Co-like Au52+离子双电子复合的理论研究

基于准相对论Hatree-Fock理论,采用Cowan程序详细计算了Co-like A u52+离子的双电子复合速率系数、自电离几率以及自电离能级.计算结果表明:由于径向波函数的穿透效应使得该离子自电离能级3d84l5s(l=s、 p、d、f)升高,造成能级间隔不随外层激发电子轨道角动量的增加单调减小的异常现象,即Δ(E3d8 4l5d-E3d84l5p)＞Δ(E3d84l5p-E3d84l5s)＞Δ(E 3d84l5f-E3d84l5d);双激发自电离态平均自电离几率具有特定的变化关系;双电子复合速率系数随着电子温度逐渐增加具有共振、高温收敛等特点,且双激发态轨道角动量大且宇称为奇的通道复合速率系数较大,其中辐射衰变通道为3d84fnd-3d9nd 的复合过程占优势,在Te=0.49*"KeV时共振峰αDR=1.01×10-11(cm 3sec-1).     

Dielectronic recombination of Co-like tantalum

Ab initio calculation of the total dielectronic recombination (DR) rate coefficient from the ground state of Co-like tantalum is performed using the relativistic distorted-wave approximation with configuration interaction. The contributions to the total DR rate coefficients are explicitly calculated from the complexes of Ni-like tantalum: 3s²3p⁶3d_3/2³ 3d_5/2⁶ n'l', 3s²3p⁵3d¹⁰n'l', 3s3p⁶3d¹⁰n'l', 3s²3p⁶3d⁸4ln'l', 3s²3p⁵3d⁹4ln'l' and 3s3p⁶3d⁹4ln'l' with n' ≤ 25, and 3s²3p⁶3d⁸5ln'l' with n' ≤ 9. The l' and n' dependences of partial DR rate coefficients are investigated. The contributions from higher n'complexes are evaluated by a level-by-level extrapolation method. The total DR rate coefficients mainly come from the complex series 3s²3p⁶3d⁸4ln'l', 3s²3p⁵3d⁹4ln'l' and are fitted to an empirical formula with high accuracy. Comparison of the present results with those of other works shows that the previously published data underestimate significantly the DR rates of Co-like tantalum.     

Systematic theoretical study of dielectronic recombination for helium-like isoelectronic sequence

Dielectronic recombination cross sections and rate coefficients of He-like isoelectronic sequence are systematically calculated employing the relativistic Flexible Atomic Code (FAC). The calculated DR resonance strengths, cross sections and rate coefficients are in good agreement with other experimental and theoretical results. The effects of radiative cascades on DR cross sections and the variation of DR branching ratio with different DR resonance and atomic numbers Z are studied. The n⁻³ scaling law is also checked and used to extrapolate rate coefficients. And analytic formulas are used to fit the total rate coefficients with respect to both T and Z for helium-like isoelectronic sequence.     

Ti、Cr类氦双电子复合速率系数的量子力学计算

本文用全量子力学方法计算了Ti、Cr类He总双电子复合速率系数和态-态双电子复合速率系数,给出了Ti、Cr类He态-态双电子复合速率系数与旁观主量子数、与原子实耦合对称性,以及与谱项多重性、对称性和角动量之间的关系.计算结果显示1s2pnp→1s2np和1s2pnd→1s2nd两衰变通道的双电子复合速率系数占总双电子复合速率系数的75%,成为对总双电子复合速率系数贡献最大的两个复合通道.本文得到了能用于冕区等离子体诊断目的的Ti、Cr类 He双电子复合数据.     

Resonance excitation process for Ni-like gold

A detailed and large-scale calculation on the resonant excitation rate coefficients from the ground state to the 106 fine-structure levels belonging to 3l¹⁷4l^′(l=0,1,2;l^′=0,1,2,3) configurations of Ni-like gold have been performed using the relativistic distorted-wave approximation. The contributions through all possible Cu-like doubly excited states 3l¹⁷4l^′n^″l^″and 3l¹⁷5l^′n^″l^″(n^″≤15,l^″≤8) are calculated explicitly. The radiative damping effects on resonant excitation rates are studied. Significant effects arising from decays to autoionizing levels are also investigated. The n⁻³scaling law is investigated and is used to obtain the contributions from high-n configurations. Contributions from resonant excitation are found to be as important as direct excitation processes for most transitions. In some cases, resonant excitation can enhance the excitation rate coefficients by an order of magnitude. In addition, the total dielectronic recombination rate coefficients of Ni-like gold are also presented and compared with other works.     

