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过量La掺杂的Bi—2201单晶的超导电性 总被引:1,自引:0,他引:1
在极度La掺杂的Bi2Sr2-xLaxCuO6+y单晶中发现Tc高达36K的超导相。X射线衍射(XRD图和劳埃斑点实验都显示单晶具有很好的质量。EDX分析结果和由XRD得到的单晶c轴长度均证实单晶处于极度La掺杂的区域。一般来说,处于如此高La掺杂区域的Bi-2201体系不表现出超导电性。因为我们的样品曾在O2中680℃退火10小时,而且极度La掺杂会导致长程反铁磁有序背景。所以我们将这种高Tc的 相似文献
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测量了从欠掺杂区域到过掺杂区域变化的一系列Bi2212单晶样品ab平面内和c方向电阻率ρab.ρc随温度T的变化关系.按照几种不同模型分析了测量数据.比较两块处于过掺杂区域的Bi2Sr2CaCu2O8+δ(单晶和Bi2-xPbxSr2CaCu2O8+δ(单晶,发现尽管平面内电阻率ρab与温度T依赖行为类似,且Tc值基本相同,但c方向电阻率ρc与温度T的行为差别很大.这种氧空缺和离子取代的无序效应所造成c方向电阻率ρc不同温度行为表明:无序的阻挡层(blockinglayer)对于c方向电阻率ρc有重要影响 相似文献
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本通过X射线衍射、差热分析和超导电性测量等手段对Bi1.6Pb0.4Sr2Ca2-x(Nd0.75Ce0.25)xCu3Oy体系的相结构和超导电性进行了研究。该体系中,在810-840℃空气中烧结40小时样品的Tc随着x增加而降低。研究了在750-820℃空气中烧结40小时样品的超导转变温度为19-21K。这种超导电性可能是由于部分被稳定的Bi-2222相所致。 相似文献
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本文通过透射电子显微镜观察、超导电性测量、X射线衍射、氧含量测定等手段研究了淬火和制备工艺对Bi(Pb)-2223相超导体超导电性、氧含量和微结构的影响.结果表明,随着淬火温度的提高,Tc(0)呈现一个不连续的变化,在100-400℃范围内,Tc(0)基本不变,在500-600℃,Tc(0)略有升高,在750℃.Tc(0)呈现一个极小值.在500—600℃淬火处理可以增加样品中的氧含量,具有Tc(0)近110K的Bi1.7Pb0.3Sr2Ca2Cu3O10+6的最佳氧含量在δ=0.14—0.29之间.在800—820℃淬火处理可以改善样品晶粒间的弱连接状态,而样品的弱连接和微结构与阳离子和氧的组成及其制备工艺密切相关. 相似文献
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本文对名义组份为Bi1 .8Pb0 .2Sr2 - xLaxCuOy 系列样品的电阻率和热电势特性进行了实验研究.测量表明,Pb 掺杂可以进一步提高超导转变温度Tc ;随着La 含量的增加,Tc 按照典型的抛物线型规律变化;La 掺杂极大地影响超导体正常态的输运特性.我们的分析指出,热电势在正常态所表现出的规律与高温超导机制密切相关,而且电阻率正常态输运特性的变化可用La 掺杂造成CuO6 八面体顶点氧发生位移来解释. 相似文献
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系统地研究了Gd掺杂对Bi2Sr2Ca1-xGdxCu2Oy单晶超导电性及各向异性电阻率的影响。Tc满足Tc/Tc,max=1-82.6(ax+b)^2,并随Gd含量的增加而下降,这是由于Gd掺杂引起载流子浓度减小所导致。在x≥0.19时,ρab(T)在Tc随近有类半导体行为,dρab/dT随Gd含量的增大而增大。ρc(T)呈半导体行为,并可用唯象公式ρc(T)=(a/T)exp(△/T)+bT+ 相似文献
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精确测量了在不同氧压下退火的单晶Bi2Sr2CaCu2O8+δ(Bi2212)样品的CuO面内和CuO面外的电阻率ρc(T)和ρab(T).发现ρc(T)和各向异性比(ρc(T)/ρab(T))随着载流子浓度增加而迅速下降.在过掺杂样品中,高于120K时,ρc随温度线性下降,而各向异性比与温度仅有微弱的依赖关系.ρc(T)和ρc(T)/ρab(T)的值可以用Alexandrov和Mot建立的双极化子模型很好地加以拟合 相似文献
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研究了掺La-和掺Pb-的Bi2201样品在不同磁场下(H=0.01,0.03和5T)正常态的直流磁化率与温度的关系.样品包括了从欠掺杂到过掺杂区域.实验结构表明,当增加空穴浓度时,从欠掺杂区域到开始发生超导转变区域,居里项的贡献逐渐减弱;而在超导区和金属区,居里项随着空穴浓度的增加而增加.除金属区外,居里项随着外加磁场的增加而增加.这表明在费米面附近存在一个窄能带.在低温下对于非理想超导体,其磁矩冻结且有序化,而在高场下(5T)则被抑制.在金属区,高温下是Curie-Weiss行为,但居里常数不随外场而变化.我们对这种反常磁性行为提出了一种解释. 相似文献
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对超导样品加压有可能改变它的临界温度Tc.例如,在常压下,HgBa2Ca2Cu3O8+δ的Tc是133K,施加静压后其Tc可升高到164K.进一步的实验表明,压力对Tc的影响,沿不同的晶轴取向,其正负号往往是相反的,例如,对于欠掺杂La2-xSrxC... 相似文献
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研究了Gd_(1-x)Ca_xBa_2Cu_3O_(7-y)(0.0≤X≤0.20)高温超导体在常压和高压下的超导电性在1-300K温度范围内,利用Bridgman对顶砧获得压力达9.0GPa,测量了(X=0.10,0.15,0.20)样品的dT_c/dp分别为7.68,7.8和4.46K/GPa。发现T_c的压力导数随着ca ̄(2+)含量的增加而下降,分析了氧含量对T_c和dT_c/dP的影响.利用常压下晶格参数精修值和阳离子与氧离子间距随压力的改变,说明CuO_2面在超导电性上的作用,用CuO_2面之间耦合解释T_c(P)曲线的非线性关系。 相似文献
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本利用X射线衍射、电子衍射和拉曼散射对Bi2Sr1.8La0.2Cu1-xMxOy(M=Ni,Zn)体系的微结构进行了研究。实验表明,随着掺杂量的增加,掺Zn体系的结构畸变明显大于掺Ni体系的结构畸变。由此看来,非磁性杂质Zn之所以比磁性杂质Ni对Tc具有更大的抑制作用,应该归因于Zn掺杂造成材料严重的结构畸变。 相似文献
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利用电子衍射方法发现Ba的掺杂增强了Bi系2201相的非公度调制,即沿b,c方向的调制周期都明显下降。超导电性研究发现适量Ba的掺杂(x≤0.2)可提高2201相的Tc,但当x≥0.3时,其Tc迅速下降,同时伴随超导相-绝缘相的转变。还利用X射线和紫外光电子能谱系统地分析了此体系的电子结构的特征,在此基础上综合地分析了该体系的非公度调制结构、电子结构与超导电性的相互关系,指出这种Ba2+对Sr2+的同价元素的替代加剧了
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本介绍了用熔融法制备Bi2.2Sr1.8Ca1.05Cu2.15-xNaxO8+y(x=0,0.4~0.8)样品,发现诸样品零电阻温度都在90K左右,其中x=0.7,Tc0达到92.5K。在81K较高温区,该类样品仍然表现出良好的超导电性,其临界电流密度还达到10^3A/cm^2量级。 相似文献
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