Ａｌ的定量分析，并与光致发光法测得的Ｘ值进行了对比，发现二者有非常好的线性关系。     

GaN基异质结缓冲层漏电分析

通过对GaN基异质结材料C-V特性中耗尽电容的比较,得出AlGaN/GaN异质结缓冲层漏电与成核层的关系.实验结果表明,基于蓝宝石衬底低温GaN成核层和SiC衬底高温AlN成核层的异质结材料比基于蓝宝石衬底低温AlN成核层异质结材料漏电小、背景载流子浓度低.深入分析发现,基于薄成核层的异质结材料在近衬底的GaN缓冲层中具有高浓度的n型GaN导电层,而基于厚成核层的异质结材料的GaN缓冲层则呈高阻特性.GaN缓冲层中的n型导电层是导致器件漏电主要因素之一,适当提高成核层的质量和厚度可有效降低GaN缓冲层的背景载流子浓度,提高GaN缓冲层的高阻特性,抑制缓冲层漏电. 关键词： AlGaN/GaN异质结 GaN缓冲层 漏电 成核层