Radiative rates and electron impact excitation rate coefficients for H-like Fe XXVI

In this paper we report on calculations on energy levels, radiative rates, collision strengths, and effective collision strengths for transitions among the lowest 36 levels of the n≤6 configurations of H-like Fe XXVI. Flexible atomic code (FAC) is adopted for the calculation. Energy levels and radiative rates are calculated within relativistic configuration-interaction method. Direct excitation collision strength is calculated using relativistic distorted-wave approximation. Resonance contributions through the relevant He-like doubly excited n^′l^′n^″l^″ configurations with n^′≤7 and n^″≤75 are explicitly taken into account using the isolated process and isolated resonances approximation. We present the radiative rates, oscillator strengths, and line strengths for all electric dipole (E1), magnetic dipole (M1), electric quadrupole (E2), and magnetic quadrupole (M2) transitions among the 36 levels. Furthermore, collision strengths and effective collision strengths are reported for all the 630 transitions among the above 36 levels over a wide energy (temperature) range up to 25 keV . Extensive comparisons are made with earlier available results and the accuracy of the data is assessed.     

类锂离子KLL双电子复合过程研究

采用相对论扭曲波方法,理论研究了高离化态类锂离子I~(50+)、Ho~(64+)、Bi~(80+)的KLL双电子复合过程,得到了双电子激发态的共振能量和双电子复合截面,利用自电离和辐射跃迁速率,得到了对应谱线的总宽度,并与已有的理论和实验结果进行了对比,理论较好地解释了最近的实验结果.     

类锂离子KLL双电子复合过程研究

采用相对论扭曲波方法,理论研究了高离化态类锂离子I50+、Ho64+、Bi80+的KLL双电子复合过程,得到了双电子激发态的共振能量和双电子复合截面,利用自电离和辐射跃迁速率,得到了对应谱线的总宽度,并与已有的理论和实验结果进行了对比,理论较好地解释了最近的实验结果。     

用类氦双电子复合伴线诊断Ar等离子体电子温度

在电子密度约为ne=10 13 cm-3 条件下计算了类氦Ar的伴线 j(1s2 2 p2 P3 / 2 - 1s2 p2 2 D5/ 2 )与共振线w(1s2 1S0 - 1s2P1P1)的强度比 ,采用Hartree Fork Relativistic (HFR)方法计算了伴线因子和波长 ,从而得到伴线强度以及强度比。根据计算的相对强度比随温度的变化关系可以利用实验诊断电子温度     

类铷W37+离子双电子复合速率系数的理论研究

利用全相对论组态相互作用理论方法,研究了类铷W37+离子从基组态3s23p63d104s24p64d经过双激发态(3s23p63d104s24p64d)-1nln′l′(n,n′=4,5)的双电子复合过程,得到了该离子在温度为1~5×104 eV范围内的总双电子复合速率系数。分析比较了不同电子激发的双电子复合速率系数,结果表明:4p电子激发的双电子复合速率系数在低温时给出了主要贡献,而3d的贡献在高温时突出。由于强组态相互作用,两电子一光子跃迁对双电子复合速率系数的贡献不可忽略,其中辐射跃迁4p54d5d5f-4p64f5d的贡献是双激发态4p54d5d5f总的双电子复合速率系数的5%。对双电子复合、辐射复合以及三体复合速率系数的比较表明,在所研究的温度范围内双电子复合速率系数最大。     

类氖等电子系列离子基态的双电子复合速率系数研究

使用全相对论组态相互作用方法, 能级-能级细致计算了0.1 E_I ≤ kT_e≤ 10 E_I (E_I是类钠离子基态的第一电离能) 温度范围内类氖离子基态双电子复合(DR)速率系数, 双激发自电离能级考虑了(2s2p)⁷3ln'l', (2s2p)⁷4l4l' 以及(2s2p)⁷4l5l'组态. 对于(2s2p)⁷3ln'l'双激发自电离组态, 轨道角量子数l' >8 的(2s2p)⁷3ln'l'双激发自电离态对双电子复合速率系数的贡献可以忽略不计; (2s2p)⁷3ln'l'双激发自电离组态的高里德堡态对双电子复合速率系数的贡献满足 n'^-3组态-组态外推法, 并且核电荷数越大, 趋于n'^-3标度的n'值越小; 对细致能级计算得到的类氖离子基态的总DR速率系数进行了拟合, 得到类氖离子基态的总DR速率系数随核电荷数 Z和电子温度变化的经验公式, 该拟合公式与细致计算结果的偏差在2%以内, 能较准确的计算任意核电荷数Z的类氖离子在0.1E_I ≤ kT_e ≤ 10E_I电子温度范围的DR速率系数. Burgess-Merts(BM)近似公式不适用于估算低温(kT_e<0.3 E_I)类氖离子的DR速率系数, 在高温(kT_e>2E_I)时, 类氖离子的DR速率系数可以用BM近似公式表示.     

类氖氙离子LMn双电子复合模拟谱

在双电子复合过程发生的能量范围内,发射X光子的原子过程除双电子复合过程外还有辐射复合、共振激发、共振复合以及直接激发原子过程.本文使用相对论组态相互作用方法计算了这些过程的截面,比较了在双电子复合过程发生的能量范围内这些原子过程的截面与双电子复合过程截面,探讨了这些过程对双电子复合过程的影响.研究结果表明,辐射复合截面随入射电子束能量的增大迅速减小,在双电子复合能量范围内几乎为一常数,可以作为本底来处理;共振激发和共振复合过程对双电子复合过程的影响可以忽略不计;当入射电子束能量高于靶离子的第一激发能时,电子碰撞直接激发截面与高Rydberg态的截面连成一片,随着入射电子束能量的增加,电子碰撞直接激发截面越来越大,这时必须考虑直接激发过程.使用相对论组态相互作用方法计算了类氖氙离子的双电子复合截面,其结果与已有的部分实验和理论结果很吻合.     

类氖氙离子LMn双电子复合模拟谱

在双电子复合过程发生的能量范围内,发射X光子的原子过程除双电子复合过程外还有辐射复合、共振激发、共振复合以及直接激发原子过程. 本文使用相对论组态相互作用方法计算了这些过程的截面,比较了在双电子复合过程发生的能量范围内这些原子过程的截面与双电子复合过程截面,探讨了这些过程对双电子复合过程的影响. 研究结果表明,辐射复合截面随入射电子束能量的增大迅速减小,在双电子复合能量范围内几乎为一常数,可以作为本底来处理;共振激发和共振复合过程对双电子复合过程的影响可以忽略不计;当入射电子束能量高于靶离子的第一激发能时,电子碰撞直接激发截面与高Rydberg态的截面连成一片,随着入射电子束能量的增加,电子碰撞直接激发截面越来越大,这时必须考虑直接激发过程. 使用相对论组态相互作用方法计算了类氖氙离子的双电子复合截面,其结果与已有的部分实验和理论结果很吻合.     

基于双激发态对稠密等离子体中双电子复合速率系数的研究

讨论了稠密等离子体中双电子复合速率系数的计算方法,推导出了在双激发态间跃迁过程和关于双激发态的碰撞电离和自电离过程的影响下双电子复合速率系数作为关于电子密度函数的计算公式,并以类氖镍离子为例进行了计算.计算结果展示了双电子复合速率系数随电子密度增大的具体变化趋势.此外,还给出了在不同原子过程影响下双电子复合速率系数的数据,并进行了分析.     

类铷W37+离子双电子复合速率系数的理论研究

 利用全相对论组态相互作用理论方法,研究了类铷W³⁷⁺离子从基组态3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p⁶4d经过双激发态(3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p⁶4d)^-1nln′l′(n,n′=4,5)的双电子复合过程,得到了该离子在温度为1~5×10⁴ eV范围内的总双电子复合速率系数。分析比较了不同电子激发的双电子复合速率系数,结果表明:4p电子激发的双电子复合速率系数在低温时给出了主要贡献,而3d的贡献在高温时突出。由于强组态相互作用,两电子一光子跃迁对双电子复合速率系数的贡献不可忽略,其中辐射跃迁4p⁵4d5d5f-4p⁶4f5d的贡献是双激发态4p⁵4d5d5f总的双电子复合速率系数的5%。对双电子复合、辐射复合以及三体复合速率系数的比较表明,在所研究的温度范围内双电子复合速率系数最大。     

钨离子双电子复合过程的理论研究

摘要: 利用全相对论组态相互作用理论方法, 研究了W28+离子由基态俘获一个电子形成双激发态(3d104s24p64d10 )-1 nln''l''(n = 4~6, n'' = 4~15)的双电子复合(DR)过程. 比较分析了3s、3p、3d、4s、4p和4d电子激发对DR速率系数的贡献, 分析了3d、4s、4p和4d电子激发的DR速率系数随轨道量子数l'' 的变化. 考虑和已有的计算完全相同的初态, 中间双激发态以及辐射和俄歇末态的情况下, 得到了和已有的计算符合很好的结果. 在综合了分析得到的对W28+离子DR过程有明显贡献的各种因素后,进一步得到了总DR速率系数. 其中, 考虑DAC效应对总DR速率系数有不可忽略的影响. 对DR速率系数进行了参数拟合, 拟合值与计算值的偏差小于1％.     

钨离子双电子复合过程的理论研究

利用全相对论组态相互作用理论方法, 研究了W28+离子由基态俘获一个电子形成双激发态(3d104s24p64d10 )-1 nln'l'(n = 4~6, n' = 4~15)的双电子复合(DR)过程. 比较分析了3s、3p、3d、4s、4p和4d电子激发对DR速率系数的贡献, 分析了3d、4s、4p和4d电子激发的DR速率系数随轨道量子数l' 的变化. 考虑和已有的计算完全相同的初态, 中间双激发态以及辐射和俄歇末态的情况下, 得到了和已有的计算符合很好的结果. 在综合了分析得到的对W28+离子DR过程有明显贡献的各种因素后,进一步得到了总DR速率系数. 其中, 考虑DAC效应对总DR速率系数有不可忽略的影响. 对DR速率系数进行了参数拟合, 拟合值与计算值的偏差小于1％.     

Rapid evaluation for dielectronic recombination rate coefficients of Ni－like ions Gd and Ta

ＲａｐｉｄｅｖａｌｕａｔｉｏｎｆｏｒｄｉｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎｒａｔｅｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｓｏｆＮｉ－ｌｉｋｅｉｏｎｓＧｄａｎｄＴａ￥ＴＥＮＧＨｕａｇｕｏ；ＸＵＺｈｉｚｈａｎ；ＺＨＡＮＧＷｅｎｑｉ（ＣＣＡＳＴ（Ｗｏｒｌｄｌａ...     

Au~(34+)离子双电子复合过程的理论研究

复杂结构离子的双电子复合(DR)速率系数在核聚变、极紫外光刻光源等应用研究的等离子体谱模拟中具有重要的价值.利用基于全相对论组态相互作用理论的FAC程序包,详细计算了Au~(34+)离子的双电子复合速率系数.研究分析了激发、辐射通道,组态相互作用,级联退激对DR速率系数的影响.其中,级联退激对DR速率系数的贡献必须予以考虑.对双电子复合、辐射复合以及三体复合速率系数做了比较,在温度大于1 eV范围,双电子复合都大于辐射复合以及三体复合速率系数,相应的DR过程对于等离子体离化态分布和能级布居以及光谱模拟都极为重要.对基态和第一激发态的DR速率系数进行了参数拟合,拟合值与计算值的偏差小于1.73%.研究结果将为复杂结构离子双电子复合过程的进一步研究提供参考.     

高离化金离子态-态双电子复合速率系数

研究了类铍Au⁷⁵⁺离子三类态-态双电子复合过程，基于多组态准相对论自洽场 方法和 扭曲波方法，计算了该离子在电子温度0.6—10.0keV范围内的态-态双电子复合速率系数， 并讨论了它们随电子温度、复合类型和上下能态的变化. 关键词： 75+离子')" href="#">Au⁷⁵⁺离子 态-态双电子复合